С каналом с кристаллическим газ-носителем при подаче на затвор напряжения одной полярности, например квантуемый по проводам полевой транзистор (H01L29/775)
H Электричество(232322)
H01L29/775 С каналом с кристаллическим газ-носителем при подаче на затвор напряжения одной полярности, например квантуемый по проводам полевой транзистор(2)
Изобретение относится к наноразмерным полупроводниковым структурам, содержащим систему квазиодномерных проводящих каналов, используемых для изготовления приборов наноэлектроники и нанофотоники. Техническим результатом является увеличение концентрации электронов в активной области наноструктуры.
