Содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа aiiibv (H01L31/0304)

H01L31/0304              Содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа aiiibv(4)

Способ изготовления algan - гетероструктуры для солнечно-слепых фотокатодов ультрафиолетового диапазона // 2781509
Настоящее изобретение относится к области полупроводниковой оптоэлектроники. Способ изготовления AlGaN-гетероструктур для солнечно-слепых фотокатодов ультрафиолетового диапазона включает отжиг подложки из сапфира при температуре (800-850)°С, нитридизацию поверхности подложки из сапфира в потоке активированного азота при температуре TS=(780-820)°С, последовательное выращивание методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии зародышевого слоя AIN в режиме эпитаксии с повышенной миграцией атомов при температуре TS=(780-820)°C толщиной (60-130) нм, буферного слоя AIN в режиме металл-модулированной эпитаксии в слабых металл-обогащенных условиях при соотношении потоков алюминия и азота FN FAl/FN=1.05 толщиной 1-2 мкм и активного слоя AlGaN, легированного Mg, в металл-обогащенном режиме с непрерывным изменением содержания алюминия в слое от 80 до 37% толщиной (90-160) нм при температуре (680-700)°С путем уменьшения потока алюминия в процессе роста при неизменном соотношении (FAl + FGa)/FN потоков металлов (FAl, FGa) и азота.

Способ эпитаксиального выращивания границы раздела между материалами из iii-v групп и кремниевой пластиной, обеспечивающий нейтрализацию остаточных деформаций // 2696352
Изобретение относится к способу изготовления полупроводниковых материалов, содержащих пограничные слои между материалами из III-V групп и подложкой Si. Изобретение относится к способу изготовления полупроводниковых материалов, содержащих GaAs в комбинации с подложками Si(111), причем остаточная деформация, обусловленная различными коэффициентами теплового расширения соответствующих материалов, нейтрализуется посредством введения добавочного слоя (слоев), компенсирующего остаточную деформацию.

Преобразователь мощности лазерного излучения // 2672642
Изобретение относится к устройствам для преобразования электромагнитной энергии в электрическую энергию Устройство преобразователя мощности лазерного излучения «ПМЛИ» для приема падающего электромагнитного излучения на длине волны примерно 1550 нм, содержащее подложку, содержащую InP; и активную область, содержащую n-легированный слой и p-легированный слой, причем эти n-легированный и p-легированный слои образованы из InyGa1-yAsxP1-x, согласованного по параметрам решетки с подложкой и выполненного с возможностью поглощать фотоны электромагнитного излучения с соответствующей длиной волны примерно 1550 нм, где x=0,948, 0,957, 0,965, 0,968, 0,972 или 0,976, а y=0,557, 0,553, 0,549, 0,547, 0,545 или 0,544 соответственно.

Полупроводниковая структура для фотопроводящих антенн // 2671286
Изобретение может быть использовано при производстве передающих и приемных антенн для терагерцевого диапазона частот (от 300 ГГц до 5 ТГц). Полупроводниковая структура для фотопроводящих антенн эпитаксиально выращена на подложке GaAs с кристаллографической ориентацией (111)А и состоит из чередующихся слоев нелегированного низкотемпературного LT-GaAs и высокотемпературного легированного кремнием GaAs:Si дырочного типа проводимости.
Материал для эффективной генерации терагерцового излучения // 2650575
Изобретение относится к фотопроводящим полупроводниковым материалам. Предложен фотопроводящий материал с высокой интенсивностью генерации терагерцового (ТГц) излучения.

Фотопреобразователь лазерного излучения // 2646547
Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Фотопреобразователь лазерного излучения включает подложку (1) из n-GaAs, на которую последовательно нанесены слой (2) тыльного барьера из n-AlGaAs, базовый слой (3) из n-GaAs, эмиттерный слой (4) из p-GaAs, слой (5) широкозонного окна из n-AlxGa1-xAs, широкозонный стоп-слой (6) из n-AlyGa1-yAs и контактный подслой (7) из p-GaAs.

Полупроводниковая структура для фотопроводящих антенн // 2624612
Изобретение может быть использовано в приемных антеннах для терагерцевого диапазона частот (от 300 ГГц до 4 ТГц). Cтруктура представляет собой полупроводниковую эпитаксиальную многослойную структуру, выращенную на подложке GaAs с кристаллографической ориентацией (111)А, состоящую из чередующихся матричных слоев нелегированного GaAs, выращенных в низкотемпературном режиме, и функциональных слоев GaAs, выращенных в стандартном высокотемпературном режиме и легированных атомами Si.

Материал для фотопроводящих антенн // 2610222
Изобретение может быть использовано для создания активного слоя в фотопроводящих антеннах-детекторах и генераторах электромагнитного излучения терагерцевого диапазона. Материал для фотопроводящих антенн согласно изобретению представляет собой пленку GaAs, эпитаксиально выращенную на подложке GaAs с кристаллографической ориентацией (111)А при пониженной температуре роста, легированную атомами кремния, причем соотношение потоков мышьяка и галлия при эпитаксиальном росте выбрано таким, чтобы большая часть атомов кремния являлась акцепторной примесью.

Каскадный фотопреобразователь и способ его изготовления // 2382439
Изобретение относится к полупроводниковым фотопреобразователям, в частности к каскадным солнечным фотоэлементам, которые преобразуют энергию солнечного излучения в электрическую энергию, и может быть использовано в полупроводниковой промышленности для создания систем генерации электрической энергии.

Солнечный элемент со встроенным защитным диодом // 2358356
Изобретение относится к солнечному элементу с проходящими между передним и задним контактом фотоактивными полупроводниковыми слоями со встроенным, соединяемым с передним контактом защитным диодом (шунтирующим диодом) с противоположной солнечному элементу полярностью и проходящим на передней стороне p-проводящим полупроводниковым слоем, на котором проходит туннельный диод.
 
.
Наверх