С полупроводниковыми компонентами, предназначенными для излучения световых колебаний и имеющими по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер (H01L27/15)
H01L27/15 С полупроводниковыми компонентами, предназначенными для излучения световых колебаний и имеющими по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер(12)
Изобретение относится к области полупроводниковой оптоэлектронной техники и может быть использовано для создания эластичных полупрозрачных светоизлучающих дисплеев и элементов носимой электроники. Сущность изобретения заключается в том, что светодиодная матрица включает массив неорганических нитевидных нанокристаллов из полупроводниковых III-нитридных соединений в качестве светоизлучающего элемента, при этом в качестве материала мембраны используется эластичный силоксан, а в качестве электрода используется эластичная матрица пикселей, к каждому пикселю осуществляется индивидуальная адресация эластичными контактными дорожками волнообразной формы.
Изобретение относится к полупроводниковым материалам группы А3В5, используемым для изготовления фотопроводящих антенн для генерации или детектирования электромагнитных волн терагерцевого диапазона. Способ формирования материала для фотопроводящей антенны заключается в формировании многослойной структуры, состоящей из чередующихся слоев InGaAs/InAlAs, эпитаксиально выращенных при температуре 300-500°С на подложке GaAs или InP с ориентацией (100).
Изобретение относится к изменяющемуся светодиодному дисплейному экрану, который содержит множество светодиодных модулей и множество монтажных узлов, расположенных между соседними светодиодными модулями и выполненных с возможностью соединения светодиодных модулей вместе для образования дисплейного экрана.
Изобретение относится к фотопроводящим полупроводниковым материалам. Предложен фотопроводящий материал с высокой интенсивностью генерации терагерцового (ТГц) излучения.
Использование: для изготовления твердотельных источников излучения. Сущность изобретения заключается в том, что источник излучения содержит полупроводниковую матрицу с одним или множеством включений (макро- или микро-), выполненных из материала (или материалов), электролюминесценция которого (или каждого из которых) возбуждается при энергии носителей тока меньше ширины запрещенной энергетической зоны материала матрицы, протяженность включения меньше, чем расстояние формирования в материале включения необратимого электрического пробоя при создаваемых в нем полях, а также содержат средства для создания в матрице или в матрице и во включениях постоянного, переменного, импульсного или имеющего иную форму электрического поля с напряженностью (амплитудой напряженности) Е, где Ев<Е<Ем, Ем - напряженность лавинного пробоя материала матрицы, а Ев - напряженность, необходимая для набора носителем тока энергии, достаточной для возбуждения люминесценции в материале включения (или включений).
Способ изготовления эпитаксиальной структуры включает в себя обеспечение подложки и гетеропереходного пакета на первой стороне подложки и формирование пакета светоизлучающего диода на GaN на второй стороне подложки.
Изобретение относится к электронной полупроводниковой промышленности и может быть использовано в производстве светодиодных источников света. Согласно способу изготовления светодиода,полупроводниковый излучатель и прозрачный световыводящий элемент соединяют в единый излучающий элемент, на наружную поверхность световыводящего элемента наносят защитное просветляющее покрытие.
Изобретение относится к области оптоэлектроники, конкретно к полупроводниковым источникам излучения инфракрасного, видимого и ультрафиолетового диапазонов длин волн. Оно может найти применение при создании современных светотехнических изделий и систем.
Изобретение относится к светодиодным осветительным устройствам, а именно к многоэлементным цветным источникам излучения, используемым для решения задач колориметрии в устройствах технического зрения. Многоэлементный цветной источник излучения содержит множество светодиодных источников света различных цветов для получения света смешанного цвета, оптически сопряженных с экраном, и устройство управления светодиодными источниками света в соответствии с разностями между заданными значениями, представляющими свет смешанного цвета, имеющий требуемый цвет, и управляющими данными, представляющими цвет света смешанного цвета, создаваемого с помощью указанных светодиодных источников света, при этом указанные управляющие данные обеспечиваются с помощью по меньшей мере одного цветового датчика, подключенного к входу устройства управления, светодиодные источники света соединены с соответствующими выходами устройства управления, при этом цветовой датчик оптически сопряжен с экраном, множество светодиодных источников света состоит из не менее чем одного кластера, содержащего не менее одного светодиодного источника света каждого цвета, кластеры объединены в светодиодную матрицу, количество выходов устройства управления, подключенных к множеству светодиодных источников света каждого цвета, соответствует количеству групп питания для данного цвета, а величину питающего тока группы определяют из заданного соотношения.
Изобретение относится к светоизлучающему устройству, включающему в себя комплект из структуры светоизлучающих диодов (СИД) и светопроницаемого устройства. .
Изобретение относится к источникам белого света на основе полупроводниковых светоизлучающих диодов с удаленными фотолюминофорными конвертерами. .
Изобретение относится к нитридному полупроводниковому светоизлучающему устройству. .
Изобретение относится к осветительным устройствам и устройствам подсветки жидкокристаллических дисплеев на светоизлучающих диодах (СИД). .
Изобретение относится к светодиодным лампам для освещения промышленных, общественных, офисных и бытовых помещений. .
Изобретение относится к электродному средству для адресации функционального элемента. .