Содержащие полупроводниковые компоненты, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, коротковолновому электромагнитному или корпускулярному излучению, и предназначенные для преобразования энергии этих излучений в электрическую энергию или для управления электрической энергией с помощью таких излучений (H01L27/14)
H Электричество(232322)
H01L27/14 Содержащие полупроводниковые компоненты, чувствительные к инфракрасному излучению, свету, коротковолновому электромагнитному или корпускулярному излучению, и предназначенные для преобразования энергии этих излучений в электрическую энергию или для управления электрической энергией с помощью таких излучений (компоненты, чувствительные к излучению, конструктивно связанные только с одним или несколькими электрическими источниками света H01L31/14; соединение световодов с оптоэлектронными элементами G02B6/42)(237)
Болометр, тепловой датчик, тепловизор, способ работы болометра, способ работы теплового датчика // 2790003
Изобретение относится к болометру, тепловому датчику, тепловизору компактных размеров. Болометр согласно изобретению содержит термостабилизированную прозрачную подложку, термоизолирующие мостики, микрорезонатор, волновод, лазер и фотоприемник.
Болометр, тепловой датчик, тепловизор, способ работы болометра, способ работы теплового датчика // 2785895
Изобретение относится к болометру, тепловому датчику, тепловизору, способу работы болометра, способу работы теплового датчика. Болометр согласно изобретению содержит подложку, термоизолирующие мостики, микрорезонатор, два волновода, лазер, фотоприемник.
Изобретение относится к оптоэлектронике, нано- и микроэлектронике и может быть использовано для создания тепловизора с оптическим выходом на основе гибридного или монолитного инфракрасного (ИК) или терагерцового (ТГц) фотоприемника (ФП), в том числе мультиспектрального.
Изобретение относится к оптоэлектронике, нано- и микроэлектронике и может быть использовано для создания тепловизора с оптическим выходом на кристалле монолитного инфракрасного (ИК) или терагерцевого (ТГц) фотоприемника (ФП), в том числе мультиспектрального.
Заявленное изобретение относится к способам тестирования и испытания оборудования линий лазерной связи с квантовым приемом информации. Технический результат заключается в возможности точного определения характеристик ТКП и определения соответствия конкретного образца ТКП требованиям к его основным характеристикам: скорости передачи информации, мощности передатчика, дальности связи, вероятности сырой битовой ошибки на предельной дальности связи.
Структуры датчиков изображения могут быть соединены с такими микрофлюидными устройствами, как проточные ячейки, для формирования системы датчиков. Система датчиков может, например, представлять собой систему биодатчиков.
Сенсорная система // 2739341
Изобретение может быть использовано в биосенсорных системах. Сенсорная система распознавания включает в себя структуру датчика изображения и проточную ячейку.
Изобретение относится к области интегральной микроэлектроники и касается устройства считывания с временной задержкой и накоплением (ВЗН) сигналов в цифровом виде с многоэлементных фотоприемников инфракрасного излучения.
Использование: для детектирования света. Сущность изобретения заключается в том, что устройства включают в себя реакционную структуру для размещения реакционного раствора и по меньшей мере один реакционный центр, генерирующий световые излучения под действием падающего света возбуждения после обработки реакционным раствором, также включают в себя множество светочувствительных элементов и схему устройства.
Изобретение относится к оптоэлектронике, нано- и микроэлектронике и может быть использовано для создания мозаичных фотоприемников (МФП) сверхвысокой размерности, в том числе мультиспектральных. В МФП сверхвысокой размерности с предельной эффективностью преобразования изображений, состоящем из матрицы n×m бескорпусных фотоприемных субмодулей, для уменьшения количества потерянных элементов в "слепой зоне", обеспечения компактности конструкции и расширения области применения бескорпусные субмодули изготовлены с обеспечением минимальных областей повреждения на стыкуемых краях кристаллов субмодулей, субмодули размещены на единственной пластине-носителе с минимальными зазорами или без зазоров.
Настоящее изобретение относится к области оптического обнаружения и, в частности, обнаружения световых пятен, отражаемых или излучаемых объектами, с целью позиционирования объектов в трехмерном пространстве.
Изобретение относится к устройству формирования изображений, системе формирования изображений и подвижному объекту. Техническим результатом является повышение качества захватываемого изображения.
Устройство формирования изображения, система формирования изображения и движущийся объект // 2718679
Использование: для формирования изображения. Сущность изобретения заключается в том, что устройство формирования изображения включает в себя первую интегральную схему, на которой множество первых блоков размещается в виде матрицы, и вторую интегральную схему, которая включает в себя схему сканирования первого блока и схему сканирования второго блока.
Использование: для быстрого включения силового транзистора. Сущность изобретения заключается в том, что способ быстрого включения силового транзистора с изолированным затвором включает заземление затвора и подачу на исток или эмиттер открывающего импульса тока наносекундной длительности.
Изобретение относится к двухспектральным фотоприемным устройствам, предназначенным для детектирования излучений в ближнем УФ спектральном диапазоне и среднем ИК спектральном диапазоне. Устройство согласно изобретению содержит фоточувствительные элементы с барьером Шоттки для независимой регистрации ультрафиолетового и инфракрасного излучений.
Многоэлементный фотоприемник // 2703497
Многоэлементный фотоприемник с тонкой фоточувствительной базой, включающий матрицу фоточувствительных элементов из одного из полупроводниковых материалов CdxHg1-xTe, InSb, InGaAs, QWIP, соединенную со схемой считывания индиевыми микроконтактами, с антиотражающим покрытием, обеспечивающим минимальное отражение в спектральном диапазоне чувствительности фотодиодов, отличающийся тем, что антиотражающее покрытие создают с уменьшенными механическими напряжениями последовательным вакуумным напылением кремния методом электронно-лучевого испарения со скоростью осаждения 0,08 нм/с и слоя фторида иттрия методом резистивного испарения со скоростью осаждения 0,7 нм/с.
Изобретение может быть использовано в оптических системах, которые обычно используются во многих устройствах, таких как фотоаппараты, телескопы, бинокли, офисное оборудование и научная аппаратура. Способ изгибания кристалла датчика изображений согласно изобретению включает присоединение или осаждение изгибающейся подложки на первую поверхность кристалла датчика изображений, причем первая поверхность кристалла датчика изображений включает в себя один или несколько светочувствительных датчиков для генерирования электрических сигналов в ответ на прием света на первой поверхности, жесткость изгибающейся подложки варьируется на разных участках кристалла датчика изображений вследствие прорезей и/или канавок в изгибающейся подложке, причем жесткость изгибающейся подложки основана на толщине изгибающейся подложки, толщина изгибающейся подложки различна на разных участках изгибающейся подложки, при этом упомянутые прорези и/или канавки распределены концентрически вокруг центральной области изгибающейся подложки; а приложение сил к изгибающейся подложке осуществляют так, чтобы изгибать изгибающуюся подложку, при этом изгибающие силы основаны, по меньше мере частично, на жесткости изгибающейся подложки, чтобы произвести искривленный кристалл датчика изображений.
Пиксел с переменным разрешением // 2699313
Изобретение относится к области получения изображений и касается фотодатчика. Фотодатчик имеет множество светочувствительных пикселов, сформированных на подложке.
Изобретение относится к области детекторов электромагнитного излучения в терагерцовом диапазоне частот с использованием нелинейного плазменного отклика двумерной электронной системы. Сущность изобретения: детектор на основе графена, содержащий нелинейный элемент на наноструктуре с двумерной системой, при этом в качестве двумерного проводящего слоя используется высокоподвижный графен с реализацией нелинейного элемента в виде асимметричных проводящих затворов, с использованием туннельного эффекта, при помощи использования контактной разности потенциалов.
Твердотельное устройство формирования изображений включает в себя множество пикселей, включающих в себя узел фотоэлектрического преобразования, первый удерживающий участок, удерживающий заряды, переносимые из узла фотоэлектрического преобразования, второй удерживающий участок, удерживающий заряды, переносимые из первого удерживающего участка, и усилительный узел, выводящий сигнал на основе зарядов во втором удерживающем участке.
Использование: для обработки оптической информации. Сущность изобретения заключается в том, что устройство считывания сигналов с фотоприемной матрицы инфракрасного излучения содержит входную ячейку с емкостным трансимпедансным усилителем с инвертирующим и неинвертирующим входами, выполненным на основе операционного усилителя с включенным параллельно в цепь отрицательной обратной связи накопительным конденсатором, столбцовую шину, столбцовый зарядочувствительный усилитель со вторым операционным усилителем и включенным параллельно в цепь отрицательной обратной связи конденсатором, дополнительно содержит вторую столбцовую шину, при этом одна столбцовая шина реализована в виде сигнальной столбцовой шины, а вторая столбцовая шина реализована в виде опорной столбцовой шины, емкостный трансимпедансный усилитель выполнен также с входом включения, в составе входной ячейки также выполнены транзистор начала интегрирования, транзистор сброса, первый и второй адресные транзисторы, транзистор начала интегрирования соединен своим истоком с инвертирующим входом емкостного трансимпедансного усилителя, являющимся инвертирующим входом операционного усилителя, и первой обкладкой накопительного конденсатора, своим стоком транзистор начала интегрирования соединен с катодом фотодиода, затвор транзистора начала интегрирования соединен с входом включения емкостного трансимпедансного усилителя, являющимся входом включения операционного усилителя, при этом указанные затвор и вход выполнены с возможностью подачи на них управляющего сигнала начала интегрирования, транзистор сброса своим стоком соединен с истоком транзистора начала интегрирования и первой обкладкой накопительного конденсатора, истоком транзистор сброса соединен с выходом емкостного трансимпедансного усилителя, являющимся выходом операционного усилителя, и второй обкладкой накопительного конденсатора, затвор транзистора сброса выполнен с возможностью подачи на него сигнала сброса входной ячейки, первый адресный транзистор своим стоком соединен с инвертирующим входом емкостного трансимпедансного усилителя, являющимся инвертирующим входом операционного усилителя, первой обкладкой накопительного конденсатора, истоком транзистора начала интегрирования, стоком транзистора сброса, исток первого адресного транзистора соединен с сигнальной столбцовой шиной, затвор первого адресного транзистора соединен с затвором второго адресного транзистора, причем затворы первого и второго адресного транзисторов выполнены с возможностью подачи на них сигнала считывания, второй адресный транзистор своим стоком соединен с выходом емкостного трансимпедансного усилителя, являющимся выходом операционного усилителя, со второй обкладкой накопительного конденсатора, с истоком транзистора сброса, а исток второго адресного транзистора соединен с опорной столбцовой шиной, неинвертирующий вход емкостного трансимпедансного усилителя, являющийся неинвертирующим входом операционного усилителя, выполнен с возможностью подачи на него опорного напряжения, в составе столбцового зарядочувствительного усилителя выполнен второй транзистор сброса, при этом столбцовый зарядочувствительный усилитель выполнен с инвертирующим и неинвертирующим входами, являющимися соответственно инвертирующим и неинвертирующим входами второго операционного усилителя, неинвертирующий вход столбцового зарядочувствительного усилителя соединен с опорной столбцовой шиной, выполненной с возможностью подачи на нее опорного напряжения, инвертирующий вход столбцового зарядочувствительного усилителя соединен с первой обкладкой включенного параллельно в цепь отрицательной обратной связи конденсатора, выполненного в виде линейного конденсатора с дискретным набором значений емкости, с сигнальной столбцовой шиной, со стоком второго транзистора сброса, исток второго транзистора сброса соединен со второй обкладкой включенного параллельно в цепь отрицательной обратной связи конденсатора, выполненного в виде линейного конденсатора с дискретным набором значений емкости, с выходом столбцового зарядочувствительного усилителя, являющегося выходом второго операционного усилителя, а затвор второго транзистора сброса выполнен с возможностью подачи на него сигнала сброса столбцового зарядочувствительного усилителя.
Модульная asic детектора визуализации // 2686867
Использование: для обнаружения излучения. Сущность изобретения заключается в том, что детекторная матрица системы визуализации включает в себя плиточный детектор, плиточный детектор включает в себя матрицу фотодатчиков, включающую в себя множество фоточувствительных пикселов, плиточный детектор дополнительно включает в себя матрицу сцинтилляторов, оптически связанную с матрицей фотодатчиков, плиточный детектор дополнительно включает в себя слой электронных схем или ASIC на подложке, который электрически соединен с матрицей фотодатчиков, слой электронных схем включает в себя множество отдельных и разделяемых областей обработки, при этом каждая область обработки включает в себя предварительно определенное число каналов, соответствующее подмножеству из множества пикселов фотодатчиков, области обработки находятся в электрическом соединении друг с другом, каждая область обработки включает в себя свои собственные электрические цепи опорного напряжения и напряжения смещения.
Настоящее изобретение относится к радиотехнике. Оптически-управляемый ключ содержит: управляющий источник света, фотопроводящий полупроводниковый элемент и линию копланарного волновода, причем управляющий источник света выполнен с возможностью облучения фотопроводящего полупроводникового элемента, линия копланарного волновода состоит из заземляющих участков и центрального проводника, конечные точки которого предназначены для соединения с линией передачи сигнала, причем заземляющие участки расположены с двух сторон в боковом направлении относительно центрального проводника и отделены от него материалом фотопроводящего полупроводникового элемента, причем фотопроводящий полупроводниковый элемент имеет по меньшей мере два состояния: состояние диэлектрика с малой электрической проводимостью (выключенное состояние) при отсутствии управляющего светового потока и состояние проводника с относительно высокой электрической проводимостью (включенное состояние) при наличии управляющего светового потока.
Изобретение относится к способам повышения эффективности преобразования поглощенной энергии электромагнитных волн светового потока в электрическую энергию фотопреобразователем. Фотопреобразователь выполнен на базе монокристалла кремния со стационарным фоточувствительным слоем из p-n или n-p перехода.
Высоковольтный оптрон // 2676183
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в оптоэлектронных интегральных схемах. Заявленный высоковольтный оптрон содержит фоточувствительный элемент, размещенный в светоизоляционном корпусе, в котором дополнительно установлен тонкопленочный электролюминесцентный конденсатор.
Устройство фотоэлектрического преобразования включает в себя полупроводниковую подложку, имеющую одну главную поверхность, включающую в себя углубленные участки, и изолирующие тела в углубленных участках.
Ячейка термопарного приемника ик изображения // 2671295
Изобретение относится к инфракрасным твердотельным приемникам изображения, а более конкретно к инфракрасным неохлаждаемым твердотельным приемникам ИК изображения на основе термопарных сенсоров. Ячейка термопарного приемника ИК изображения содержит термопарный сенсор, транзистор выборки и усилитель с накачкой заряда, который состоит из 3-х полевых электродов с зарядовой связью между смежными электродами, диода инжекции-сброса заряда, транзистора предустановки и входного транзистора истокового повторителя, осуществляющих в течение времени кадра приемника ИК изображения многократное преобразование информационного сигнала в заряд и интегрирование последнего емкостью входного транзистора истокового повторителя.
Использование: для питания микроэлектронной аппаратуры. Сущность изобретения заключается в том, что радиоизотопный элемент электрического питания включает источник излучения, выполненный в виде содержащей радиоактивный изотоп фольги, и по крайней мере один полупроводниковый преобразователь, при этом полупроводниковый преобразователь совмещен с источником излучения, для чего на поверхность содержащей радиоактивный изотоп фольги нанесено полупроводниковое покрытие, пропускающее электрический ток только в одном направлении.
Изобретение относится к средствам формирования изображений, в частности устройству захвата изображения и системе захвата изображения. Устройство захвата изображения согласно варианту осуществления включает в себя подложку, на которой расположено множество схем пикселей, полупроводниковый слой, расположенный на подложке, первый электрод, расположенный на полупроводниковом слое, и второй электрод, расположенный между полупроводниковым слоем и подложкой.
Устройство фотоэлектрического преобразования, содержащее первый участок фотоэлектрического преобразования, являющийся первым фотодиодом и выполненный с возможностью формировать электроны; и второй участок фотоэлектрического преобразования, являющийся вторым фотодиодом и выполненный с возможностью формировать дырки.
Использование: для создания источников питания на основе полупроводниковых преобразователей с использованием бета-вольтаического эффекта. Сущность изобретения заключается в том, что регулятор содержит блоки ключевых и накопительных элементов, блок управления, включающий в себя преобразователь, стабилизатор напряжений, микроконтроллер и датчик температуры, где блок ключевых элементов соединен с контактами комплектов батареи и выполнен с возможностью коммутации комплектов к накопительным элементам, схема соединения ключевых элементов определяется блоком управления, выполненным с обратными связями по одному или нескольким каналам с выходом регулятора, с контактами одного или нескольких комплектов батареи и с датчиком температуры, установленным в стабилизаторе напряжения.
Использование: для преобразования энергии электромагнитных волн солнечного света в электрическую энергию монокристаллами кремния. Сущность изобретения заключается в том, что способ повышения эффективности преобразования энергии поглощенного светового потока электромагнитных волн в электрическую преобразователем, созданным на базе монокристалла кремния без стационарного фоточувствительного слоя в виде p-n или n-p перехода, связанного с образованием в нем сдвиговых высокочастотных ультразвуковых волн путем создания на лицевой его поглощающей поверхности продольных синусоидальных высокочастотных ультразвуковых волн амплитудой от 4.0-10.0 В пьезоэлементом из необата лития, возбуждаемого высокочастотным ультразвуковым генератором синусоидальных сигналов с переменной амплитудой и частотой порядка 29.5 мГц.
Твердотельный датчик изображений и камера // 2650729
Изобретение относится к твердотельному датчику изображений и камере. Твердотельный датчик изображений включает в себя группу микролинз, в которой множество микролинз скомпонованы так, чтобы составлять множество строк и множество колонок.
Изобретение относится к устройству захвата изображения. Устройство захвата изображения содержит: пиксельную область, имеющую множество пикселей, которые размещены двухмерным образом, причем каждый из множества пикселей служит в качестве пикселя захвата изображения и пикселя обнаружения фокуса, каждый из множества пикселей выполнен с возможностью выдавать сигнал для обнаружения фокуса на основе обнаружения разности фаз; множество асимметричных микролинз, причем каждая из множества асимметричных микролинз размещена согласно множеству блоков фотоэлектрического преобразования соответствующих пикселей.
Устройство формирования изображений // 2649967
Изобретение относится к устройству формирования изображений. Технический результат заключается в обеспечении линии управления для каждой ячейки в модуле формирования изображений.
Устройство относится к области интегральной микроэлектроники, предназначено для обработки оптической информации. Устройство характеризуется многоканальной системой считывания в составе матрицы ячеек считывания.
Настоящее изобретение относится к устройству фотоэлектрического преобразования и к системе фотоэлектрического преобразования. Устройство фотоэлектрического преобразования, содержащее: элемент фотоэлектрического преобразования; дифференциальную пару, включающую в себя первый транзистор, выполненный с возможностью приема сигнала на основании электрического заряда, генерируемого в элементе фотоэлектрического преобразования, и второй транзистор, выполненный с возможностью приема опорного сигнала; фиксирующую схему, выполненную с возможностью фиксации напряжения на затворе второго транзистора, и выходную схему.
Изобретение относится к устройству формирования изображения, системе формирования изображения и способу изготовления устройства формирования изображения. Изобретение позволяет уменьшить изменение характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.
Группа изобретений относится к области фиксации изображений с помощью пиксельной матрицы с фотоэлектрическим преобразованием. Раскрыты устройство фиксации изображений и способы возбуждения для устройства фиксации изображений.
Бета-вольтаическая батарея // 2632588
Изобретение относится к источникам питания на основе полупроводниковых преобразователей с использованием бета-вольтаического эффекта. Сущность: бета-вольтаическая батарея содержит корпус, крышку, полупроводниковые преобразователи, изолирующие и радиоизотопные элементы и токопроводящие контакты, конфигурируемые в один или несколько комплектов, соединяемых параллельно и (или) последовательно до достижения требуемой выходной мощности.
Предоставлен полевой транзистор, содержащий электрод затвора, предназначенный для приложения напряжения затвора, электрод истока и электрод стока, оба из которых предназначены для вывода электрического тока, активный слой, образованный из оксидного полупроводника n-типа, предусмотренный в контакте с электродом истока и электродом стока, и изолирующий слой затвора, предусмотренный между электродом затвора и активным слоем, при этом работа выхода электрода истока и электрода стока составляет 4,90 эВ или более, а концентрация электронов - носителей заряда оксидного полупроводника n-типа составляет 4,0×1017 см-3 или более.
Солнечная панель и часы с солнечной панелью // 2630848
Солнечная панель (3) по настоящему изобретению, поверх которой перемещаются стрелки (7), установленные на стрелочной оси, вставленной в сквозное отверстие (3a), предусмотренное в центре солнечной панели (3), включает в себя центральный элемент (10), кругообразно сформированный вокруг сквозного отверстия (3a), и множество наружных периферийных элементов (11-15), сформированных по внешнему периметру центрального элемента (10) так, чтобы иметь практически одинаковые принимающие свет области.
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к интегральным фотоэлектрическим преобразователям. Ячейка фотоэлектрического преобразователя приемника изображения содержит фотодиод, транзистор считывания заряда, накопленного фотодиодом, транзистор предустановки, обеспечивающий восстановление исходного потенциала на фотодиоде, входной транзистор истокового повторителя, транзистор выборки строки и малошумящий делитель заряда, обеспечивающий выделение малой части заряда, накопленного фотодиодом за время релаксации, и ее передачу на затвор входного транзистора истокового повторителя с многократным повторением данной процедуры в течение времени кадра.
Изобретение относится к способу изготовления многоэлементных или матричных фотоприемников на основе антимонида индия. Многоэлементный фотоприемник на основе антимонида индия включает матрицу фоточувствительных элементов (МФЧЭ) с антиотражающим покрытием на освещаемой стороне фоточувствительных элементов (ФЧЭ), соединенных микроконтактами со схемой считывания.
Изобретение относится к оптоэлектронике, а именно к модуляторам электромагнитного излучения, в частности, работающим в субтерагерцовом и терагерцовом диапазонах частот (100-10000 ГГц). Изобретение может использоваться в областях науки и техники, использующих данные диапазоны частот, в частности, при создании систем высокоскоростной беспроводной связи.
Устройство солнечных батарей // 2625263
Согласно изобретению предложена эффективная солнечная батарея, выполненная многопереходной с защитным диодом, причем у многопереходной солнечной батареи и структуры защитного диода имеется общая тыльная поверхность и разделенные меза-канавкой фронтальные стороны, общая тыльная поверхность включает в себя электропроводящий слой, многопереходная солнечная батарея включает в себя стопу из нескольких солнечных батарей и имеет расположенную ближе всего к фронтальной стороне верхнюю солнечную батарею и расположенную ближе всего к тыльной стороне нижнюю солнечную батарею, каждая солнечная батарея включает в себя np-переход, между соседними солнечными батареями размещены туннельные диоды, количество слоев полупроводника у структуры защитного диода меньше, чем количество слоев полупроводника у многопереходной солнечной батареи, последовательность слоев полупроводника у структуры защитного диода идентична последовательности слоев полупроводника многопереходной солнечной батареи, причем в структуре защитного диода выполнен по меньшей мере один верхний защитный диод и один расположенный ближе всего к тыльной стороне нижний защитный диод, а между соседними защитными диодами размещен туннельный диод, количество np-переходов в структуре защитного диода по меньшей мере на один меньше, чем количество np-переходов многопереходной солнечной батареи, на передней стороне многопереходной солнечной батареи и структуры защитного диода выполнена структура соединительного контакта, содержащая один или несколько слоев металла, а под структурой соединительного контакта выполнен состоящий из нескольких слоев полупроводника электропроводящий контактный слой, и эти несколько слоев полупроводника включают в себя туннельный диод.
Изобретение относится к устройству захвата изображений, системе захвата изображений и способу управления для устройства захвата изображений. Технический результат заключается в уменьшении объема данных опорной пиксельной области, которые записываются, при одновременном подавлении снижения качества при обработке коррекции изображения.
Изобретение относится к устройству фотоэлектрического преобразования и к системе формирования изображений. Устройство фотоэлектрического преобразования согласно изобретению включает в себя пиксел, который включает в себя блок фотоэлектрического преобразования, транзистор сброса и усилительный транзистор, который выводит сигнал из блока фотоэлектрического преобразования.
Светочувствительное устройство с множественной глубиной резкости содержит два светочувствительных пиксельных слоя. Причем различные светочувствительные пиксельные слои обнаруживают световые сигналы с различными цветами.
В устройстве фотоэлектрического преобразования, содержащем множество блоков фотоэлектрического преобразования, каждый из которых имеет множество элементов фотоэлектрического преобразования, на которые падает свет, сконцентрированный посредством одной микролинзы, каждый из множества элементов фотоэлектрического преобразования включает в себя первую полупроводниковую область первого типа проводимости для сбора сигнального заряда, высота потенциального барьера относительно сигнального заряда, по меньшей мере, участка области между первыми полупроводниковыми областями элементов фотоэлектрического преобразования, размещенных рядом друг с другом и включенных в один блок фотоэлектрического преобразования, ниже, чем высота потенциального барьера, расположенного между первыми полупроводниковыми областями элементов фотоэлектрического преобразования, размещенных рядом друг с другом, и каждый из которых включен в разные блоки фотоэлектрического преобразования, размещенные рядом друг с другом, и каждая микролинза расположена с наложением на множество первых полупроводниковых областей, содержащихся в одном пикселе, относительно вида сверху блока фотоэлектрического преобразования и концентрирует свет на множестве первых полупроводниковых областей.
