Только компоненты с полевым эффектом (H01L27/085)
H Электричество(232322)
H01L27/085 Только компоненты с полевым эффектом(2)
Радиационно-стойкая библиотека элементов на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах // 2674415
Изобретение относится к области микроэлектроники. Техническим результатом заявленного изобретения является создание радиационно-стойкой библиотеки элементов на комплементарных металл-окисел-полупроводник (КМОП) транзисторах с меньшей площадью элементов на кристалле по вертикали пропорционально шагу топологической сетки, повышенным быстродействием и повышенным выходом годных элементов на кристалле за счет расположения р+ охраны вдоль внешней границы стоков/истоков транзисторов n-типа с разными потенциалами, при этом заполнения р+ охраной всей свободной площади подложки, а также за счет соединения поликремнием затворов транзисторов.
Радиационно-стойкая библиотека элементов на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах // 2539869
Изобретение относится к области микроэлектроники. Техническим результатом изобретения является создание радиационно-стойкой библиотеки элементов на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах с меньшей площадью элементов на кристалле и повышенным быстродействием.
Базовый интегральный логический элемент // 1667574
