Содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, элементы, предусмотренные в H01L29/16,H01L29/18,H01L29/20,H01L29/22 и H01L29/24 (H01L29/26)

H01L29/26              Содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, элементы, предусмотренные в H01L29/16,H01L29/18,H01L29/20,H01L29/22 и H01L29/24(2)

Керамический полупроводник, способный повышать плотность окружающих супероксидных ионов после нагревания // 2586408
Использование: для повышения плотности окружающих супероксидных ионов после нагревания. Сущность изобретения заключается в том, что при формировании керамического полупроводника его легируют оксидным материалом, способным усиливать эффект пространственного заряда, причем этот керамический полупроводник имеет, по меньшей мере, одно сквозное отверстие, такое, что после того, как керамический полупроводник становится электропроводным, в нем вырабатываются электрический ток и тепло, а электроны внешней оболочки этого керамического полупроводника отделяются от нее и остаются в сквозных отверстиях керамического полупроводника, накапливаясь в этих сквозных отверстиях с образованием электронного облака; и после того, как через сквозные отверстия проходит воздух, кислород из воздуха взаимодействует с электроном и затем они комбинируются с образованием супероксидного иона, такого, что керамический полупроводник может разряжать этот супероксидный ион.

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2031483
Изобретение относится к электронной технике, а более конкретно к способам создания полевых транзисторов, и может быть использовано для создания как дискретных приборов, так и интегральных схем. .
 
.
Наверх