Отличающиеся использованием полевого эффекта, например детекторы со структурой типа металл-диэлектрик-полупроводник (H01L31/119)
H01L31/119 Отличающиеся использованием полевого эффекта, например детекторы со структурой типа металл-диэлектрик-полупроводник(2)
Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями. .
Изобретение относится к электронике и может найти применение для одновременной регистрации интенсивности импульса излучения и энергии падающего излучения. .