Приборы или их части, содержащие аморфный полупроводниковый материал (H01L31/20)
H Электричество(232322)
H01L31/20 Приборы или их части, содержащие аморфный полупроводниковый материал(3)
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления преобразователя солнечной энергии. Способ изготовления полупроводникового прибора со структурой с р, i, n слоями, включающий процессы легирования, при этом формирование i-слоя в p-i-n структуре осуществляют в три этапа: первый этап - осаждением пленок Si:H со скоростью 0,3 нм/с, при ВЧ мощности 8 Вт, со скоростью потока SiH4 20 см3/с и давлении 27 Па; второй этап - осаждением пленок Si:H со скоростью 0,6 нм/с, при ВЧ мощности 15 Вт, со скоростью потока SiH4 50 см3/с и давлении 45 Па, третий этап - осаждением пленок Si:H со скоростью 1,0 нм/с, при ВЧ мощности 28 Вт, со скоростью потока SiH4 80 см3/с и давлении 65 Па, с последующим легированием i-слоя бором до 0,05×10-4% при соотношении (B2H6/SiH4) 10-4% в газовой смеси.
Изобретение относится к области оптоэлектронной техники и может быть использовано для создания дешевых и эффективных солнечных элементов на основе слоев аморфного гидрогенизированного кремния. Способ получения гетероперехода нанокристаллический кремний/аморфный гидрогенизированный кремний в образце, представляющем собой пленку аморфного гидрогенизированного кремния, нанесенную на кварцевую подложку, включает облучение образца фемтосекундными лазерными импульсами в вакууме при давлении не более 2⋅10-2 мбар, с центральной длиной волны излучения 257-680 нм, частотой повторения импульсов 20-500 кГц, длительностью импульсов 30-500 фс и плотностью энергии лазерных импульсов 4-500 мДж/см2.
Изобретение относится к структуре двухкаскадного тонкопленочного солнечного модуля (фотопреобразователя) на основе аморфного и микрокристаллического кремния. Тонкопленочный солнечный модуль состоит из последовательно расположенных: фронтальной стеклянной подложки, фронтального контактного слоя из прозрачного проводящего оксида, подслоя из нестехиометрического карбида кремния р-типа, аморфного и микрокристаллического каскадов, соединенных последовательно.
Изобретение относится к области фотоэлектрического преобразования солнечной энергии. Фотоэлектрический элемент согласно изобретению содержит электродный слой из прозрачного электропроводящего оксида, который осажден на прозрачной несущей подложке, контактный слой из легированного аморфного кремния первого типа и имеющий толщину, самое большее 10 нм, первый активный слой из легированного аморфного соединения кремния первого типа, который имеет запрещенную зону, которая больше, чем запрещенная зона материала указанного контактного слоя, второй активный слой из соединения кремния с собственной проводимостью и третий активный слой из легированного соединения кремния второго типа.
Способ получения тетрафторсилана, метод анализа примесей в тетрафторсилане и газ на его основе // 2274603
Изобретение относится к химической технологии, а именно к способу получения тетрафторсилана и газу на его основе. .
Фотоприемник // 1814112
