Содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа aivbiv, например sic (H01L31/0312)
H Электричество(232322)
H01L31/0312 Содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа aivbiv, например sic(2)
Изобретение может быть использовано в излучателях или в фотоприемниках среднего инфракрасного диапазона. Способ изготовления полупроводниковой структуры на основе селенида свинца, содержащей подложку и пленку селенида свинца, включает формирование поликристаллической пленки селенида свинца и ее последующую термическую обработку в кислородсодержащей среде, при этом согласно изобретению поликристаллическую пленку селенида свинца формируют на подложке, выполненной из материала, имеющего температурный коэффициент линейного расширения, лежащий в диапазоне от 10·10-6 °С-1 до 26·10-6 °С-1.
