Компоненты с полевым эффектом (H01L27/105)
H Электричество(232322)
H01L27/105 Компоненты с полевым эффектом(7)
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании устройств, использующих функции ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ и (или) ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ-НЕ, например в схемах контроля четности и (или) нечетности и многоразрядных сумматорах.
Полевой транзистор с гетеропереходом // 2686575
Способ изготовления полевого транзистора с гетеропереходом, содержащего полупроводниковую структуру из наложенных друг на друга слоев, включающий: обеспечение на слое подложки (1) буферного слоя (2), канального слоя (3) и барьерного слоя (4), выполненных из материалов с гексагональной кристаллической структурой типа Ga(1-p-q)Al(p)In(q)N, выполнение отверстия в диэлектрическом маскирующем слое (5), нанесенном на барьерный слой, выращивание эпитаксией при высокой температуре полупроводникового материала (6, 6') с гексагональной кристаллической структурой Ga(1-x'-y')Al(x')In(y')N, легированного германием, на зоне роста, заданной выполненным в маскирующем слое отверстием, нанесение контактного электрода истока или стока (15, 16) на материал, нанесенный эпитаксией, и электрода затвора (13) в местоположении вне зоны роста.
Активный элемент интегрального коммутатора // 2680730
Использование: для создания элементов интегральных коммутаторов. Сущность изобретения заключается в том, что активный элемент интегрального коммутатора содержит полуизолирующую GaAs-подложку, барьерную AlGaAs-область второго типа проводимости, образующую с ней переход Шоттки управляющую металлическую шину, AlGaAs-область спейсера собственной проводимости, GaAs-область канала собственной проводимости, четыре коммутируемые металлические шины, четыре коммутируемые области второго типа проводимости, AlGaAs-области управляющего p-n-перехода, AlGaAs-область туннельного барьера собственной проводимости, изолирующие AlGaAs-области собственной проводимости, введены GaAs-область ортогонального канала собственной проводимости, ориентированная перпендикулярно GaAs-области канала собственной проводимости, AlGaAs-область ортогонального спейсера собственной проводимости, расположенная под GaAs-областью ортогонального канала собственной проводимости и ориентированная перпендикулярно GaAs-области канала собственной проводимости.
Изобретение относится к субмикронным КМОП КНИ ИМС, действующим в условиях воздействия больших доз радиационного облучения, характерных для длительной эксплуатации космических аппаратов в дальнем космосе.
Изобретение относится к области интегральной электроники, а именно - к элементам интегральных коммутаторов. Для увеличения быстродействия и расширения функциональных возможностей в четырехконтактный элемент интегрального коммутатора, содержащий полуизолирующую GaAs-подложку, области GaAs и AlGaAs-спейсера собственной проводимости, барьерную область AlGaAs второго типа проводимости, область GaAs второго типа проводимости, расположенную над ней и образующую с ней переход Шоттки управляющую металлическую шину, первую и вторую высоколегированные области второго типа проводимости, первую и вторую металлические шины, образующие с высоколегированными областями второго типа проводимости омические контакты, введены расположенные над областью GaAs второго типа проводимости и образующие с ней переходы Шоттки первая, вторая и третья дополнительные управляющие металлические шины, третья и четвертая высоколегированные области второго типа проводимости, третья и четвертая металлические шины, причем области GaAs, AlGaAs-спейсера собственной проводимости, барьерная область AlGaAs и область GaAs второго типа проводимости имеют форму восьмиугольника, а управляющие металлические шины имеют форму ломаной, состоящей из трех отрезков, с взаимным расположением смежных отрезков под углом 135°.
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и наноэлектроники. .
Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники. .
Изобретение относится к интегрированным транзисторно/запоминающим структурам. .
Матрица кни мдп-транзисторов // 2012948
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания высококачественных полупроводниковых приборов, в частности, матричных МДП-транзисторов и интегральных схем (ИС) на их основе, включая многослойные, со структурами кремний - на изоляторе (КНИ).
