Содержащие только полупроводниковые компоненты одного вида (H01L27/08)
H Электричество(232322)
H01L27/08 Содержащие только полупроводниковые компоненты одного вида(10)
Выравнивающий слой // 2679270
Предложено электрическое и/или оптическое устройство, содержащее непланаризованную пластиковую подложку, сформированный на данной подложке электрически и/или оптически функциональный слой, выравнивающий слой, сформированный поверх функционального слоя, и по меньшей мере первый проводящий слой и полупроводниковый слой, сформированные поверх выравнивающего слоя.
Радиационно-стойкая библиотека элементов на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах // 2674415
Изобретение относится к области микроэлектроники. Техническим результатом заявленного изобретения является создание радиационно-стойкой библиотеки элементов на комплементарных металл-окисел-полупроводник (КМОП) транзисторах с меньшей площадью элементов на кристалле по вертикали пропорционально шагу топологической сетки, повышенным быстродействием и повышенным выходом годных элементов на кристалле за счет расположения р+ охраны вдоль внешней границы стоков/истоков транзисторов n-типа с разными потенциалами, при этом заполнения р+ охраной всей свободной площади подложки, а также за счет соединения поликремнием затворов транзисторов.
Использование: для создания микроэлектромеханических устройств (МЭМС) с повышенной радиационной стойкостью. Сущность изобретения заключается в том, что в конструкции микросистемы с повышенной радиационной стойкостью к воздействию одиночных заряженных частиц, имеющей механическую часть и электрическую часть с фрактальной формой, обкладки микроконденсаторов электрической части имеют трехмерную фрактальную форму Канторова множества.
Устройство накопления энергии // 2645304
Изобретение относится к устройству накопления энергии и может быть использовано в электрических транспортных средствах. Устройство (100) накопления энергии содержит пористую проводящую подложку (110); изоляционный слой (120), соприкасающийся с внутренними поверхностями (112) пористой проводящей подложки (110); и проводящий слой (130), соприкасающийся с внешними поверхностями (122) изоляционного слоя (120), при этом изоляционный слой содержит первый слой накопления электроэнергии, применяемый для накопления энергии в поляризованной конфигурации при подаче напряжения на пористую проводящую подложку и проводящий слой, также изоляционный слой содержит второй слой накопления электроэнергии, выполненный с возможностью изменения между электроизоляционной конфигурацией и электропроводящей конфигурацией, при этом переход от электроизоляционной конфигурации к электропроводящей конфигурации происходит в ответ на подачу напряжения, превышающего пороговое напряжение, на пористую проводящую подложку и проводящий слой, причем второй слой накопления электроэнергии является ионизируемой текучей средой, и электропроводящая конфигурация является ионизированной конфигурацией, образованной путем подачи напряжения, равного или превышающего пробивное напряжение второго слоя накопления электроэнергии, на второй слой накопления электроэнергии.
Изобретение относится к тонкопленочному транзистору, подложке матрицы и панели дисплея. Тонкопленочный транзистор ТПТ включает затвор, первый изолирующий слой, расположенный над затвором, второй изолирующий слой, расположенный над первым изолирующим слоем, полупроводниковый слой, исток и сток, расположенные между первым изолирующим слоем и вторым изолирующим слоем, слой омического контакта, расположенный между полупроводниковым слоем, истоком и стоком, причем слой омического контакта включает отверстие, проходящее через слой омического контакта посредством зазора между истоком и стоком, чтобы открыть полупроводниковый слой, и второй изолирующий слой соединяется с полупроводниковым слоем через это отверстие, и проводящий слой, расположенный над вторым изолирующим слоем.
Радиационно-стойкая библиотека элементов на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах // 2539869
Изобретение относится к области микроэлектроники. Техническим результатом изобретения является создание радиационно-стойкой библиотеки элементов на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах с меньшей площадью элементов на кристалле и повышенным быстродействием.
Изобретение относится к оптоэлектронной технике, точнее - к компактным источникам лазерного излучения в инфракрасном диапазоне длин волн, а именно к полупроводниковым одночастотным источникам инфракрасного (ИК) излучения на основе лазера с дисковым резонатором, работающего на модах шепчущей галереи (Whispering Gallery Modes - WGM).
Полупроводниковый прибор // 2437183
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к области силовых полупроводниковых приборов, в частности к силовым ДМОП-транзиторам. .
Многоканальное устройство считывания // 2282269
Изобретение относится к интегральной микроэлектронике и может быть использовано в системах обработки оптической информации. .
Схема усилителя радиоприемника, схема радиочастотного смесителя и содержащий их радиоприемник // 2217862
Изобретение относится к структуре, ориентированной на радиосвязь, в частности, к структуре КМОП-микросхем для цифрового приемопередатчика радиосвязи. .
Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно к разработке комплементарных биполярных транзисторных структур при производстве интегральных схем. .
Интегральная биполярная структура // 1746440
Интегральная схема // 1746439
Изобретение относится к цифровым интегральным схемам на основе биполярных транзисторов, в частности к ТТЛ. .
Базовый интегральный логический элемент // 1667574
Составной транзистор // 957690
