Полевые транзисторы с изолированным затвором (H01L27/088)
H Электричество(232322)
H01L27/088 Полевые транзисторы с изолированным затвором(3)
Выравнивающий слой // 2679270
Предложено электрическое и/или оптическое устройство, содержащее непланаризованную пластиковую подложку, сформированный на данной подложке электрически и/или оптически функциональный слой, выравнивающий слой, сформированный поверх функционального слоя, и по меньшей мере первый проводящий слой и полупроводниковый слой, сформированные поверх выравнивающего слоя.
Изобретение относится к тонкопленочному транзистору, подложке матрицы и панели дисплея. Тонкопленочный транзистор ТПТ включает затвор, первый изолирующий слой, расположенный над затвором, второй изолирующий слой, расположенный над первым изолирующим слоем, полупроводниковый слой, исток и сток, расположенные между первым изолирующим слоем и вторым изолирующим слоем, слой омического контакта, расположенный между полупроводниковым слоем, истоком и стоком, причем слой омического контакта включает отверстие, проходящее через слой омического контакта посредством зазора между истоком и стоком, чтобы открыть полупроводниковый слой, и второй изолирующий слой соединяется с полупроводниковым слоем через это отверстие, и проводящий слой, расположенный над вторым изолирующим слоем.
Полупроводниковый прибор // 2437183
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к области силовых полупроводниковых приборов, в частности к силовым ДМОП-транзиторам. .
Многоканальное устройство считывания // 2282269
Изобретение относится к интегральной микроэлектронике и может быть использовано в системах обработки оптической информации. .
Схема усилителя радиоприемника, схема радиочастотного смесителя и содержащий их радиоприемник // 2217862
Изобретение относится к структуре, ориентированной на радиосвязь, в частности, к структуре КМОП-микросхем для цифрового приемопередатчика радиосвязи. .
