Охлаждение, обусловленное формой прибора (H01L23/367)
H Электричество(232322)
H01L23/367 Охлаждение, обусловленное формой прибора(11)
Радиатор для интегральной микросхемы, содержащий пластину основания и множество ребер, соединенных с пластиной основания, при этом пластина основания содержит первый сегмент, второй сегмент и третий сегмент, соединенные последовательно; причем первый сегмент и третий сегмент простираются наклонно вверх относительно второго сегмента, при этом толщина второго сегмента пластины основания больше, чем толщина первого сегмента и третьего сегмента, и радиатор выполнен с возможностью прикрепления лишь к одной интегральной микросхеме посредством второго сегмента.
Группа изобретений относится к системе и способу регулирования температуры топлива для питания теплового газотурбинного двигателя, силовой установке, содержащей газотурбинный двигатель. Система содержит контур питания топливом, электронный модуль, источник энергии для электронного модуля, теплообменник.
Использование: для создания силового полупроводникового элемента. Сущность изобретения заключается в том, что модуль силового полупроводникового элемента для закрепления на охлаждающем теле включает в себя: по меньшей мере, один силовой полупроводниковый элемент; средства контактирования, чтобы электрически контактировать с упомянутым, по меньшей мере, одним силовым полупроводниковым элементом; выполненную, по меньшей мере, в отдельных областях теплопроводной прижимную пластину; средства предварительного напряжения, которые рассчитаны для того, чтобы предварительно напрягать средства контактирования к силовому полупроводниковому элементу для электрического контактирования, а силовой полупроводниковый элемент к упомянутой, по меньшей мере, одной теплопроводной области упомянутой выполненной, по меньшей мере, в отдельных областях теплопроводной прижимной пластины в направлении охлаждающего тела для термического контактирования; крепежные средства для закрепления средств предварительного напряжения на охлаждающем теле, причем крепежные средства включают в себя упомянутую выполненную, по меньшей мере, в отдельных областях теплопроводной прижимную пластину, причем упомянутая, по меньшей мере, в отдельных областях теплопроводная прижимная пластина образует, по меньшей мере, один окружающий силовой полупроводник резервуар, в резервуаре размещена заливочная масса.
Сборка многокристального корпусированного прибора, содержащая первичный прибор и по меньшей мере один вторичный прибор, присоединенные в виде планарной матрицы к подложке, первый пассивный теплообменник, содержащий основание теплового радиатора и структуру ребер, расположенные на первичном приборе и имеющие отверстие над областью, соответствующей по меньшей мере одному вторичному прибору, второй пассивный теплообменник, содержащий основание теплового радиатора и структуру ребер, расположенные в отверстии по меньшей мере на одном вторичном приборе, по меньшей мере одну первую пружину для приложения усилия к первому теплообменнику в направлении первичного прибора и по меньшей мере одну вторую пружину для приложения усилия ко второму теплообменнику в направлении вторичного прибора.
Изобретение используется при эксплуатации передающих предохранительных клапанов постоянного тока и, в частности, представляет собой тиристорный радиатор в сборе для предохранительного клапана постоянного тока.
Настоящее изобретение относится к полупроводниковому прибору для поверхностного монтажа. Устройство с одним или несколькими приборами для поверхностного монтажа, смонтированными на несущей подложке, причем полупроводниковый прибор для поверхностного монтажа содержит один полупроводниковый элемент, смонтированный на подложке (1) прибора или интегрированный в подложку (1) прибора, причем подложка (1) прибора имеет верхнюю поверхность и нижнюю поверхность и имеет одну или несколько контактных площадок (2) электрического соединения первой высоты и одну площадку (3) теплового контакта второй высоты, расположенные на нижней поверхности подложки (1) прибора, вторая высота площадки (3) теплового контакта больше, чем первая высота контактной площадки (площадок) (2) электрического соединения, площадка (3) теплового контакта отделена от площадки (площадок) (2) электрического контакта канавкой или зазором, упомянутая несущая подложка содержит металлическую пластину (7) или слой металлической основы, покрытый диэлектрическим слоем (8), на котором расположен электропроводящий слой (9), причем упомянутый электропроводящий слой (9) и упомянутый диэлектрический слой (8) не присутствуют или удалены под площадкой (3) теплового контакта упомянутого прибора и под частью упомянутой канавки или упомянутого зазора, при этом упомянутая площадка (3) теплового контакта соединена термически посредством слоя (5) межсоединений теплового контакта с металлической пластиной (7) или слоем металлической основы, а упомянутые контактные площадки (2) электрического соединения соединены электрически посредством слоя (5) межсоединений электрического контакта с электропроводящим слоем (9), при этом разница по высоте первой высоты и второй высоты равна сумме толщин электропроводящего слоя (9) и диэлектрического слоя (8).
Использование: для монтажа и демонтажа, по крайней мере, одной полупроводниковой микросхемы. Сущность изобретения заключается в том, что корпус микросхемы состоит из фланца и подложки с размещением, по крайней мере, одной микросхемы и подложки на одной стороне фланца, фланец изготавливается из электро- и теплопроводного материала, при этом сборный корпус микросхемы содержит, по крайней мере, одно охлаждающее устройство, а также электрическую изоляцию между выводами, по крайней мере, одной микросхемы и, по крайней мере, одним охлаждающим устройством.
Теплоотвод (варианты) // 2589942
Изобретение относится к твердотельной электронике, в частности к теплоотводам полупроводниковых приборов повышенной мощности, и может быть использовано в различных теплотехнических устройствах, работающих с большими удельными тепловыми нагрузками.
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для охлаждения полупроводниковых приборов, в том числе приборов большой мощности, имеющих большой диаметр оснований, при естественном охлаждении, и может быть использовано в преобразовательных устройствах.
Многоэлементный полупроводниковый свч-прибор // 1118242
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к полупроводниковым СВЧ-приборам, таким, например, как лавинно-пролетные диоды, применяемым для генерации, усиления, преобразования и умножения сигналов сверхвысоких частот.
Радиатор // 436408
Устройство для испарительного охлаждения // 429565
Устройство для охлаждения // 405144
Полупроводникового прибора // 253931
