Содержащие аморфные полупроводники (H01L31/0376)
H Электричество(232322)
H01L31/0376 Содержащие аморфные полупроводники ( H01L31/0392 имеет преимущество)(3)
Изобретение относится к области оптоэлектронной техники и может быть использовано для создания дешевых и эффективных солнечных элементов на основе слоев аморфного гидрогенизированного кремния. Способ получения гетероперехода нанокристаллический кремний/аморфный гидрогенизированный кремний в образце, представляющем собой пленку аморфного гидрогенизированного кремния, нанесенную на кварцевую подложку, включает облучение образца фемтосекундными лазерными импульсами в вакууме при давлении не более 2⋅10-2 мбар, с центральной длиной волны излучения 257-680 нм, частотой повторения импульсов 20-500 кГц, длительностью импульсов 30-500 фс и плотностью энергии лазерных импульсов 4-500 мДж/см2.
Фотопреобразователь // 2172042
Изобретение относится к области измерения оптического излучения в ультрафиолетовой области спектра. .
Изобретение относится к средствам для преобразования световой энергии в электрическую. .
Датчик ик излучения // 2083030
Изобретение относится к оптоэлектронике и может найти применение в качестве приемника излучения с избирательной чувствительностью в ИК-области при создании фоточувствительных устройств. .
