Приборы типа тиристоров с четырехзонной регенерацией (H01L29/74)
H01L29/74 Приборы типа тиристоров с четырехзонной регенерацией(83)
В современных видах применения передачи энергии и электрических приводах большой мощности также требуются закорачиваемые индивидуальные последовательно соединенные субмодули в случаях повреждения, для того чтобы обеспечивать дальнейшее функционирование систем.
Изобретение относится к высоковольтным твердотельным коммутаторам, используемым в ускорительной и лазерной технике, радиолокации, электрооборудовании управляемого термоядерного синтеза, электроразрядных, электромагнитных и пучковых технологиях.
Изобретение относится к мощным импульсным полупроводниковым приборам, предназначенным для высоковольтных твердотельных коммутаторов, используемых в ускорительной и лазерной технике, радиолокации, электрооборудовании управляемого термоядерного синтеза, электроразрядных, электромагнитных и пучковых технологиях.
Предложенное изобретение относится к силовым полупроводниковым приборам, в частности к таблеточным тиристорам с прижимным управляющим выводом. Тиристор содержит выпрямительный элемент с центральным управляющим электродом, помещенный в герметичный корпус, имеющий первое основание в качестве анода, второе основание в качестве катода, кольцеобразный изолятор, металлический диск с центральным сквозным отверстием, втулку, подвижный плунжер из изоляционного материала, пружину сжатия и управляющий вывод из гибкого провода с контактным элементом на одном конце.
Изобретение относится к тиристору, содержащему полупроводниковое тело, в котором расположены последовательно p-легированный эмиттер, n-легированная база, p-легированная база и n-легированный эмиттер. В тиристоре предусмотрена зажигающая ступенчатая структура, содержащая по меньшей мере одну зажигающую ступень, каждая из которых содержит расположенный на расстоянии от n-легированного эмиттера n-легированный зажигающий ступенчатый эмиттер, который заделан в p-легированную базу.
Изобретение относится к технологии регулирования напряжения переключения силового полупроводникового прибора, а именно к технологии изготовления динистора и тиристора, в т.ч. .
Изобретение относится к силовым полупроводниковым приборам, а именно к силовым тиристорам, управляемым током. .
Изобретение относится к конструированию высоковольтных высокотемпературных сильноточных тиристоров. .
Изобретение относится к области электроники. .
Изобретение относится к силовому полупроводниковому приборостроению и может использоваться при создании мощных полностью управляемых гибридных ключей. .
Изобретение относится к конструкции силового полупроводникового прибора. .
Изобретение относится к преобразовательной технике и может быть использовано в электротехнической промышленности, электроэнергетике, мощном радиостроении и электроприводе. .
Изобретение относится к области мощных полупроводниковых приборов. .
Изобретение относится к силовым полупроводниковым приборам, а именно к конструкции силовых тиристоров. .
Изобретение относится к силовым полупроводниковым приборам, а именно к конструкции силовых диодов, динисторов и тиристоров, в том числе симметричных. .
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым биполярным приборам, предназначенным для выпрямления, усиления, переключения или генерирования электрических сигналов и имеющим структуру типа тиристора.
Изобретение относится к конструкции полупроводниковых приборов с самозащитой от пробоя в период восстановления запирающих свойств, а именно к конструкции тиристоров, в том числе фототиристоров. .
Изобретение относится к конструкции полупроводниковых приборов с самозащитой от пробоя при перенапряжениях в закрытом состоянии, а именно к конструкции динисторов и тиристоров, в том числе симметричных.
Изобретение относится к области мощных полупроводниковых приборов и может быть использовано при конструировании тиристоров с пониженной амплитудой тока обратного восстановления и увеличенным коэффициентом формы тока обратного восстановления.
Изобретение относится к области силовой полупроводниковой технологии. .
Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники. .
Изобретение относится к области полупроводникового приборостроения. .
Изобретение относится к области силовых полупроводниковых элементов. .
Изобретение относится к области электронной техники, в частности к конструированию и технологии изготовления полупроводниковых кремниевых управляемых тиристоров многослойной структуры с тремя электродами, и может быть использовано в электронной промышленности.
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а именно к симметричным тиристорам, представляющим собой интегральный прибор, состоящий из двух встречно-параллельно включенных тиристоров с общим управляющим электродом, и может быть использовано при создании новых типов симметричных тиристоров.
Изобретение относится к конструкции интегрального силового полупроводникового прибора - тиристора, проводящего в обратном направлении. .
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники, в частности к конструкции полупроводникового переключающего прибора тиристора. .
Изобретение относится к дискретным полупроводниковым приборам, в частности к тиристорам и симисторам (триакам), и может быть использовано при разработке полупроводниковых ключевых приборов, обладающих способностью блокировать электрический ток в прямом и обратном направлениях.
Изобретение относится к дискретным полупроводниковым приборам, в частности к фотосимисторам, и может быть использовано в качестве переключателя переменного тока, управляемого светом. .
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано в интегральной схемотехнике для создания структур диодных тиристоров с высоким быстродействием в широком диапазоне напряжений и температур.
Изобретение относится к области дискретных полупроводниковых приборов, в частности к тиристорам и симисторам, и может быть использовано при разработке полупроводниковых ключевых приборов, обладающих способностью блокировать электрический ток в прямом и обратном направлениях.
Изобретение относится к сильноточной полупроводниковой электронике и может быть использовано в реверсивно-управляемых приборах транзисторного и тиристорного типа для уменьшения мощности цепи накачки при коммутации больших токов.
Изобретение относится к области силового полупроводникового приборостроения, а именно к конструкции тиристора. .
Изобретение относится к силовым полупроводниковым приборам, к силовым запираемым тиристорам. .
Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению. .
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в качестве более эффективного способа управления полупроводниковыми приборами, например тиристорами. .
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, ,в частности, к высоковольтным тиристорам. .
Изобретение относится к области конструирования полупроводниковых приборов, более конкретно к симметричным тиристорам. .