Выбор материалов (H01L43/10)
H Электричество(232322)
H01L43/10 Выбор материалов(5)
Изобретение относится к магниторезистивным датчикам и переключающим компонентам в магнетоэлектронике. Сущность: ферромагнитные слои 2 и разделяющие их неферромагнитные прослойки 3 выполнены в виде коаксиальных цилиндров, охватывающих подложку 1 в виде проволоки круглого сечения, или выполнены в виде плоских колец, наносимых на плоскую сторону подложки в виде кольца такой же формы, наружный слой может быть магнитно-закрепленным, а прослойки выполняться так же из металла или из диэлектрика с эффектом туннельного пробоя; примененный способ осаждения из электролитов постоянной особой очистки в магнитном поле с применением асимметричного тока обеспечивается указанным изменением конструкции и применением намагничивания полем от постоянного тока вдоль оси окружностей спинового клапана.
Изобретение относится к приборам спинтроники и может быть использовано в информационных системах и радиотехнических устройствах СВЧ-диапазона. Конвертор спинового тока в зарядовый ток содержит образованную на кристаллической подложке гетероструктуру на основе тонких пленок перовскитов переходных металлов, включающую ферромагнитный слой стронций допированного манганита Lа0.7Sr0.3МnО3 и детектирующий слой из 5d оксидной пленки SrIrO3, и пленочные металлические электроды, связанные с электрической схемой управления и регистрации напряжения, при этом согласно изобретению гетероструктура имеет планарную геометрию, при этом кристаллическая подложка выполнена из галлата неодима NdGaO3, кристаллографическая плоскость (110) которого совпадает с направлением вектора намагниченности сформированного на подложке слоя манганита Lа0.7Sr0.3МnО3, а детектирующий слой из 5d оксидной пленки SrIrО3 нанесен поверх упомянутого слоя манганита, причем пленочные металлические электроды размещены в одной плоскости и расположены на свободной поверхности детектирующего слоя.
Настоящее изобретение относится к способам изготовления магниторезистивного спинового светодиода, в котором с помощью магнитного поля можно независимо управлять интенсивностью излучения и степенью циркулярной поляризации.
Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано при разработке таких устройств, как высокочувствительные датчики магнитного поля, электрического тока, электромагнитного поля, преобразователи, источники возобновляемой энергии и другие устройства, а также в построении устройств автоматики, медицинского оборудования, автомобильной электроники, навигации, геологии, систем безопасности и др.
Изобретение относится к области технологических процессов, связанных с получением нового магнитного материала с магнитным состоянием типа спинового стекла, и может найти применение при разработке моделей новых типов устройств современной электроники.
Изобретение относится к области разработки новых керамических редкоземельных оксидных материалов с магнитным состоянием спинового стекла и может найти применение в химической промышленности и электронной технике, в частности, для разработки моделей новых типов устройств магнитной памяти.
Изобретение относится к разработке новых материалов с магнитным состоянием спинового стекла - системы с вырожденным основным магнитным состоянием, которые могут быть полезны для химической, атомной промышленностей и развития магнитных информационных технологий.
Изобретение относится к области магнитных микро- и наноэлементов и может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, запоминающих и логических элементах, гальванических развязках на основе многослойных наноструктур с магниторезистивным (МР) эффектом.
Датчик магнитного поля // 2238571
Полупроводниковое устройство // 432856
