Покрытия (H01L31/0216)
H Электричество(232322)
H01L31/0216 Покрытия(11)
Изобретение относится к области материаловедения, а именно к способу получения плёнки органо-неорганического комплексного галогенида с перовскитоподобной структурой. Указанная пленка может быть использована для производства полупроводниковых устройств.
Изобретение относится к фотоприемным устройствам инфракрасного диапазона длин волн и технологии их изготовления. Фоточувствительная к инфракрасному излучению структура включает подложку, расположенный на подложке первый слой из CdxHg1-xTe с переменным составом, в котором х изменяется от 1 на границе с подложкой до хПС на границе с поглощающим слоем, расположенный на первом слое с переменным составом однородный по составу поглощающий слой из CdxHg1-xTe с составом хПС=0,22-0,4 толщиной 2-4 мкм, расположенный на поглощающем слое второй слой из CdxHg1-xTe с переменным составом, в котором х изменяется в пределах от хПС на границе с поглощающим слоем до хБ на границе с барьерным слоем, расположенный на втором слое с переменным составом однородный по составу барьерный слой из CdxHg1-xTe с составом хБ=0,6-0,7 толщиной 0,2-0,5 мкм, расположенный на барьерном слое третий слой из CdxHg1-xTe с переменным составом, в котором х изменяется в пределах от хБ на границе с барьерным слоем до хКС на границе с контактным слоем, расположенный на третьем слое с переменным составом однородный по составу контактный слой из CdxHg1-xTe с составом хКС=0,22-0,4 толщиной 1-2 мкм, расположенный на контактном слое четвертый слой из CdxHg1-xTe с переменным составом, в котором х изменяется в пределах от хКС на границе с контактным слоем до хД=0,6-1,0, при этом на четвертом слое из CdxHg1-xTe с переменным составом располагается пассивирующий слой, а металлический полевой электрод из In нанесен на поверхность пассивирующего слоя, причем геометрические размеры полевого электрода выбирают таким образом, чтобы минимальное расстояние от края полевого электрода до края площадки, ограничивающей область фоточувствительной структуры, было бы равно 1,0-1,2 мкм.
Изобретение относится к области электротехники и касается гибкого многослойного фотоэлектрического модуля. Модуль состоит из последовательно механически соединенных нижней несущей полимерной пленки, слоя электроизолирующего полимера с встроенными проводниками контактной сетки, гальванического соединения из последовательно-параллельно соединенных фотоэлектрических преобразователей, слоя электроизолирующего полимера с встроенными проводниками контактной сетки и прозрачного верхнего защитного полимерного слоя.
Устройство фотовольтаики // 2728247
Изобретение относится к составам покрытий полупроводниковых материалов и решает задачу увеличения эффективности захвата излучения солнечной батареей на длинах волн 440±10 нм и в диапазоне от 900 до 1700 нм.
Устройство солнечных элементов с батареей тонкопленочных солнечных элементов на подложке (5) выполнено так, что каждый солнечный элемент сформирован слоями, представляющими собой нижний электрод (6), фотоактивный слой (7), верхний электрод (8) и изолирующий слой (9).
Изобретение относится к области оптического приборостроения и касается способа изготовления многоэлементного двухспектрального матричного фотоприемника. Фотоприемник включает в себя корпус с входным окном, матрицу фоточувствительных элементов (МФЧЭ) с тонким поглощающим слоем из однородного полупроводникового материала, соединенную индиевыми микроконтактами со схемой считывания, приклеенной на коммутационный растр, обеспечивающий соединение с внешней схемой питания и управления видеосигнала фотоприемника.
Гибкий солнечный элемент // 2552597
Изобретение относится к солнечным элементам и может использоваться в качестве преобразователя солнечной энергии в электрическую энергию в энергетике и в портативной электронике. Cолнечный элемент включает катод и анод, каждый из которых имеет внешний и внутренний гибкие слои, причем названные катод и анод расположены таким образом, что их внутренние слои находятся напротив друг друга с зазором, заполненным электролитом, при этом внешний слой катода выполнен из светопроницаемого полимерного материала, а его внутренний слой выполнен из углеродных нанотрубок, внешний слой анода выполнен из проводящего материала, а его внутренний слой выполнен из наночастиц полупроводникового материала, сенсибилизированного красителем.
Способ нанесения эмиссионного слоя // 2547383
Изобретение относится к способам получения эмиссионных слоев, в частности для органических светоизлучающих диодов. Способ нанесения эмиссионного слоя органического светоизлучающего диода на подложку из стекла или полимера, покрытую слоем анода, включает получение раствора, содержащего люминофорсодержащее соединение и проводящий материал, и нанесение тонкой пленки из полученного раствора на упомянутую подложку.
Использование: для изготовления тонкопленочного солнечного элемента. Сущность изобретения заключается в том, что при изготовлении тонкопленочного солнечного элемента, имеющего верхний слой и подстилающий слой, осуществляют осаждение подстилающего слоя, имеющего шероховатую поверхность, и осаждение верхнего слоя поверх подстилающего слоя с помощью химического осаждения из газовой фазы, так чтобы верхний слой имел более шероховатую поверхность, чем подстилающий слой, где подстилающий слой содержит смесь оксидов по меньшей мере двух материалов, выбранных из кремния, титана, циркония, олова, алюминия, фосфора и их смесей, или где подстилающий слой содержит оксид титана в анатазной модификации с толщиной в диапазоне от 20 нм до 25 нм.
Изобретение относится к проводящим пастам, применяемым для формирования металлических контактов на поверхности субстратов в фотогальванических элементах. Проводящая паста содержит стеклянную фритту, проводящий материал, органическую среду и один или более металлоорганических компонентов, которые образуют оксиды металлов при обжиге.
Изобретение относится к области полупроводниковых устройств. .
Изобретение относится к солнечным элементам с просветляющим покрытием. .
Изобретение относится к покрытому изделию, которое включает в себя просветляющее (AR, от англ. .
Солнечный элемент // 1246836
Изобретение относится к полупроводниковым преобразователям солнечного излучения, которые могут быть использованы при создании фотоэлектрических генераторов наземного применения. .
Полупроводниковый прибор // 367805
