Отнесенные к типам, которые предусмотрены в группе H01L29 (H01L25/11)
H Электричество(232322)
H01L25/11 Отнесенные к типам, которые предусмотрены в группе H01L29(5)
Изобретение относится к области электротехники, в частности к фазному модулю для полупроводникового преобразователя. Техническая задача заключается в повышении электрической пропускной способности по мощности фазы полупроводникового преобразователя электроэнергии и улучшении фазного модуля с расположенными электрически параллельно полупроводниковыми модулями относительно его рабочих характеристик.
Изобретение относится к дисковой ячейке (1) для прижимного контакта нескольких полупроводниковых элементов при помощи создающих зажимное усилие (F) зажимных средств (4, 13), включающей в себя: корпус (2, 3, 7, 8); по меньшей мере один первый, установленный в корпусе, полупроводниковый элемент (6) первого типа конструкции; по меньшей мере один второй, установленный в корпусе, полупроводниковый элемент (5) второго, отличного от первого, типа конструкции; причем корпус (2, 3, 7, 8) включает в себя по меньшей мере одну, покрывающую первый (6) и второй (5) полупроводниковые элементы, ориентированную по существу под прямым углом к зажимному усилию (F) металлическую прижимную пластину (2) для зажатия первого и второго полупроводникового элемента, причем прижимная пластина (2) выполнена таким образом, что зажимное усилие (F) воздействует на нее с локальным ограничением (9) для зажатия при помощи прижимной пластины (2) первого (6) и второго (5) полупроводникового элемента, причем первый полупроводниковый элемент (6) расположен под локальной областью (9) воздействия зажимного усилия (F), а второй полупроводниковый элемент (5) расположен по меньшей мере частично за пределами локальной области (9) воздействия.
Силовой полупроводниковый модуль // 2302686
Изобретение относится к области силовых электронных устройств. .
Силовой полупроводниковый модуль // 2302685
Изобретение относится к области силовых полупроводниковых устройств. .
Изобретение относится к электронной технике, преимущественно к конструированию мощных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. .
Изобретение относится к установке для предварительно смонтированной конструкции установленных с возможностью контактирования путем нажима пластинчатых ячейковых полупроводников, применяемой для фиксирования с зазором уложенного в стопку блока пластинчатых ячейковых полупроводников.
