Отнесенные к типам, которые предусмотрены в группе H01L27 (H01L25/065)
H Электричество(232322)
H01L25/065 Отнесенные к типам, которые предусмотрены в группе H01L27(8)
Изобретение относится к многослойному пакету (10) полупроводниковых кристаллов с несколькими расположенными в многослойной компоновке (18) полупроводниковыми кристаллами (11) и по меньшей мере с одной соединяющей полупроводниковые кристаллы (11) друг с другом соединительной подложкой (19), причем полупроводниковые кристаллы (11) по меньшей мере на одном крае (12) кристалла снабжены по меньшей мере одной присоединительной поверхностью кристалла, которая, по меньшей мере, частично простирается как боковая присоединительная поверхность (13) в выполненной на крае (12) кристалла боковой поверхности (23) полупроводникового кристалла, и причем снабженные боковой присоединительной поверхностью (13) боковые поверхности (23) полупроводниковых кристаллов (11) расположены в общей плоскости S боковых поверхностей многослойной компоновки (18) полупроводниковых кристаллов, и причем соединительная подложка (19) с контактной поверхностью (20) расположена параллельно плоскости S боковых поверхностей полупроводниковых кристаллов (11) и для соединения выполненной в соединительной подложке (19) структуры (31) соединительных проводников имеет выполненные на контактной поверхности (20) присоединительные поверхности (21) подложки, которые в параллельной контактной поверхности (20) присоединительной плоскости VI, электропроводящим образом посредством связующего материала соединены с боковыми присоединительными поверхностями (13).
Варианты настоящего изобретения направлены на создание корпусированной интегральной схемы (IC), содержащей первый кристалл интегральной схемы, по меньшей мере частично встроенный в первый герметизирующий слой, и второй кристалл интегральной схемы, по меньшей мере частично встроенный во второй герметизирующий слой.
Использование: для уменьшения объема, необходимого для размещения электронных компонентов. Сущность изобретения заключается в том, что многокристальный корпусированный прибор содержит литой слой, имеющий первую поверхность и вторую поверхность, противоположную первой поверхности, один или более первых электрических компонентов, причем каждый из указанных первых электрических компонентов имеет паяемую клемму, ориентированную к первой поверхности литого слоя, один или более вторых электрических компонентов, где каждый из этих компонентов имеет клемму второго типа, ориентированную ко второй поверхности литого слоя.
Использование: в области электротехники. Технический результат – обеспечение эффективного управления питанием многокристальной сборки, имеющей кристаллы с различными требованиями к напряжению питания.
Изобретение относится к способам для рассеивания тепла в многослойных 3-D интегральных схемах (ИС). Путем заполнения воздушного промежутка между слоями многослойного ИС устройства проводящим тепло материалом тепло, генерируемое в одной или более областях внутри одного из слоев, может быть рассеяно в поперечном направлении.
Изобретение относится к многоуровневым интегральным схемам, более точно к системам и методам активного терморегулирования в многоуровневых интегральных схемах. .
Изобретение относится к системам и способам для обеспечения защиты от электростатического разряда в трехмерных многоуровневых интегральных схемах. .
Изобретение относится к сборке интегральных схем, а более конкретно к мостиковым межсоединениям между прилегающими интергальными схемами в корпусе с подложкой. .
Изобретение относится к многослойным интегральным схемам, в которых обеспечено рассеивание тепла от проблемных тепловых областей. .
Изобретение относится к электротехнике и предназначено для преобразования энергии между источниками напряжения (питающей электрической сетью) и, по меньшей мере, одним источником тока, в частности нагрузкой.
