Структуры памяти (H01L21/8239)
H Электричество(232322)
H01L21/8239 Структуры памяти(2)
Изобретение относится к способам применения электрических приборов и нанокомпозитным материалам на основе диэлектриков и металлов для оптоэлектроники, мемристорной электроники, оптическим компьютерам (в т.ч.
Изобретение относится к технике накопления информации, к вычислительной технике, в частности к элементам резистивной памяти, к элементам памяти электрически перепрограммируемых постоянных запоминающих устройств, сохраняющих информацию при отключенном питании, и может быть использовано при создании устройств памяти, например вычислительных машин, микропроцессоров, электронных паспортов, электронных карточек.
Использование: для изготовления мемристоров с диэлектрической структурой. Сущность изобретения заключается в том, что предложен способ изготовления мемристора путем формирования расположенной между двумя электродами диэлектрической структуры, содержащей обеспечивающий филаментарный механизм переключения слой диоксида циркония и обладающей резистивной памятью, работу которой стабилизируют в результате введения в указанную диэлектрическую структуру наноконцентраторов электрического поля, для совмещения введения наноконцентраторов электрического поля с процессом формирования упомянутой диэлектрической структуры и усиления в ней при резистивном переключении потока ионов кислорода на поверхности одного из электродов, изготовленного из нитрида титана, последовательно формируют слой оксида тантала и слой диоксида циркония, стабилизированного иттрием, с использованием магнетронного распыления, причем при осаждении на указанный электрод оксида тантала, сопровождаемом частичным замещением атомов азота на атомы кислорода, формируют на поверхности этого электрода промежуточный интерфейсный слой диоксида титана и в участках указанного интерфейсного слоя и осаждаемого слоя оксида тантала, прилежащих к поверхностной границе их раздела, образуемые при этом наноконцентраторы электрического поля в виде нанокристаллических включений тантала.
Предложены технологии создания линий доступа в энергонезависимом запоминающем устройстве. Варианты технологий содержат создание одного или нескольких проходящих через матрицу сквозных отверстий в части матрицы ячеек памяти в составе энергонезависимого запоминающего устройства, такой как область собственно матрицы ячеек памяти или периферийная область, так что через эти сквозные отверстия могут быть проложены одна или несколько линий выборки вместо того, чтобы прокладывать эти линии над или под областью собственно матрицы ячеек памяти или периферийной областью в матрице ячеек памяти.
Предложена многоуровневая укладка элементов памяти, имеющих слой из оксида алюминия (AlOx) в качестве благородного слоя HiK для обеспечения избирательности остановки вытравливания. Каждый уровень укладки включает в себя устройство элемента памяти.
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении двухэлектродных резистивных энергонезависимых элементов запоминающих устройств. .
Изобретение относится к интегральной микроэлектронике и может быть использовано в полупроводниковых интегральных схемах (ИС) типа программируемых логических матриц, электрически программируемых постоянных запоминающих устройств и других ИС с программируемыми элементами.
