Динамические структуры памяти со случайным доступом (H01L21/8242)

H01L21/8242              Динамические структуры памяти со случайным доступом (динамические зупв)(5)

Способ изготовления устройства полупроводниковой памяти (варианты) и устройство полупроводниковой памяти // 2234763
Изобретение относится к способу изготовления устройства полупроводниковой памяти, которое является стойким к окислению разрядных шин. .
 
.
Наверх