С потенциальными барьерами только p-i-n-типа (H01L31/075)
H Электричество(232322)
H01L31/075 С потенциальными барьерами только p-i-n-типа(2)
Изобретение относится к области оптоэлектронной техники и может быть использовано для создания дешевых и эффективных солнечных элементов на основе слоев аморфного гидрогенизированного кремния. Способ получения гетероперехода нанокристаллический кремний/аморфный гидрогенизированный кремний в образце, представляющем собой пленку аморфного гидрогенизированного кремния, нанесенную на кварцевую подложку, включает облучение образца фемтосекундными лазерными импульсами в вакууме при давлении не более 2⋅10-2 мбар, с центральной длиной волны излучения 257-680 нм, частотой повторения импульсов 20-500 кГц, длительностью импульсов 30-500 фс и плотностью энергии лазерных импульсов 4-500 мДж/см2.
Тонкопленочный солнечный элемент // 2569164
Тонкопленочный солнечный элемент содержит светопрозрачную подложку (1), на которую последовательно нанесены светопрозрачная электропроводящая пленка (2), p-слой (3) из микрокристаллического гидрогенизированного кремния в виде твердого раствора SixC1-x:H, где 0,7<х<0,95, с оптической шириной запрещенной зоны более 2 эВ, i-слой (4) из аморфного гидрогенизированного кремния, n-слой (5) из гидрогенизированного кремния и тыльный электропроводящий слой (6).
Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано для преобразования солнечной энергии. .
