Содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, только неорганические полупроводниковые материалы, не предусмотренные в H01L29/16,H01L29/18,H01L29/20, H01L29/22 (H01L29/24)
H Электричество(232322)
Изобретение относится к оксиду р-типа, оксидной композиции р-типа, способу получения оксида р-типа, полупроводниковому прибору, аппаратуре воспроизведения изображения и системе. Оксид р-типа является аморфным соединением и представлен следующей композиционной формулой: xAO∙yCu2O, где x обозначает долю молей AO и y обозначает долю молей Cu2O, x и y удовлетворяют следующим условиям: 0≤x<100 и x+y=100 и А является любым одним из Mg, Са, Sr и Ва или смесью, содержащей, по меньшей мере, два элемента, выбранные из группы, состоящей из Mg, Са, Sr и Ва.
Микроэлектронный датчик // 1544120
Изобретение относится к измерительной технике, в частности к конструкциям тензодатчиков. .
Изобретение относится к области полупроводниковой электронной техники и может быть использовано при репрограммировании матриц памяти на основе некристаллических элементов памяти . .
