На подложке из полупроводникового материала с использованием комбинации технологий, рассматриваемых в рубриках H01L21/822,H01L21/8252, H01L21/8254 или H01L21/8256 (H01L21/8258)

H01 Основные элементы электрического оборудования(70435)

H01L21/8258 На подложке из полупроводникового материала с использованием комбинации технологий, рассматриваемых в рубриках H01L21/822,H01L21/8252, H01L21/8254 или H01L21/8256(3)

Эцр-плазменный источник для обработки полупроводниковых структур, способ обработки полупроводниковых структур, способ изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем (варианты), полупроводниковый прибор или интегральная схема (варианты) // 2216818

Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно к технике изготовления твердотельных приборов и интегральных схем с использованием СВЧ плазменного стимулирования в условиях электронного циклотронного резонанса (ЭЦР), а также к технологии плазменной обработки в процессе изготовления различных полупроводниковых структур.

Прецизионный интегральный поликремниевый резистор и способ его изготовления // 2110871

Изобретение относится к конструированию прецизионных интегральных поликремниевых резисторов и может быть использовано в аналоговых и аналого-цифровых интегральных схемах (ИС). .

Мощный свч-транзистор // 2054750

Изобретение относится к СВЧ полупроводниковой электронике. .