С потенциальными барьерами только типа металл-диэлектрик-полупроводник (H01L31/062)
H01L31/062 С потенциальными барьерами только типа металл-диэлектрик-полупроводник(4)
Изобретение относится к области оптико-электронного приборостроения и касается фотоприемника. Фотоприемник включает фоточувствительный элемент и связанный с ним воедино МДП транзистор.
Изобретение относится к полупроводниковым структурам для обнаружения излучения видимого диапазона. .
Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями. .
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при конструировании полупроводниковых устройств. .
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к фотоприемникам на карбиде кремния, работающим в УФ спектральном диапазоне (140-400 нм) и предназначенным для применения в спектрофотометрии.