Приборы типа транзисторов, т.е. способные непрерывно реагировать на приложенные управляющие сигналы (H01L29/72)
H Электричество(232322)
H01L29/72 Приборы типа транзисторов, т.е. способные непрерывно реагировать на приложенные управляющие сигналы(62)
Кс-транзистор // 2780958
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено для создания мощных, сверхмощных и высоковольтных высокочастотных КС-транзисторов (КС-транзистор - транзистор с каскадным суммированием мощностей).
Изобретение относится к области медицины и электротехники и может быть использовано, в частности, в офтальмологическом линзовом устройстве, в котором аккумуляторный элемент питания соответствует внутреннему доступному объему слоистой аккумуляторной структуры.
Свч-транзистор // 2518498
Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для усиления СВЧ-электромагнитных колебаний. СВЧ-транзистор содержит базовую подложку из кремния, теплопроводящий поликристаллический слой алмаза, гетероэпитаксиальную структуру, буферный слой, исток, затвор, сток и омические контакты.
Биполярный транзистор свч // 2517788
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники. Биполярный транзистор СВЧ на основе гетероэпитаксиальных структур включает последовательно размещенные на подложке из монокристаллического кремния р-типа проводимости буферный слой из A1N, слой из поликристаллического алмаза, имеющий толщину, по меньшей мере, равную 0,1 мкм, нелегированный буферный слой из GaN, субколлекторный слой из GaN n+типа проводимости, коллектор из GaN n-типа проводимости, базу из твердого раствора AlуGa1-уN, промежуточный слой из AlуGa1-уN р+типа проводимости, эмиттер, включающий AlxGa1-xN n-типа проводимости, контактные слои, омические контакты и слои изолирующего диэлектрического покрытия из поликристаллического алмаза.
Светотранзистор с высоким быстродействием // 2507632
Изобретение относится к электронным компонентам микросхем. Светотранзистор с высоким быстродействием, выполненный в виде биполярного транзистора с p-n-p или n-p-n-структурой, согласно изобретению в нем p-n-переход, на котором электроны переходят из p зоны в n зону, сформирован в виде светоизлучающего, а n-p-переход, на котором электроны переходят из n зоны в p зону - в виде фотопоглощающего, при этом они образуют интегральную оптопару внутри самого транзистора.
Изобретение относится к микроэлектронике. .
Полупроводниковая структура инвертора // 2444090
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании интегральных схем с элементами нанометровых размеров. .
Изобретение относится к технологии микроэлектроники. .
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и позволяет увеличить коэффициент усиления по мощности мощной высокочастотной транзисторной структуры (ТС), в соединении эмиттерных областей (ЭО) которой с конденсатором входной согласующей цепи, сформированным на поверхности той же полупроводниковой подложки, реализованы различные стабилизирующие сопротивления (СС).
Мощный вч и свч транзистор // 2403650
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и позволяет увеличить коэффициент усиления по мощности ВЧ и СВЧ транзистора, в котором на противоположных сторонах одной из обкладок конденсатора внутреннего входного согласующего LC-звена располагаются контакты проводников (КП), соединяющих обкладку с эмиттерным выводом корпуса, и КП, соединяющих ее с эмиттерными областями транзисторных ячеек (ТЯ), причем некоторые из последних КП располагаются на металлизированных полосках (МП), ограниченных краем обкладки и перпендикулярными ему выемками.
Мощный вч и свч широкополосный транзистор // 2402836
Изобретение относится к полупроводниковой электронике. .
Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре и в микроэлектромеханических системах.
Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре и в микроэлектромеханических системах.
Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре, и в микроэлектромеханических системах.
Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре и в микроэлектромеханических системах.
Мощный вч- и свч-транзистор // 2328058
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено в конструкциях мощных ВЧ- и СВЧ-полупроводниковых приборов. .
Мощный вч- и свч-балансный транзистор // 2328057
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в конструкциях мощных ВЧ- и СВЧ-полупроводниковых приборов. .
Мощный биполярный свч-транзистор (варианты) // 2308120
Изобретение относится к области конструирования и производства мощных СВЧ-транзисторов. .
Изобретение относится к цифровой технике и может быть использовано в качестве запоминающего устройства. .
Мощный свч-транзистор // 2253924
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть применено в конструкциях мощных СВЧ полупроводниковых приборов. .
Мощная свч транзисторная структура // 2253923
Мощный биполярный свч-транзистор // 2251175
Изобретение относится к области конструирования и производства мощных СВЧ-транзисторов. .
Изобретение относится к области полупроводниковых приборов. .
Мощная свч-транзисторная структура // 2229184
Мощный биполярный вч- и свч-транзистор // 2229183
Изобретение относится к области полупроводникового приборостроения. .
Мощный широкополосный вч и свч транзистор // 2192692
Изобретение относится к полупроводниковой электронике. .
Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, в частности к мощным высоковольтным транзисторам. .
Биполярный транзистор // 2173916
Изобретение относится к области электронной техники, в частности к конструированию и технологии изготовления биполярных полупроводниковых транзисторов, и может быть использовано в электронной промышленности в схемах усиления, генерации, преобразования электромагнитных колебаний и других.
Биполярный транзистор // 2166220
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и наноэлектронике и может быть использовано при создании интегральных схем с элементами субмикронных и нанометровых размеров, особенно в тех случаях, когда требуется обеспечить высокую плотность размещения элементов в сочетании с высокой плотностью их выходного тока при низких напряжениях питания.
Транзистор // 2143157
Изобретение относится к области полупроводниковой техники и микроэлектроники, а именно к биполярным транзисторам. .
Мощный биполярный транзистор // 2127469
Транзистор // 2119696
Изобретение относится к области полупроводниковой техники и микроэлектроники, а именно к биполярным транзисторам. .
Биполярный транзистор интегральной схемы // 2108640
Биполярный транзистор // 2084047
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к интегральным схемам /ИС/ большой степени интеграции. .
Мощный биполярный транзистор // 2056674
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к биполярным транзисторам с увеличенной областью безопасной работы. .
Мощный свч-транзистор (варианты) // 2054755
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к конструированию и производству мощных транзисторов. .
Мощный свч-транзистор // 2054754
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к конструированию и производству мощных СВЧ-транзисторов. .
Транзистор с защитой от перенапряжений // 2037237
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к мощным высоковольтным транзисторам. .
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к мощным высоковольтным транзисторам, работающим на индуктивную нагрузку. .
Высоковольтный планарный p -n-переход // 2019894
Изобретение относится к изготовлению полупроводниковых приборов, в частности высоковольтных диодов, транзисторов, тиристоров. .
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов в частности к изготовлению широкополосных мощных СВЧ-транзисторных микросборок с внутренними согласующими LC-цепями. .
Мощный биполярный транзистор // 2012101
Полупроводниковый генератор // 2006102
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в технике связи, локации, медицинской технике в качестве генератора, усилителя, фотоприемника. .
Интегральный биполярный транзистор // 1831966
Изобретение относится к конструкции полупроводниковых приборов, а именно, к конструкции биполярных транзисторов и может быть использовано при проектировании аналоговых и аналого-цифровых базовых матричных кристаллов (БМК).
Изобретение относится к полупроводниковому производству, а именно к конструкции мощного биполярного транзистора с защитой от перенапряжения, например, предназначенного для коммутации индуктивной нагрузки.
Изобретение относится к полупроводниковому производству, а именно к конструкции мощного биполярного транзистора с защитой от перенапряжения, например, предназначенного для коммутации индуктивной нагрузки.
Мощный биполярный транзистор // 1827150
Изобретение относится к области полупроводникового производства, а именно к конструкции мощного биполярного транзистора с повышенной устойчивостью к вторичному пробою. .
