Структуры памяти только считывающие (H01L21/8246)
H Электричество(232322)
H01L21/8246 Структуры памяти только считывающие (пзу)(3)
Магниторезистивное запоминающее устройство // 2653131
Согласно одному варианту осуществления магниторезистивное запоминающее устройство включает в себя подложку, имеющую первую поверхность, которая включает в себя первое направление; и запоминающие элементы, имеющие переключаемое сопротивление.
Согласно одному варианту осуществления раскрыто магнитное запоминающее устройство. Магнитное запоминающее устройство включает в себя подложку и предусмотренную на подложке контактную вставку.
Устройство памяти и способ изготовления // 2247441
Изобретение относится к области электрически записываемых и стираемых энергонезависимых флэш-ЗУ. .
Способ изготовления моноп-ячейки памяти, ячейка памяти и матричный накопитель на ее основе // 2105383
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания ЭРПЗУ с повышенной информационной плотностью на основе МОНОП-транзисторов, в частности, перепрограммируемых инжекцией горячих носителей заряда.
