Содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа aiibvi, например cds, zns, hgcdte (H01L31/0296)
H Электричество(232322)
H01L31/0296 Содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа aiibvi, например cds, zns, hgcdte(12)
Изобретение относится к фотоприемным устройствам инфракрасного диапазона длин волн и технологии их изготовления. Фоточувствительная к инфракрасному излучению структура включает подложку, расположенный на подложке первый слой из CdxHg1-xTe с переменным составом, в котором х изменяется от 1 на границе с подложкой до хПС на границе с поглощающим слоем, расположенный на первом слое с переменным составом однородный по составу поглощающий слой из CdxHg1-xTe с составом хПС=0,22-0,4 толщиной 2-4 мкм, расположенный на поглощающем слое второй слой из CdxHg1-xTe с переменным составом, в котором х изменяется в пределах от хПС на границе с поглощающим слоем до хБ на границе с барьерным слоем, расположенный на втором слое с переменным составом однородный по составу барьерный слой из CdxHg1-xTe с составом хБ=0,6-0,7 толщиной 0,2-0,5 мкм, расположенный на барьерном слое третий слой из CdxHg1-xTe с переменным составом, в котором х изменяется в пределах от хБ на границе с барьерным слоем до хКС на границе с контактным слоем, расположенный на третьем слое с переменным составом однородный по составу контактный слой из CdxHg1-xTe с составом хКС=0,22-0,4 толщиной 1-2 мкм, расположенный на контактном слое четвертый слой из CdxHg1-xTe с переменным составом, в котором х изменяется в пределах от хКС на границе с контактным слоем до хД=0,6-1,0, при этом на четвертом слое из CdxHg1-xTe с переменным составом располагается пассивирующий слой, а металлический полевой электрод из In нанесен на поверхность пассивирующего слоя, причем геометрические размеры полевого электрода выбирают таким образом, чтобы минимальное расстояние от края полевого электрода до края площадки, ограничивающей область фоточувствительной структуры, было бы равно 1,0-1,2 мкм.
Изобретение относится к технологии функциональных материалов, конкретно к технологии оптически прозрачных оксидных полупроводников, применяемых в оптоэлектронике, фотовольтаике и плазмонике. Согласно изобретению предложен способ получения нанодисперсного оксида кадмия, допированного литием, включающий получение исходной смеси путем растворения карбоната кадмия и карбоната лития, взятых в стехиометрическом соотношении, в 10%-ной муравьиной кислоте, взятой в количестве 5,6 мл раствора кислоты на 1 г суммарного количества карбоната кадмия и карбоната лития, упаривание полученной смеси при температуре 50-60 °С до получения сухого остатка и отжиг при температуре 300-320 °С в течение 0,5 часа на первой стадии и при фиксированном значении температуры, находящейся в интервале 500-900 °С, в течение 1 часа на второй стадии.
Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения эпитаксиальных слоев узкозонных полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-xTe для изготовления на их основе фотовольтаических приемников инфракрасного излучения.
Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-xTe для изготовления на их основе фотовольтаических приемников инфракрасного излучения.
Фоточувствительная структура // 2373606
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при разработке фотоприемников инфракрасного (ИК) излучения на базе твердых растворов теллурида кадмия и ртути (КРТ). .
Полупроводниковый элемент-детектор излучения // 2281531
Селеновый фотоэлемент // 199283
Вентильный фотоэлемент // 168370
Селеновый фотоэлемент // 132664
Селеновый фотоэлемент // 122220
Фотоэлемент вентильного типа // 44288
