На подложке из неполупроводникового материала, например диэлектрика (H01L21/84)
H Электричество(232322)
H01L21/84 На подложке из неполупроводникового материала, например диэлектрика(10)
Изобретение относится к области электронной техники, а именно к способам изготовления гибридных интегральных схем, например генераторного модуля СВЧ-диапазона. Cпособ изготовления гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона включает изготовление отдельных диэлектрических слоев заданной последовательности многослойной печатной платы, с одним сквозным отверстием, изготовление заданного топологического рисунка металлизационного покрытия на лицевой стороне каждого диэлектрического слоя и экранной заземляющей металлизации на обратной стороне, нижнего слоя многослойной печатной платы, формирование сквозного отверстия в многослойной печатной плате посредством расположения отдельных диэлектрических слоев с одновременным совмещением их сквозных отверстий, последующее их соединение, размещение и закрепление навесного компонента на лицевой поверхности верхнего диэлектрического слоя многослойной платы, электрическое соединение, контакта каждого навесного компонента с топологическим рисунком металлизационного покрытия, контроль электрических характеристик гибридной интегральной схемы, совмещение диэлектрических слоев проводят по штифтам и базовым отверстиям, а соединение слоев платы проводят препрегом, при формировании заданного топологического рисунка металлизационного покрытия на верхнем диэлектрическом слое, на его обратной стороне изготавливают экранную заземляющую металлизацию, часть отверстий в многослойной плате выполняют металлизированными, компоненты схемы: коаксиальный диэлектрический резонатор, генераторный и управляющий компоненты, образующие генератор, управляемый напряжением, располагают на лицевой стороне верхнего диэлектрического слоя, при формировании верхнего диэлектрического слоя, под топологическим рисунком металлизации с генераторным, управляющим компонентами и коаксиальным диэлектрическим резонатором, составляющую СВЧ-часть схемы генератора, с обратной стороны верхнего слоя многослойной платы удаляют экранную заземляющую металлизацию, изготавливают диэлектрический резонатор, с выходом коаксиального вывода на торцевой поверхности и металлизацией на боковой поверхности, часть топологического рисунка проводников генератора, управляемого напряжением, имеющего в своем составе емкостные связи, располагают на торцевой поверхности коаксиального диэлектрического резонатора, обращенной к активным генераторному и управляющему компонентам, и электрически соединяют с проводниками топологического рисунка, причем емкостные связи выполняют в виде зазоров, формируют проводники топологического рисунка проводников и соединяемые с ними проводники на торцевой поверхности диэлектрического резонатора таким образом, чтобы они совпадали между собой по месту расположения, причем соединение проводников осуществляют путем присоединения верхних концов соединительных проводников к нижним концам проводников топологического рисунка на торце диэлектрического резонатора, коаксиальный диэлектрический резонатор устанавливают металлизацией боковой поверхности непосредственно на металлизированную площадку, резонатор закрепляют и электрически соединяют с металлизированной площадкой топологического рисунка верхнего слоя многослойной платы; а металлизированную площадку топологического рисунка, с закрепленным диэлектрическим резонатором, соединяют с экранной заземляющей металлизацией обратной стороны нижнего слоя многослойной печатной платы через металлизированные отверстия, многослойную плату устанавливают и закрепляют на дне металлического корпуса с крышкой, а герметизацию корпуса осуществляют присоединением крышки.
Изобретение относится к электронной технике. .
Изобретение относится к электронной технике. .
Изобретение относится к технологическим процессам интегральной электроники. .
Способ изготовления интегральных схем свч // 2206145
Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам изготовления деталей корпусов полупроводниковых приборов и элементов корпусов ГИС. .
Способ изготовления керамических пластин // 2173004
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в производстве интегральных микросхем с поликристаллическими активными и пассивными компонентами. .
Изобретение относится к микроэлектронике, более конкретно к технологии интегральных микросхем, формируемых на основе кремний на изоляторе (КНИ) структур. .
Изобретение относится к технологии получения кремний на изоляторе (КНИ) структур и может быть использовано при изготовлении радиационностойких интегральных схем (ИС) высокой степени интеграции и высокого быстродействия.
Способ изготовления цветных фотошаблонов // 484816
