Полупроводниковые подложки (H01L29/02)
H Электричество(232322)
H01L29/02 Полупроводниковые подложки(7)
Периферия полупроводниковых приборов с повышенной устойчивостью к ионизирующему излучению // 2638584
Изобретение относится к области силовых полупроводниковых приборов, изготавливаемых на эпитаксиальном кремнии. В силовых полупроводниковых приборах с повышенной устойчивостью к ионизирующему излучению, изготавливаемых на эпитаксиальном кремнии с вертикальным перемещением носителей тока и содержащих эпитаксиальный слой, активную область и периферию, в качестве периферии используется канавка шириной от 2 до 6 микрон, глубиной не менее толщины эпитаксиального слоя, стенки и дно которой покрыты слоем термического окисла кремния толщиной от 0,5 до 2 микрон, остальной объем канавки заполнен защитным наполнителем для повышения устойчивости к ионизирующему излучению.
Изобретение относится к коммутационной технике и может быть использовано в устройствах автоматики и телемеханики. .
Полупроводниковый прибор // 1840207
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для создания полупроводниковых приборов и интегральных схем на основе полевого эффекта, таких как полевые транзисторы, МДП-варакторы, МДП-фотоприемники ИК-диапазона и ПЗС.
Вертикальный биполярный транзистор // 1827144
Изобретение относится к области полупроводникового производства, а именно к конструкции вертикального биполярного транзистора с низким уровнем обратного тока. .
Способ генерации гиперзвуковых волн // 1036214
Полупроводниковый прибор // 824831
Силовой германиевый диод // 135977
Твердый выпрямитель // 107170
