Отличающиеся формой и отличающиеся формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей (H01L29/06)
H Электричество(232322)
H01L29/06 Отличающиеся формой; отличающиеся формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей(26)
Изобретение относится к способам изготовления одноячеечной структуры карбидокремниевого полевого МОП-транзистора. Согласно изобретению предложен способ изготовления структуры карбидокремниевого полевлшл МОП транзистора, в котором область проводящего канала имеет изогнутую форму и состоит из трех областей, при этом между первыми смежными областями расположены четвертые области, благодаря чему общая длина области вертикального проводящего канала может существенно увеличиваться, снижая, таким образом, отношение сопротивления канала к сопротивлению во включенном состоянии.
В изобретении раскрывается карбидокремниевое переключающее устройство и метод его изготовления; устройство используется для уменьшения отношения сопротивления канала к сопротивлению устройства во включенном состоянии.
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов для создания автоэмиссионных электронных приборов (с «холодной эмиссией электронов) для изготовления зондов и кантилеверов сканирующих зондовых микроскопов и оперативных запоминающих устройств с высокой плотностью записи информации, поверхностно-развитых электродов электрохимических ячеек источников тока, а также для использования в технологиях изготовления кремниевых солнечных элементов нового поколения для повышения эффективности антиотражающей поверхности фотопреобразователей.
Транзистор с балочными выводами // 2652157
Изобретение относится к области изготовления транзисторов на основе полупроводниковых материалов, предпочтительно полевых транзисторов с барьером Шоттки на арсениде галлия. Транзистор с балочными выводами содержит токопроводящие выводы в виде металлической шины/балки, являющиеся продолжением контактных площадок и выходящие за пределы полупроводникового кристалла на расстояние, необходимое для приварки или припайки к токоведущим дорожкам, металлические шины/балки формируются одновременно с формированием контактных площадок, толщина шины/балки не менее 30 мкм, ширина шины/балки не менее 100 мкм, а размер полупроводникового кристалла по длине, ширине и толщине незначительно превышает минимально необходимое значение рабочей части транзистора.
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых наноматериалов. Способ получения нитевидных нанокристаллов Si (ННК) включает подготовку кремниевой пластины путем нанесения на ее поверхность нанодисперсных частиц катализатора с последующим помещением в ростовую печь, нагревом и осаждением кристаллизуемого вещества из газовой фазы по схеме пар → капельная жидкость → кристалл, при этом перед нанесением частиц катализатора и помещением подложки в ростовую печь на пластину Si наносят пленку Ti и анодируют длительностью от 5 до 90 мин в 1%-ном растворе NH4F в этиленгликоле, причем плотность анодного тока поддерживают в интервале от 5 до 20 мА/см2, а наночастицы катализатора на анодированную поверхность Ti наносят осаждением металла, выбираемого из ряда Ni, Ag, Pd, из 0,1 М раствора, имеющего общую формулу Me(NO3)x, где Me - Ni, Ag, Pd; х=1-2, в течение 1-2 мин при воздействии на раствор ультразвуком мощностью 60 Вт.
Изобретение относится к области изготовления электронных устройств, в частности устройств на основе материалов III-V групп. Способ изготовления устройства на основе материала III-V групп включает этапы, на которых в изолирующем слое на кремниевой подложке формируют канавку, в канавку наносят первый буферный слой на основе материала III-V групп на кремниевую подложку, на первый буферный слой наносят второй буферный слой на основе материала III-V групп, слой канала устройства на основе материала III-V групп наносят на второй буферный слой на основе материала III-V групп.
Изобретение относится к электротехнике, в частности к катушкам индуктивности, используемым при создании различных электронных схем. .
Транзистор и способ его изготовления // 2364008
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для изготовления сверхмощных и высокоточных транзисторов. .
Изобретение относится к запоминающим устройствам высокой степени интеграции и способу их изготовления. .
Изобретение относится к силовой полупроводниковой технике. .
Полупроводниковая кремниевая структура // 2110117
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к технологии изготовления эпитаксиальных структур для производства полупроводниковых приборов. .
Структура на арсениде галлия // 2025832
Полевой транзистор шоттки // 2025831
Полупроводниковый ограничительный диод // 2003208
Изобретение относится к твердотельным приборам СВЧ и КВЧ диапазонов, предназначенным для защиты входных цепей чувствительных радиоэлектронных приемных устройств. .
Полупроводниковая структура и способ управления проводимостью полупроводниковой структуры // 1739402
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в полупроводниковых датчиках различных физических величин и других полупроводниковых приборах с частотно-импульсным выходным сигналом.
Полупроводниковый прибор // 1414238
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, а именно к конструированию полупроводниковых приборов. .
Полупроводниковый переключающий элемент // 1140190
Диод // 552865
Полупроводниковый индуктивный элемент // 339248
Полупроводниковый генератор // 281651
Силовой диффузионный лавинный вентиль // 213195
Полупроводниковый прибор // 213194
Полупроводниковый германиевый прибор // 152031
Полупроводниковый диод // 150938
