Биполярные плоскостные транзисторы (H01L29/73)

H01L29/73              Биполярные плоскостные транзисторы(40)

Наноразмерный сенсор электрического потенциала на полевом эффекте // 2790004
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к полупроводниковым сенсорам электрического потенциала, позволяющим проводить измерения с высоким пространственным разрешением на поверхности твердых тел и жидкостей, а также в объеме жидкостей, в том числе содержащихся внутри живых организмов и других биологических структур.

Латеральный биполярный транзистор на структурах "кремний на изоляторе" и способ его изготовления // 2767597
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при создании радиационно-стойких микросхем радиочастотного диапазона длин волн. Способ изготовления латерального биполярного транзистора на структурах «кремний на изоляторе» согласно изобретению включает формирование размещенных в эпитаксиальном слое кремния областей эмиттера, базы и коллектора, ограниченных по краям боковой диэлектрической изоляцией и двуокиси кремния, с электрической разводкой по металлу с подслоем силицида титана и пассивирующим слоем диэлектрика, при этом легирование области активной базы n-р-n биполярного транзистора выполняют двойной имплантацией ионов бора и BF2+, легирование области n+ коллектора двойной имплантацией ионов фосфора, областей n+ эмиттера и коллектора двойной имплантацией ионов фосфора с большей дозой легирования, легирование области пассивной базы имплантацией ионов бора, через буферные слои двуокиси кремния, с последующим быстрым термическим отжигом радиационных дефектов, при режиме имплантации ионов бора, BF2+ и фосфора выбирают исходя из требования получения после термической активации примеси близкое к равномерному распределение примеси на всю глубину эпитаксиального слоя до границы раздела с «захороненным» диэлектриком в областях эмиттера, базы и коллектора, при этом p-n-р латеральные биполярные транзисторы изготавливают по аналогичной технологии со сменой типа примеси для областей эмиттера, базы и коллектора.

Способ изготовления составной подложки из sic // 2728484
Изобретение относится к технологии получения составной подложки из SiC с монокристаллическим слоем SiC на поликристаллической подложке из SiC, которая может быть использована при изготовлении мощных полупроводниковых приборов: диодов с барьером Шоттки, pn-диодов, pin-диодов, полевых транзисторов и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), используемых для регулирования питания при высоких температурах, частотах и уровнях мощности, и при выращивании нитрида галлия, алмаза и наноуглеродных тонких пленок.

Пленочный полевой транзистор с металлическим каналом // 2654296
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при разработке и изготовлении приборов на основе транзисторов с металлическим каналом. Пленочный полевой транзистор с металлическим каналом, который содержит сформированные на изолирующей подложке электроды истока и стока, между которыми расположен электрод затвора, покрытый изолятором затвора, а на изоляторе затвора и на электродах истока и стока, образуя с ними омические контакты, расположен слой металлического канала, у которого удельное сопротивление ρ металлического канала составляет 0,1-10 Ом⋅м, толщину L металлического канала выбирают в диапазоне толщин 30-150 нм по определенному условию.

Мощный свч-транзистор // 2615313
Использование: для создания мощного СВЧ-транзистора. Сущность изобретения заключается в том, что мощный СВЧ-транзистор включает керамический корпус с металлическим фланцем и двумя полосковыми выводами на бортиках керамической структуры, один или несколько параллельно включенных транзисторных кристаллов, кристаллы конденсаторов внутренних согласующих цепей, несколько рядов соединительных проволочных проводников, соединяющих контактные площадки на кристаллах транзистора и кристаллах конденсаторов между собой и с входными и выходными выводами транзистора, при том, что фланец выполняет функцию общего электрода транзистора, а между каждым из пары в ряду основных соединительных проводников размещены экранирующие проводники, при этом внутри керамической структуры корпуса размещена металлическая рамка с вертикальными стенками, снизу соединенная с фланцем корпуса, а сверху имеющая уровень несколько ниже уровня выводов транзистора для присоединения верхних концов упомянутых экранирующих проводников, нижние концы экранирующих проводников присоединены непосредственно к фланцу корпуса вблизи кристалла транзистора.

Интегральная схема силового биполярно-полевого транзистора // 2585880
Изобретение относится к силовым полупроводниковым приборам и биполярным интегральным схемам. Изобретение обеспечивает повышение быстродействия, уменьшение энергетических потерь при переключении, упрощение технологии изготовления.
Полупроводниковая транзисторная наногетероструктура на подложке gaas с модифицированным стоп-слоем alxga1-xas // 2582440
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления монолитных интегральных схем, оперирующих в сантиметровом и миллиметровом диапазоне длин волн. Согласно изобретению предложена полупроводниковая транзисторная гетероструктура на подложке GaAs с модифицированным стоп-слоем AlxGa1-xAs.

Биполярный транзистор с изолированным затвором (igbt) и способ его изготовления // 2571175
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) включает эмиттерную область, верхнюю область подложки, которая формируется ниже эмиттерной области, плавающую область, которая формируется ниже верхней области подложки, нижнюю область подложки, которая формируется ниже плавающей области, канал, изолирующую пленку затвора, которая покрывает внутреннюю поверхность канала, и электрод затвора, который расположен внутри канала.

Биполярный транзистор // 2512742
Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Биполярный транзистор, изготовленный на основе гетероэпитаксиальных структур, включает сапфировую подложку, на которой последовательно размещены буферный слой из нелегированного GaN, субколлекторный слой из сильнолегированного GaN n+-типа проводимости, коллектор из GaN n-типа проводимости, база, содержащая два слоя из твердого раствора InxGa1-xN р+-типа проводимости, эмиттер, содержащий два слоя из AlyGa1-yN n-типа проводимости, контактные слои и омические контакты.

Биполярный транзистор на основе гетероэпитаксиальных структур и способ его изготовления // 2507633
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники. Биполярный транзистор, выполненный на основе гетероэпитаксиальных структур SiGe, включает подложку из высокоомного кремния с кристаллографической ориентацией (111), буферный слой из нелегированного кремния, субколлекторный слой из сильнолегированного кремния n-типа проводимости, поверх которого сформирован коллектор из кремния n-типа проводимости, тонкая база из SiGe р-типа проводимости, эмиттер из кремния n-типа проводимости, контактные слои на основе кремния n-типа проводимости и омические контакты.

Сверхвысокочастотный биполярный p-n-p транзистор // 2485625
Изобретение относится к конструированию высоковольтных сверхвысокочастотных биполярных транзисторов. .

Полупроводниковая наногетероструктура inalas/ingaas с метаморфным буфером // 2474924
Изобретение относится к полупроводниковым наногетероструктурам, используемым для изготовления СВЧ транзисторов и монолитных интегральных схем с высокой рабочей частотой и большими пробивными напряжениями.

Полупроводниковая метаморфная наногетероструктура inalas/ingaas // 2474923
Изобретение относится к полупроводниковым метаморфным наногетероструктурам, используемым для изготовления СВЧ-транзисторов и монолитных интегральных схем с высокой рабочей частотой и большими пробивными напряжениями.

Полупроводниковый прибор с изолированным затвором // 2407107
Изобретение относится к силовым полупроводниковым приборам. .

Структура биполярного транзистора с эмиттером субмикронных размеров и способ ее изготовления // 2279733
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к области создания интегральных схем (ИС) с использованием биполярных транзисторов. .

Биполярный транзистор с изолированным электродом затвора // 2246778
Изобретение относится к области полупроводниковой технологии. .

Мощный свч-транзистор // 2226307
Изобретение относится к конструированию и производству мощных СВЧ-транзисторов. .

Мощный свч-транзистор // 2089014
Изобретение относится к области конструирования и производства мощных СВЧ транзисторов. .

Мощный биполярный транзистор // 2065643
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к конструкции мощных биполярных транзисторов с увеличенной областью безопасной работы. .

Мощный свч-транзистор (варианты) // 2054756
Изобретение относится к полупроводниковой электронике. .

Полупроводниковый прибор // 2045111
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при создании запираемых и комбинированно-выключаемых тиристоров, а также биполярных транзисторов. .

Высоковольтный транзистор // 1780472
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к высоковольтным транзисторам. .

Мощная вч и свч транзисторная структура // 1766220
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к конструкции мощных СВЧ-полупроводниковых приборов. .

Входной элемент планарно-эпитаксиальной интегральной схемы // 1759197
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, в частности к полупроводниковым структурам, выполненным по планарно-эпитаксиальной технологии, и может быть использовано при изготовлении биполярных полупроводниковых приборов и интегральных схем.

Способ выключения транзисторов // 1702457
Изобретение относится к радиотехнике и преобразовательной технике и мохет быть использовано для управления ключевым режимом биполярных фанзисторор. .

Биполярный транзистор // 1582926
Изобретение относится к полупроводниковой технике. .

Резонансно-туннельный транзистор // 1568825
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в вычислительной технике и технике СВЧ. .

Мощный высокочастотный транзистор // 1424656
Изобретение относится к области полупроводников электроники и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов, в мощных ВЧ- и СВЧ-транзисторах и др. .

Мощный биполярный генераторный свч-транзистор // 1417721
Изобретение относится к элекг роииой технике, в частности к конструкции мосщых биполярных генератор иых СВЧ-траняисторов, Целью иэобрете ния является увеличение выходной мост ности путем обеспечения равномерного распределения выходной мощности между кристаллами.

Мощный планарный транзистор // 1409076
Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов, в частности к изготовлению мощных планарных транзисторов, работающих в ВЧ- и СВЧ-диапазонах. .

Мощный планарный транзистор // 1393264
Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов, в частности к изготовлению мощных планарных транзисторов, работающих в ВЧ- и СВЧ-диапазонах. .

Биполярный мощный транзистор // 1389610
Изобретение относится к полупроводниковой электронике. .

Мощный свч-транзистор // 1347825
Изобретение относится к конструкциям мощных СВЧ-транзисторов. .

Биполярный планарный мощный свч-транзистор // 1256616
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и направлено на создание мощных СВЧ-транзисторов. .

Биполярный транзистор // 1091783
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при создании биполярных транзисторов. .

Биполярный транзистор // 1005607
Изобретение относится к электронной технике, в частности к полупроводниковым приборам, имеющим, по крайней мере, два p-n-перехода. .
 
.
Наверх