С затвором типа барьера шотки (H01L29/812)
H Электричество(232322)
H01L29/812 С затвором типа барьера шотки(13)
Мощный полевой транзистор свч // 2787552
Заявлен мощный полевой транзистор СВЧ, содержащий полуизолирующую полупроводниковую подложку, на лицевой стороне которой выполнена заданная структура полупроводниковых слоев на основе арсенида галлия, на лицевой стороне которой - по меньшей мере одна заданная топология пассивной и активной областей полевого транзистора, последняя представляет собой последовательность элементов - единичных электродов истока, затвора, стока, каждый с соответствующими контактными площадками, токопроводящего канала с канавкой между каждой парой единичных электродов исток - сток под каждый единичный электрод затвора, при этом одноименные единичные электроды - истока, затвора, стока соединены электрически.
Полевой транзистор свч с барьером шоттки // 2784754
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в качестве активных элементов устройств СВЧ. Полевой транзистор СВЧ с барьером Шоттки содержит полуизолирующую подложку арсенида галлия с активным и контактным слоями, гребенку из чередующейся последовательности единичных электродов исток-затвор-сток, при этом между электродами исток-сток расположены области полуизолирующего арсенида галлия шириной не менее 4,0 мкм, в парах электродов исток-сток расположены каналы с канавками, в последних расположены электроды затвора, при этом - асимметрично в сторону электродов истока, в канале каждой из пар электродов исток-сток, со стороны электрода истока расположен диэлектрический слой из материала с низкой диэлектрической проницаемостью, каждый из электродов затвора относительно его боковой поверхности со стороны электрода стока выполнен по высоте с разным размером поперечного сечения в сторону электрода истока, при этом нижняя часть - с меньшим, верхняя часть - с большим, одноименные электроды исток-затвор-сток соединены электрически, при этом канавка канала выполнена глубиной не более 0,3 мкм, диэлектрический слой в канале каждой из пар электродов исток-сток выполнен и со стороны электрода стока, при этом оба диэлектрических слоя выполнены из одного материала, с относительной диэлектрической проницаемостью менее 8,0, одинаковой толщины 0,1-0,25 мкм, расстояние между упомянутыми обоими диэлектрическими слоями соответствует ширине канавки канала и равно 0,3-1,0 мкм, нижняя часть электрода затвора выполнена по длине с размером поперечного сечения 0,03-0,5 мкм, по высоте - равной сумме значений глубины канавки канала и толщины диэлектрического слоя и расположена непосредственно на верхней поверхности канавки канала, её боковая поверхность со стороны электрода стока - по всей глубине боковой поверхности канавки канала и по всей толщине боковой поверхности диэлектрического слоя, верхняя часть электрода затвора выполнена с размером поперечного сечения по длине, превышающим размер поперечного сечения по длине нижней части на 0,3-0,6 мкм, при этом превышающая ее часть расположена непосредственно на верхней поверхности диэлектрического слоя, длина электрода затвора соответствует размеру поперечного сечения по длине его нижней части и соответственно равна 0,03-0,5 мкм.
Полевой транзистор с барьером шотки // 2743225
Заявлен полевой транзистор с барьером Шотки, содержащий полуизолирующую подложку, электроды истока, затвора, стока, на полуизолирующей подложке выполнен неоднородно легированный активный полупроводниковый слой из двух частей - первой и второй, первая часть - на заданном расстоянии от электрода затвора, с концентрацией легирующей примеси более 2×1017 см-3 и заданной поверхностной плотностью этой примеси, вторая часть - между упомянутой первой частью и электродом затвора, с концентрацией легирующей примеси менее 2×1017 см-3, электрод затвора выполнен на противоположной поверхности активного полупроводникового слоя.
Изобретение относится к оксиду р-типа, оксидной композиции р-типа, способу получения оксида р-типа, полупроводниковому прибору, аппаратуре воспроизведения изображения и системе. Оксид р-типа является аморфным соединением и представлен следующей композиционной формулой: xAO∙yCu2O, где x обозначает долю молей AO и y обозначает долю молей Cu2O, x и y удовлетворяют следующим условиям: 0≤x<100 и x+y=100 и А является любым одним из Mg, Са, Sr и Ва или смесью, содержащей, по меньшей мере, два элемента, выбранные из группы, состоящей из Mg, Са, Sr и Ва.
Изобретение относится к электронной технике. .
Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно к интегральным логическим элементам СБИС. .
Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники. .
Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, а более конкретно к интегральным полевым транзисторным структурам СБИС. .
Полевой транзистор // 2093925
Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым транзисторам. .
Генератор свч на полевом транзисторе // 2012102
Полевой вертикальный транзистор // 1482479
Изобретение относится к полевым транзисторам, предназначенным для работы в диапазоне сверхвысоких частот и применяемым в усилителях, генераторах и сверхбыстродействующих переключательных схемах. .
Полевой свч-транзистор // 1118245
Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для усиления СВЧ-электромагнитных колебаний. .
Полевой трансистор // 1005224
Полевой транзистор // 646391
