Туннельные диоды (H01L29/88)
H01L29/88 Туннельные диоды(15)
Изобретение относится к области спинтроники, а именно, к широкополосным выпрямителям переменного тока, выполненным на основе спинового диода в виде гетероструктуры с туннельным магнитным переходом. Техническим результатом заявленного изобретения является упрощение изготовления выпрямителя.
Изобретение относится к области спинтроники, а именно: к широкополосным выпрямителям переменного тока, выполненным на основе спинового диода в виде гетероструктуры с туннельным магнитным переходом. Технический результат заявленного изобретения заключается в расширении частотной полосы выпрямления переменного тока.
Изобретение относится к области вакуумных туннельных диодов (ВТД). Одним из основных применений изобретения является создание высокоэффективных преобразователей тепловой энергии в электроэнергию или электрической энергии в холод или тепло.
Способ определения вида и концентрации наночастиц в неорганических аморфных средах и композитах на основе полимеров может найти применение в электронике, радиотехнике, природоохранной, химической и нефтяной отраслях для контроля качества проведения технологических процессов и качества готовой продукции, например, при создании полимерных нанокомпозитов, функциональных электронных и радиотехнических элементов.
Изобретение относится к способам изготовления функциональных элементов наноэлектроники и вычислительной техники и может быть использовано для изготовления одноэлектронных логических схем, схем одноэлектронной памяти, работающих при комнатной температуре.
Изобретение относится к туннельным приборам, а именно к функциональным элементам наноэлектроники и вычислительной техники, и может быть использовано для приборного и схемотехнического применения нанотехнологии, например для построения одноэлектронных логических схем, создания схем одноэлектронной памяти, работающих при комнатной температуре.
Изобретение относится к структурам на основе металл - диэлектрик - металл и может быть использовано в квантовых приборах и интегральных схемах. .
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к функциональным элементам интегральных схем, и может быть использовано в генераторных схемах, а также в вычислительной, измерительной и усилительной технике.