Отличающиеся использованием полевого эффекта, например детекторы со структурой типа металл-диэлектрик-полупроводник (H01L31/119)

H01L31/119              Отличающиеся использованием полевого эффекта, например детекторы со структурой типа металл-диэлектрик-полупроводник(2)

Конструкция ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями // 2156013
Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями. .

Фотодетектор // 2150159
Изобретение относится к электронике и может найти применение для одновременной регистрации интенсивности импульса излучения и энергии падающего излучения. .
 
.
Наверх