Отличающиеся кристаллической структурой, например поликристаллическая структура с кубической решеткой, с определенной ориентацией кристаллической плоскости (H01L29/04)
H Электричество(232322)
H01L29/04 Отличающиеся кристаллической структурой, например поликристаллическая структура с кубической решеткой, с определенной ориентацией кристаллической плоскости (с дефектом кристаллической решетки H01L29/30)(5)
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления структур с низкой дефектностью. Способ реализуется следующим образом: на пластинах кремния с ориентацией (100), (111) формируют гетероструктуру GeSi нанесением германия на кремний при давлении 2*10-5 Па, толщиной аморфного слоя пленки 150 нм, со скоростью осаждения 3 нм/с с последующим воздействием единичного импульса электронного луча с энергией электронов 25 кэВ и последующим электроннолучевым отжигом при 0,8 Дж/см2 в атмосфере водорода в течение 12 минут при температуре 325°С.
Матричная подложка и устройство отображения // 2710381
В соответствии с вариантами осуществления данного изобретения предлагаются матричная подложка и устройство отображения. Блок пикселей содержит первый субпиксельный электрод и второй субпиксельный электрод, первый субпиксельный электрод соединен со стоком первого TFT, а второй субпиксельный электрод соединен со стоком второго TFT; сопротивление между истоком первого TFT и шиной данных, соединенной с первым TFT, больше, чем сопротивление между истоком второго TFT и шиной данных, соединенной со вторым TFT; и/или сопротивление между стоком первого TFT и первым субпиксельным электродом больше, чем сопротивление между стоком второго TFT и вторым субпиксельным электродом.
Изобретение относится к способу получения циклопропановых производных фуллеренов общей формулы 2 путем нагревания немодифицированного фуллерена с тозилгидразоном в присутствии растворителя и основания.
Изобретение относится к электронному графеновому устройству. Гибкое и поддающееся растяжению, пропускающее свет электронное устройство содержит первый графеновый электрод, второй графеновый электрод, графеновый полупроводник и управляющий графеновый электрод, расположенный между первым и вторым графеновыми электродами и находящийся в контакте с графеновым полупроводником.
Изобретение относится к полупроводниковой импульсной технике, а именно к полупроводниковым приборам для формирования высоковольтных перепадов напряжения наносекундного диапазона. .
Полупроводниковый прибор // 639362
