Изобретение относится к области конструктивных элементов полупроводниковых приборов с высокой нагрузкой по току, предназначенных для монтажа и обеспечения функционирования полупроводникового кристалла в электрических цепях модулей энергопитания, управления, связи и др., работающих в экстремальных условиях.