Полевые транзисторы (H01L29/772)
H Электричество(232322)
H01L29/772 Полевые транзисторы(21)
Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Способ изготовления мощного полевого транзистора СВЧ на полупроводниковой гетероструктуре на основе нитрида галлия согласно изобретению включает формирование на лицевой поверхности подложки полупроводниковой гетероструктуры на основе нитрида галлия в виде последовательности слоев, формирование заданной топологии элементов активной области полевого транзистора на слоях полупроводниковой гетероструктуры, предусматривающей формирование канала в виде двумерного электронного газа вблизи гетерограницы слоев узкозонного и широкозонного материалов полупроводниковой гетероструктуры, омических контактов электродов истока и стока, щели под электрод затвора, самого электрода затвора типа барьера Шоттки, формирование пассивирующего покрытия из диэлектрического материала, при этом формирование полупроводниковой гетероструктуры на подложке и последовательности технологических операций технологического процесса изготовления в целом осуществляют в два этапа, на первом этапе осуществляют формирование прямой последовательности слоев полупроводниковой гетероструктуры – буферного слоя GaN толщиной (2,0-3,0)×10-6 м, слоя AlN толщиной (0,5-0,7)×10-9 м, барьерного слоя AlxGa1-xN, где х равно 0,24-0,26, толщиной менее 25,0×10-9 м, дополнительного пассивирующего покрытия Si3N4 на лицевой поверхности барьерного слоя AlxGa1-xN толщиной (5,0-10,0)×10-9 м, при этом вышеупомянутые слои формируют в едином технологическом процессе, формирование топологии элементов активной области полевого транзистора на лицевой поверхности барьерного слоя AlxGa1-xN, при одновременном определении расположения активной области щели под электрод затвора, посредством метода реактивного ионного травления в индуктивно-связанной плазме смеси газов – Cl2 и BCl3, при их соотношении 1:9 соответственно, давлении 3,1-3,3 Па, на втором этапе осуществляют формирование контактного слоя полупроводниковой гетероструктуры, в виде GaN, в области расположения электродов истока и стока соответственно на глубине, равной сумме толщин упомянутых слоев полупроводниковой гетероструктуры, сформированных на первом этапе, от лицевой поверхности барьерного слоя AlxGa1-xN и до (1,9-2,9)×10-6 м от обратной поверхности буферного слоя GaN, при одновременном легировании контактного слоя GaN донорной примесью кремния Si с концентрацией легирующей примеси 1019-1020 см-3, формирование меза-изоляции активной области полевого транзистора посредством метода реактивного ионного травления в индуктивно-связанной плазме смеси газов – Cl2 и BCl3, при их соотношении 1:9 соответственно, давлении 3,1-3,3 Па, омических контактов электродов истока и стока на лицевой поверхности упомянутого контактного слоя в виде GaN, щели под электрод затвора согласно иной топологии элементов активной области полевого транзистора и самого электрода затвора, пассивирующего покрытия одновременно на всей лицевой поверхности активной области полевого транзистора толщиной (50-100)×10-9 м, с обеспечением защиты электродов истока, стока, канала и электрода затвора.
Мощный полевой транзистор свч на полупроводниковой гетероструктуре на основе нитрида галлия // 2782307
Изобретение относится к полупровдниковой электронике на основе нитрида галлия, в котором полупроводниковая гетероструктура выполнена в виде следующей прямой последовательности упомянутых слоев узкозонного и широкозонного материалов полупроводниковой гетероструктуры: буферный слой GaN толщиной 1,0-3,0 мкм, при этом непосредственно на упомянутой подложке слой AlN толщиной 0,5-0,7 нм, барьерный слой AlGaN толщиной менее 25 нм, часть полупроводниковой гетероструктуры вне области расположения электрода затвора на глубину от верхней, наружной, поверхности барьерного слоя и до 0,9-2,9 мкм от нижней его поверхности легирована донорной примесью с концентрацией легирующей примеси 1018-1019 см-3, при этом электроды истока и стока выполнены на верхней, наружной, поверхности упомянутых областей полупроводниковой гетероструктуры, легированных донорной примесью, соответственно электрод затвора выполнен на верхней, наружной, поверхности барьерного слоя либо заглублен в упомянутый слой на заданную глубину, при этом электрод затвора выполнен заданной длины, ширины и геометрической формы.
Мощный свч транзистор // 2763387
Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике, в частности к конструкции мощных сверхвысокочастотных (СВЧ) транзисторов, и может быть использовано для создания на их основе приемо-передающей радиоэлектронной аппаратуры.
Изобретение относится к детекторам излучения, полевым транзисторам, туннельным усилителям с потоком горячих электронов, МДМДМ туннельным структурам для приема излучения миллиметровых и субмиллиметровых волн.
Изобретение относится к технологии получения составной подложки из SiC с монокристаллическим слоем SiC на поликристаллической подложке из SiC, которая может быть использована при изготовлении мощных полупроводниковых приборов: диодов с барьером Шоттки, pn-диодов, pin-диодов, полевых транзисторов и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), используемых для регулирования питания при высоких температурах, частотах и уровнях мощности, и при выращивании нитрида галлия, алмаза и наноуглеродных тонких пленок.
Гетероэпитаксиальная структура относится к полупроводниковым приборам. На подложке выполнены слои, в составе которых сформирован канальный слой узкозонного полупроводника.
Изобретение относится к области радиотехники и электроники. В гетероструктурном полевом транзисторе на основе нитрида галлия с улучшенной стабильностью вольт-амперной характеристики, включающем подложку из карбида кремния, канальный слой, буферный слой, барьерный слой на основе AlGaN, слой пассивации на основе нитрида кремния, электроды стока, затвора, истока, буферный слой выполнен на основе нитрида галлия, после процедуры снижения толщины подложки до 100 мкм нанесен слой с высокой теплопроводностью, модулированный по глубине подложки в районе расположения затвора.
Изобретение относится к области радиотехники и электроники. В гетероструктурном полевом транзисторе на основе нитрида галлия с улучшенной стабильностью вольт-амперной характеристики, включающем подложку из карбида кремния, зародышевый слой, буферный слой, барьерный слой на основе AlGaN, слой пассивации на основе нитрида кремния, электроды стока, затвора, истока, зародышевый слой выполнен на основе AlN, буферный слой выполнен на основе нитрида галлия, в барьерный слой на расстоянии 5-10 нм от канала транзистора вводится дополнительный слой AlGaN с дельта-легированием, толщиной 5 нм, со стороны буферного слоя, на расстоянии 10-15 нм от канала транзистора, вводится дополнительный слой GaN с легированием по всей глубине слоя.
Однотранзисторный логический вентиль и с архитектурой без перекрытия областей затвор-сток/исток // 2629698
Изобретение относится к микро- и наноэлектронике, а именно к полупроводниковым прибором, в частности к конструкции логического вентиля, реализующего операцию конъюнкции, и может быть использовано при создании цифровых интегральных схем с элементами субмикронных и нанометровых размеров.
Полупроводниковая гетероструктура // 2563544
Изобретение относится к электронной технике. Полупроводниковая гетероструктура для мощного полевого транзистора СВЧ содержит на монокристаллической полуизолирующей подложке арсенида галлия последовательность полупроводниковых слоев каждый с заданными функциональными свойствами и техническими характеристиками - толщиной слоев, составом - качественным и количественным, концентрацией легирующей примеси.
Изобретение относится к электронной технике. Модулированно-легированный полевой транзистор содержит фланец, пьедестал, гетероэпитаксиальную структуру, буферный слой, исток, затвор, сток и омические контакты.
Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой зонд на основе полевого транзистора с наноразмерным каналом и может быть использовано при определении физико-химических и электрических параметров наноразмерных объектов физической, химической и биологической природы.
Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для усиления СВЧ-электромагнитных колебаний. Гетероструктурный модулировано-легированный полевой транзистор содержит фланец, пьедестал, гетероэпитаксиальную структуру, буферный слой, исток, затвор, сток и омические контакты.
Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для усиления СВЧ-электромагнитных колебаний. Гетероструктурный модулировано-легированный полевой транзистор содержит фланец, пьедестал, гетероэпитаксиальную структуру, буферный слой, исток, затвор, сток и омические контакты.
Изобретение относится к нитрид-галлиевым транзисторам с высокой подвижностью электронов (GaN HEMT) и в частности к конструкции GaN НЕМТ для высоковольтных применений. Нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов выращивается на кремниевой подложке с нанесенной на нее темплейтной структурой толщиной 700-800 нм, состоящей из чередующихся слоев GaN/AlN толщиной не более 10 нм, между буферным и барьерным слоями внедряется спейсерный слой AlN толщиной не более 1 нм, на пассивационный слой наносится полевая пластина, электрически соединенная с затвором, расстояние между затвором и стоком и длина полевой пластины - взаимосвязанные величины и подбираются исходя из требуемого значения напряжения пробоя.
Изобретение относится к способу получения циклопропановых производных фуллеренов общей формулы 2 путем нагревания немодифицированного фуллерена с тозилгидразоном в присутствии растворителя и основания.
Мощный транзистор свч // 2519055
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в качестве активных элементов СВЧ-устройств различного назначения. Мощный транзистор СВЧ содержит базовую подложку из кремния, теплопроводящий поликристаллический слой алмаза, эпитаксиальную структуру на основе широкозонных III-нитридов, буферный слой, исток, затвор, сток и омические контакты.
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в качестве активных элементов СВЧ-устройств различного назначения. Мощный транзистор СВЧ с многослойной эпитаксиальной структурой содержит базовую подложку из кремния, теплопроводящий поликристаллический слой алмаза, эпитаксиальную структуру на основе широкозонных III-нитридов, буферный слой, исток, затвор, сток и омические контакты.
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники. В предлагаемом приборе объединены три полевых транзистора в единую вертикальную структуру с каналами n- и p-типами проводимости, между которыми образуется электрический переход, при этом исток p-канала расположен напротив стока n-канала, а сток p-канала - напротив истока n-канала.
Изобретение относится к области полупроводниковой техники. Полупроводниковый прибор включает утоненную подложку из монокристаллического кремния р-типа проводимости, ориентированного по плоскости (111), с выполненным на ней буферным слоем из AlN, поверх которого выполнена теплопроводящая подложка в виде осажденного слоя поликристаллического алмаза толщиной, равной по меньшей мере 0,1 мм, на другой стороне подложки выполнена эпитаксиальная структура полупроводникового прибора на основе широкозонных III-нитридов, исток из AlGaN, затвор, сток из AlGaN, омические контакты к истоку и стоку, припой в виде слоя, включающего AuSn, медный пьедестал и фланец.
Вертикальный полевой транзистор // 2402105
Изобретение относится к области твердотельной электроники и может использоваться при создании устройств, предназначенных для усиления, генерирования и преобразования ВЧ- и СВЧ-колебаний. .
Изобретение относится к силовым вертикальным транзисторам, содержащим МОП-структуру, изготавливаемую с применением двойной диффузии, имеющим электроды истока (эмиттера) и затвора на одной поверхности подложки, а электрод стока (коллектора) - на противоположной поверхности подложки.
Изобретение относится к гетероструктурам полупроводниковых приборов, главным образом полевых транзисторов. .
Полевой транзистор // 2222845
Изобретение относится к полупроводниковым приборам и может быть использовано в радиотехнических, СВЧ-устройствах и т.д. .
Полевой транзистор // 2189665
Полевой транзистор на гетероструктуре // 2093924
Изобретение относится к электронной технике, а именно к полевым транзисторам на гетероструктурах с селективным легированием (ПТ ГСЛ). .
Мдп-транзистор // 1809707
Изобретение относится к электронной технике, преимущественно к производству МДП СБИС. .
Мдп-транзистор // 1774795
Изобретение относится к аналоговой технике и может быть использовано в МДП-усилительных и коммутационных устройствах, предназначенных для функционирования при криогенных температурах. .
Полевой транзистор // 1031379
Изобретение относится к электронной технике, в частности к конструкции полевых транзисторов. .
Пленочный полевой триод // 243738
