Чувствительные к инфракрасному, видимому или ультрафиолетовому излучению (H01L31/101)

H01L31/101              Чувствительные к инфракрасному, видимому или ультрафиолетовому излучению(19)

Твердотельный накопитель энергии из субоксидов переходных металлов // 2764662
Изобретения могут быть использованы для сбора энергии из окружающей среды. Предложен твердотельный накопитель энергии, содержащий первый слой, содержащий первый субоксид переходного металла и твердый электролит (ТЭ), второй слой, содержащий смесь второго субоксида переходного металла и оксида или диоксида лантаноида, причем эта смесь образует ТЭ, третий слой, содержащий третий субоксид переходного металла и ТЭ, и при этом первый субоксид переходного металла и третий субоксид переходного металла отличаются друг от друга.

Способ изготовления фотодиэлектрического чувствительного элемента для регистрации ультрафиолетового излучения // 2690369
Использование: для регистрации ультрафиолетового излучения. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления фотодиэлектрического чувствительного элемента для регистрации ультрафиолетового излучения заключается в напылении тонкой пленки оксида цинка между двумя электродами, согласно изобретению на подложки из стекла марки КУ-1 толщиной 1,5 мм наносят тонкую пленку алюминия с подслоем хрома общей толщиной 550 нм, затем методом контактной фотолитографии на поверхности пленки формируют встречно-штыревые электроды с расстоянием между электродами 5 мкм, на электроды с помощью магнетронной распылительной системы с дополнительной магнитной системой с обратной полярностью магнитов напыляют пленку оксида цинка толщиной 600 нм, после этого элемент отжигают в атмосфере при температуре 250°C в течение 120 минут.

Оптимизированный термопарный сенсор // 2681224
Изобретение относится к инфракрасным твердотельным сенсорам, а более конкретно к инфракрасным неохлаждаемым термопарным сенсорам. Термопарный сенсор содержит поглощающий ИК-излучение слой на диэлектрической мембране, вывешенной относительно подложки на теплоизолирующих микроконсолях, один конец которых закреплен на мембране, а другой - на подложке.

Свч фотоприемник лазерного излучения // 2676188
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, применяемым в электронике. СВЧ фотоприемник лазерного излучения состоит из подложки 1, выполненной из n-GaAs, и последовательно осажденных: слоя тыльного потенциального барьера 2 n-Al0.2Ga0.8As, базового слоя, выполненного из n-GaAs 3, с толщиной 50-100 нм, непроводящего слоя i-GaAs 4 толщиной 1 мкм и эмиттерного слоя p-GaAs 5 толщиной 900-1000 нм с увеличением уровня легирования мелкой акцепторной примесью от границы с непроводящим слоем до противоположной границы, при этом сумма толщин базового, непроводящего и эмиттерного слоев составляет от 1,95 до 2,1 мкм.

Свч фотодетектор лазерного излучения // 2676187
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для создания фотодетекторов (ФД) лазерного излучения (ЛИ). СВЧ фотодетектор лазерного излучения состоит из подложки 1, выполненной из n-GaAs, и последовательно осажденных: Брегговского отражателя 2, настроенного на длину волны лазерного излучения в диапазоне 800-860 нм, включающего чередующиеся пары слоев n-AlAs 3 / n-Al0,2Ga0,8As 4, базового слоя, выполненного из n-GaAs 5, с толщиной 50-100 нм, нелегированного слоя i-GaAs 6 толщиной 0,9-1,1 мкм, эмиттерного слоя p-GaAs 7 толщиной 450-400 нм, фронтальный слой р-Al0,2Ga0,8As, при этом сумма толщин базового, нелегированного и эмиттерного слоев не превышает 1,5 мкм.

Инфракрасный сенсор с переключаемым чувствительным элементом // 2649040
Инфракрасный сенсор с переключаемым чувствительным элементом относится к устройствам для бесконтактного измерения температуры в различных системах управления и контроля. Инфракрасный сенсор с переключаемым чувствительным элементом содержит теплоприемную мембрану, прикрепленную к подложке с помощью консолей и расположенную от подложки на расстоянии, обеспечивающем пренебрежимо малый теплообмен мембраны с подложкой, термочувствительный элемент с электрическими выводами на консолях и полевой электрод, образующий с подложкой первичную цепь электростатического реле.

Ячейка фотоэлектрического преобразователя приемника изображения // 2628738
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к интегральным фотоэлектрическим преобразователям. Ячейка фотоэлектрического преобразователя приемника изображения содержит фотодиод, транзистор считывания заряда, накопленного фотодиодом, транзистор предустановки, обеспечивающий восстановление исходного потенциала на фотодиоде, входной транзистор истокового повторителя, транзистор выборки строки и малошумящий делитель заряда, обеспечивающий выделение малой части заряда, накопленного фотодиодом за время релаксации, и ее передачу на затвор входного транзистора истокового повторителя с многократным повторением данной процедуры в течение времени кадра.

Мезаструктурный фотодиод на основе гетероэпитаксиальной структуры ingaas/alinas/inp // 2627146
Изобретение относится к матричным фотоприемным устройствам (ФПУ) на основе фотодиодов (ФД), изготовленных по мезатехнологии в гетероэпитаксиальных полупроводниковых структурах III-V групп InGaAs/AlInAs/InP, преобразующих излучение в коротковолновой инфракрасной области спектра (0,9-1,7 мкм).

Пассивный беспроводный датчик ультрафиолетового излучения на поверхностных акустических волнах // 2613590
Изобретение относится к области микроэлектроники и касается пассивного беспроводного датчика ультрафиолетового излучения. Датчик включает в себя пьезоэлектрическую подложку, на рабочей поверхности которой в одном акустическом канале находятся приемо-передающий однонаправленный встречно-штыревой преобразователь (ВШП) и два отражательных ВШП.

Полупроводниковый диод средневолнового инфракрасного диапазона спектра // 2570603
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, предназначенным для детектирования и испускания инфракрасного (ИК) излучения при комнатной температуре и может быть использовано, например, в устройствах, измеряющих характеристики сред, содержащих газообразные углеводороды, и в волоконно-оптических датчиках, измеряющих состав жидкости по методу исчезающей волны, для которых указанная полоса совпадает с максимумом фундаментального поглощения измеряемого компонента, например спирта или нефтепродуктов.

Фоточувствительная к инфракрасному излучению структура и способ ее изготовления // 2529457
Изобретение относится к инфракрасной технике и технологии изготовления устройств инфракрасной техники, конкретно к фотоприемным устройствам ИК-диапазона длин волн и к технологии их изготовления. Сущность изобретения состоит в том, что в фоточувствительной к инфракрасному излучению структуре, содержащей последовательно соединенные подложку, верхний слой которой выполнен из CdTe, нижний варизонный слой, изготовленный из Hg1-xCdxTe, в котором значение x плавно уменьшается от значения, находящегося в пределах (хД+0,1)÷1, до значения xД, детекторный слой, изготовленный из Hg1-xCdxTe, где x=xД=0,2-0,3, а также последовательно соединенные верхний варизонный слой, изготовленный из Hg1-xCdxTe, в котором значение x плавно увеличивается от значения xД до значения, находящегося в пределах (xД+0,1)÷1, изолирующий слой, изготовленный из CdTe, диэлектрический слой, изготовленный из SiO2, диэлектрический слой, изготовленный из Si3N4, и верхний, прозрачный для инфракрасного излучения проводящий слой, в детекторный слой дополнительно введены чередующиеся барьерные слои и слои квантовых ям, изготовленные из Hg1-xCdxTe, минимальное количество которых равно трем, с возможным добавлением числа пар чередующихся слоев от 1 до 100, при этом на границах между слоем квантовых ям и барьерным слоем значения x ступенчато изменяются в пределах xБ=0,5-1,0 и xЯ=0-0,15 при толщине каждого из барьерных слоев 20-100 нм и толщине каждого из слоев квантовых ям 5-20 нм.

Фоточувствительная структура и селективное фотоприемное устройство на ее основе // 2510101
Группа изобретений относится к нанооптоэлектронике. В фоточувствительной структуре, представляющей собой чувствительную к терагерцовому излучению при температуре эффективного фототока многослойную полупроводниковую гетероструктуру с квантовой ямой, выполненной в виде слоя узкозонного твердого раствора, содержащего Hg и Te и заключенного между барьерными слоями широкозонного трехкомпонентного твердого раствора CdyHg1-yTe, где у составляет величину в предпочтительном интервале от 65% до 72%, узкозонный слой квантовой ямы сформирован из трехкомпонентного твердого раствора Hg1-xCdxTe с содержанием Cd, определяемым величиной x в интервале от 4% до 12%, причем ширина квантовой ямы выбрана для заданного терагерцового поддиапазона частот принимаемого излучения при температуре 4,2K или 77K в зависимости от содержания Cd в соответствии с таблицей 1, представленной в описании изобретения.

Способ детектирования электромагнитного излучения и устройство для его осуществления // 2503090
Изобретения могут быть использованы в устройствах для формирования изображения, определения координат исследуемых объектов, оптической пеленгации, автоматического управления, контроля и измерения параметров излучения, экологического мониторинга, медицинской диагностики и неразрушающего контроля.

Способ снижения спектральной плотности флуктуаций диффузионного тока фотодиода в области высоких частот // 2435252
Изобретение относится к фотоэлектронике и может использоваться в пороговых фотоприемных устройствах для регистрации коротких импульсов электромагнитного излучения оптического и инфракрасного (ИК) диапазона.

Фоточувствительная к инфракрасному излучению структура и способ ее изготовления // 2396635
Изобретение относится к инфракрасной технике и технологии изготовления устройств инфракрасной техники. .

Твердотельный гейгеровский детектор с активной схемой восстановления // 2360326
Изобретение относится к системам с высокой эффективностью регистрации светового излучения при помощи лавинных фотодиодов со схемой гашения гейгеровского разряда. .

Фотодиодный приемник инфракрасного излучения // 2310949
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при создании фотоприемных устройств (ФПУ) для регистрации и измерения инфракрасного (ИК) излучения как в виде одиночных фотодиодов, так и в виде матриц фотодиодов.

Быстродействующий сверхпроводниковый однофотонный детектор // 2300825
Изобретение относится к устройствам для регистрации отдельных фотонов и может быть использовано в системах оптической волоконной связи, для телекоммуникационных технологий в системах защиты передаваемой информации, диагностике и тестировании больших интегральных схем, в спектроскопии одиночных молекул, астрономии, медицине.
 
.
Наверх