Приборы с переходом между различными материалами, например приборы с использованием эффекта джозефсона (H01L39/22)
H Электричество(232322)
H01L39/22 Приборы с переходом между различными материалами, например приборы с использованием эффекта джозефсона(76)
Способ и система прецизионного измерения критического тока джозефсоновского перехода sis-типа // 2790064
Изобретение относится к области измерительной техники, а точнее к способам измерения параметров криогенных электронных устройств, в частности к измерению критического тока контакта джозефсоновского перехода SIS-типа.
Гетероструктура на основе джозефсоновского туннельного перехода сверхпроводник - изолятор - сверхпроводник (СИС) включает подложку из кремния, первый, второй и третий слои ниобия, разделенные барьерным слоем, и элемент интегрального шунтирования СИС перехода.
Двухэлектродный быстроперестраиваемый по потоку сверхпроводниковый кубит на основе кинетической индуктивности относится к системам квантовой обработки информации на основе сверхпроводниковых кубитов. Технической задачей предлагаемого изобретения является улучшение когерентных свойств кубита, упрощение системы управления кубитом и упрощение процесса масштабирования.
Изобретение относится к способу использования джозефсоновских инверторов фазы для сдвига сверхпроводящей фазы при смещении в рабочий режим сверхпроводниковых потоковых кубитов. Технический результат заключается в обеспечении смещения сверхпроводящей фазы на π в схемах потоковых кубитов, не требующего использования дополнительных токовых линий или процедуры захвата магнитного потока в сверхпроводящем кольце.
Криогенный анализатор свч-диапазона // 2768987
Группа изобретения относится к приборам с использованием сверхпроводимости. Детектор сверхвысокочастотного излучения содержит вход (401) сигнала и выход (402) детектора, поглощающий элемент (404) с омической проводимостью, соединенный с входом (401) сигнала через первый отрезок (405) сверхпроводника, и элемент (406) с изменяемым импедансом, зависящим от температуры, соединенный с выходом (402) детектора через второй отрезок (407) сверхпроводника.
Сверхпроводящая цепь с эффектом близости // 2753673
Устройство относится к сверхпроводящим цепям с эффектом близости, позволяющим управлять спектром связанных Андреевских состояний. Предлагается сверхпроводящая цепь с эффектом близости, включающая монокристаллическую пластину силицида кобальта CoSi, ориентированную в кристаллографической плоскости (001), на которую нанесены контакты из ниобия.
Изобретение относится к криогенной микро- и наноэлектронике, в том числе к элементной базе искусственных нейросетей. Технический результат заключается в повышении быстродействия и энергоэффективности сверхпроводящего нейрона.
Квантовый датчик и способы для измерения поперечной компоненты слабого магнитного поля (варианты) // 2733701
Использование: для создания квантовых датчиков магнитного поля с оптической накачкой. Сущность изобретения заключается в том, что квантовый датчик для измерения поперечной компоненты слабого магнитного поля состоит из ячейки, содержащей парамагнитные атомы щелочного металла в газообразном состоянии, а также буферный газ, термостат, схему оптической накачки, при этом содержит схему детектирования, выполненную с возможностью детектирования вариаций поперечных компонент магнитного поля без возбуждения магнитного резонанса в углу поворота азимута поляризации пробного луча в ячейке непосредственно на частоте вариаций магнитного поля, где угол поворота пропорционален компоненте магнитного поля, направленного вдоль оси пробного луча.
Сверхпроводящая цепь с участком слабой связи // 2717253
Использование: для сверхпроводящих логических элементов вычислительной техники. Сущность изобретения заключается в том, что сверхпроводящая цепь с участком слабой связи включает два последовательно расположенных металлических сверхпроводящих контакта, нанесенных на поверхность монокристаллического магнитного топологического полуметалла Со3Sn2S2.
Использование: для приема и генерации излучения в диапазоне частот 100 ГГц - 1 ТГц. Сущность изобретения заключается в том, что криогенный перестраиваемый генератор гетеродина субтерагерцового диапазона для интегральных приемных систем на основе РДП, изготовленный на подложке из кристаллического изолирующего материала, обратная сторона которой выполнена шероховатой с размерами неоднородностей, соизмеримыми с длиной звуковой волны субтерагерцового диапазона в кристаллической подложке, согласно изобретению введены поглощающие резисторы, изготовленные из материала с удельным сопротивлением в диапазоне 2-50 мкОм⋅см, расположенные в микрополосковой линии вокруг генератора, позволяющие увеличить параметр затухания α в РДП, что обеспечивает дополнительное поглощение и тем самым подавление ступеней Фиске в резонансном режиме работы.
Изобретение относится к криогенной радиоэлектронике, в том числе к активным широкополосным устройствам, и может быть использовано для приема и усиления электромагнитных сигналов в диапазоне частот от единиц герц до 10 ГГц.
Использование: для создания элементов быстрой криогенной памяти. Сущность изобретения заключается в том, что джозефсоновский фазовый доменный вентиль включает два расположенных на подложке друг под другом сверхпроводящих электрода с токоподводами и область слабой связи между ними в виде тонкопленочной слоистой структуры, содержащей: промежуточный слой сверхпроводящего материала с токоподводами, толщина которого лежит в диапазоне от 20 до 60 нм, отделенный от нижнего сверхпроводящего электрода слоем изолятора; нанесенный на часть тонкого промежуточного слоя сверхпроводящего материала слой нормального металла, толщина которого лежит в диапазоне от 1 до 20 нм; слой магнитного материала, нанесенный на оставшуюся не закрытой слоем нормального металла поверхность тонкого промежуточного слоя сверхпроводящего материала, толщина которого лежит в диапазоне от 1 до 20 нм.
Джозефсоновский магнитный поворотный вентиль // 2601775
Использование: для создания джозефсоновского магнитного поворотного вентиля. Сущность изобретения заключается в том, что джозефсоновский магнитный поворотный вентиль включает два сверхпроводящих электрода с токоподводами и область слабой связи между ними в виде тонкопленочной слоистой структуры, содержащей: промежуточный сверхпроводящий слой, отделенный от нижнего сверхпроводящего электрода слоем изолятора; нанесенный на часть промежуточного сверхпроводящего слоя слой нормального металла; слой магнитного материала, нанесенный как на слой нормального металла, так и на оставшуюся не закрытой последним поверхность промежуточного сверхпроводящего слоя с образованием границы между слоем нормального металла и слоем магнитного материала.
Использование: для изготовления устройства с субмикронным джозефсоновским π-контактом. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления устройства с субмикронным джозефсоновским π-контактом заключается в том, что в качестве слабой связи джозефсоновского перехода используют единичный нанопровод, сформированный из последовательно чередующихся магнитных и немагнитных участков таким образом, что магнитный участок имеет субмикронные размеры во всех направлениях X, Y, Z, где Z - направлен вдоль нанопровода, а немагнитные участки выполнены из сверхпроводящего материала или из нормального металла с большими длинами когерентности ξN, который помещают горизонтально на подложку и подводят к немагнитным участкам сверхпроводящие контакты.
Использование: для создания сверхпроводникового джозефсоновского прибора. Сущность изобретения заключается в том, что сверхпроводниковый джозефсоновский прибор с композитной магнитоактивной прослойкой на основе тонкопленочной структуры имеет планарную геометрию из тонких пленок в виде гетероструктуры Sd-M-S (Sd - базовая пленка купратного сверхпроводника, М - композитная магнитоактивная прослойка, S - верхний сверхпроводящий электрод), сформированный на подложке из кристалла NdGaO3 с ориентацией (110), в качестве базовой пленки Sd используется эпитаксиально выращенная пленка сверхпроводящего купрата YBa2Cu3O7-δ, в качестве композитного магнитоактивного слоя М используются последовательно осаждаемые пленки рутената стронция SrRuO3 (SRO) толщиной dSRO и оптимально допированного манганита La0.7Sr0.3MnO3 (LSMO) толщиной dLSMO, а в качестве верхнего электрода S используется сверхпроводящая тонкопленочная двуслойка AuNb, толщины SRO и LSMO пленок определяются числом импульсов лазерной абляции, обеспечивая расчетное соотношение dSRO и dLSMO относительно соответствующих длин когерентности ξF в SRO и LSMO, толщина композитной пленки dM=dSRO+dLSMO может варьироваться от единиц до десятков нанометров, толщина Au в верхнем электроде AuNb должна обеспечивать сверхпроводящий эффект близости и составляет величину порядка нескольких единиц нанометров, при этом тонкопленочная топология прибора формируется вместе со сверхпроводниковой тонкопленочной антенной из пленок Sd и S, расположенных на той же подложке, а планарный размер L Sd-M-S структуры (в плоскости слоев) варьируется от долей до десятков микрометров.
Флаксонный баллистический детектор // 2592735
Использование: для измерения слабых магнитных потоков. Сущность изобретения заключается в том, что флаксонный баллистический детектор включает генератор одноквантовых импульсов, приемник одноквантовых импульсов со схемой сравнения, две джозефсоновские передающие линии, соединяющие генератор и приемник, соединенные сверхпроводящей перемычкой, связанной магнитным образом с объектом исследования.
Джозефсоновский 0-пи переключатель // 2554614
Изобретение относится к криогенной электронике, представляет собой джозефсоновский 0-π переключатель и может быть использовано в измерительной технике, радиотехнических и информационных системах, работающих при низких температурах, в устройствах сверхпроводниковой электроники.
Технический результат изобретения состоит в увеличении изменения амплитуды критического тока перехода под действием малого магнитного потока по сравнению с предыдущими геометриями, что открывает возможности для миниатюризации сверхпроводящих элементов памяти.
Изобретение относится к приборам с использованием сверхпроводимости, в частности к приборам с переходом между различными материалами с использованием эффекта Джозефсона. Указанный результат достигается тем, что предложен способ формирования тонкопленочных микромостиков, в котором наносят сверхпроводящий материал на подложку через маску, при этом в качестве маски используют пластины из тугоплавких материалов заданной геометрии, между остриями пластин при начальной фиксированной температуре T1 формируют величину первичного фиксированного зазора d1 и его геометрию, рассчитывают величину вторичного зазора, получаемой ширины микромостика d2 в зависимости от конечной фиксированной температуры T2 по формуле
d2=d1-{α1L1(T2-T1)+α2L2(T2-T1)}-α3{(L1+L2+d1)(T2-T1)},
где:
L1 - расстояние от линии фиксации первой пластины до зазора,
L2 - расстояние от линии фиксации второй пластины до зазора,
T1 - начальная фиксированная температура,
T2 - конечная фиксированная температура,
α1 - температурный коэффициент теплового расширения первой тугоплавкой пластины,
α2 - температурный коэффициент теплового расширения второй тугоплавкой пластины,
α3 - температурный коэффициент теплового расширения подложки, затем производят: нагрев, напыление или лазерную абляцию сверхпроводящего материала фиксированной длительности t и фиксированной энергии E, определяющих конечную фиксированную температуру T2.
Свч-усилитель на основе высокотемпературного сквида с четырьмя джозефсоновскими контактами // 2544275
Изобретение направлено на повышение линейности усиления в гигагерцовом диапазоне частот без использования цепей обратной связи. СВЧ-усилитель на основе высокотемпературного СКВИДа включает идентичные и параллельно соединенные первый и второй джозефсоновские контакты, образованные в слое высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП) и размещенные вдоль бикристаллической границы подложки, и входной индуктивный элемент, включенный между смежными токоподводами джозефсоновских контактов.
Использование: при производстве сверхпроводниковых интегральных схем (СПИС) различного назначения. Сущность изобретения: СПД на основе многослойной тонкопленочной гетероструктуры содержит два слоя сверхпроводника, образующих электроды, и прослойку с металлической проводимостью между ними из легированного металлом полупроводника.
Изобретение относится к криоэлектронным приборам и может быть использовано в измерительной технике. .
Сверхпроводниковый спиновый вентиль // 2442245
Изобретение относится к сверхпроводниковым устройствам и может быть использовано в радиотехнических информационных системах и вычислительной технике. .
Изобретение относится к криоэлектронным приборам и может быть использовано в измерительной технике, радиотехнических и информационных системах, работающих при низких температурах. .
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в приемных системах для целей радиоастрономии, интроскопии и спектроскопии. .
Изобретение относится к области коммутационной электронной техники и энергетики и может быть использовано для переключения и ограничения токов в бытовых электронных устройствах, бытовых и промышленных электрических сетях, устройствах защитного отключения.
Изобретение относится к криоэлектронным приборам и может быть использовано в измерительной технике, радиотехнических и информационных системах, работающих при низких температурах. .
Изобретение относится к криогенным приборам и может быть использовано в измерительной технике, радиотехнических и информационных системах, работающих при низких температурах. .
Изобретение относится к криогенной радиотехнике и может быть использовано для усиления электрических сигналов в гигагерцовом диапазоне частот. .
Способ формирования периодических микроструктур на втсп пленках с джозефсоновскими свойствами // 2275714
Изобретение относится к способам создания слабых связей в виде двумерных периодических микроструктур с джозефсоновскими свойствами, используемых в высокочувствительных системах пленочных ВТСП сквид-магнитометрах, в частности, при создании высокочувствительных датчиков магнитного потока и детекторов электромагнитного поля, применяемых в устройствах для регистрации магнитокардиограмм в медицине, геофизике, экологии, контроля парамагнитных примесей в нефтепродуктах и т.п.
Изобретение относится к физике полупроводников, в частности к полупроводниковым эпитаксиальным наноструктурам с квантовыми ямами, и может быть использовано при реализации полупроводниковых приборов, работа которых основана на эффекте сверхпроводимости.
Способ изготовления устройства на основе эффекта джозефсона и устройство согласно этому способу // 2212735
Изобретение относится к криогенной микроэлектронике, а именно к способу изготовления устройства на основе эффекта Джозефсона. .
Изобретение относится к способам создания слабых связей, используемых в высокочувствительных системах на пленочных YBaCuO ВТСП-сквидах. .
Изобретение относится к электронным устройствам, использующим высокочувствительные системы на базе пленочных высокотемпературных ПТ-СКВИДов. .
Изобретение относится к переключаемому планарному высокочастотному резонатору и к планарному высокочастотному фильтру на его основе. .
Многослойный материал // 2131157
Изобретение относится к области твердотельных электронных приборов на основе квантовых эффектов. .
Изобретение относится к электрическим приборам на твердом теле, а именно к сверхпроводящим приборам, и может быть использовано для создания на его основе таких электронных приборов, как управляемые линии задержки, фазовращатели, фильтры.
Изобретение относится к электронике, в частности к сверхпроводниковой электронике. .
Изобретение относится к области сверхпроводниковой микроэлектроники, в частности к технологии изготовления тонкопленочных сверхпроводящих структур. .
Изобретение относится к сверхпроводниковой электронике и может быть использовано в сверхпроводниковых интегральных схемах, в качестве усилителей в сверхпроводящих квантовых измерителях магнитного потока (СКИМП) и для создания СКИМПов.
Компаратор постоянного тока // 2014620
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в прецизионных устройствах, предназначенных для измерения отношения постоянных токов, а также для эталонов напряжения и тока. .
Пороговый датчик магнитного поля // 2005309
Способ измерения индуктивности сверхпроводящей катушки и устройство для его осуществления // 1609403
Изобретение относится к точным электромагнитным измерениям и может быть использовано для измерения индуктивности сверхпроводящих катушек, применяемых в пепях постоянного или медленно изменяющегося тока.
Сверхпроводниковый туннельный диод // 1575858
Изобретение относится к электронной технике, а именно к сверхпроводниковым туннельным диодам. .
