Содержащие тонкие пленки, осажденные на металлические или диэлектрические подложки (H01L31/0392)
H Электричество(232322)
H01L31/0392 Содержащие тонкие пленки, осажденные на металлические или диэлектрические подложки(2)
В конкретных вариантах осуществления изобретения частицы (100) печатают с образованием участков на подложке (300). Каждая область поверхности подложки имеет участок с частицами (102), подвергнутыми восстановительной обработке, и участок с частицами (103), подвергнутыми окислительной обработке, при этом эти участки имеют фотогальваническую активность противоположной полярности.
Устройство солнечных элементов с батареей тонкопленочных солнечных элементов на подложке (5) выполнено так, что каждый солнечный элемент сформирован слоями, представляющими собой нижний электрод (6), фотоактивный слой (7), верхний электрод (8) и изолирующий слой (9).
Изобретение может быть использовано при производстве передающих и приемных антенн для терагерцевого диапазона частот (от 300 ГГц до 5 ТГц). Полупроводниковая структура для фотопроводящих антенн эпитаксиально выращена на подложке GaAs с кристаллографической ориентацией (111)А и состоит из чередующихся слоев нелегированного низкотемпературного LT-GaAs и высокотемпературного легированного кремнием GaAs:Si дырочного типа проводимости.
Изобретение относится к технологии получения пленок, пригодных в качестве упаковочных материалов, в частности многослойных упаковочных пленок, содержащих порошковый наполнитель. Пленка имеет в качестве первого и третьего слоев фторполимер, отливаемый из смеси с водой или другим растворителем, и порошковый наполнитель.
Изобретение относится к устройствам для генерирования электрической энергии из светового излучения Солнца, в частности к конструкции фотоэлектрических преобразователей (ФЭП). .
