Приборы с эффектом ганна (H01L47/02)
H01L47/02 Приборы с эффектом ганна(14)
Изобретение найдет применение в народном хозяйстве, более конкретно в медицине, военной промышленности и т.д. Использование данного изобретения позволит значительно увеличить кпд генераторов СВЧ на диодах Ганна, что позволит расширить их функциональный диапазон.
Использование: для создания генераторов сверхвысокочастотного (СВЧ) излучения, выполненных в геометрии диода Ганна. Сущность изобретения заключается в том, что способ создания диода Ганна на основе гетероструктуры нитрида галлия (GaN) с заданным профилем легирования, синтезированной на полупроводниковой подложке, при этом активная область прибора формируется в виде массива нитевидных нанокристаллов (ННК).
Изобретение относится к микроэлектронике. .
Изобретение относится к области твердотельной СВЧ-электроники и может быть использовано при конструировании СВЧ-модулей, предназначенных для генерации, усиления и преобразования колебаний. .
Изобретение относится к электронной техникe, в частности к конструированию и технологии изготовления полупроводниковых сверхвысокочастотных (СВЧ) диодов Ганна, и может быть использовано в электронной и радиоэлектронной промышленности.
Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым прибором на основе переноса электронов и может быть использовано в радиотехнической аппаратуре для генерирования СВЧ колебаний. .
Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам на основе переноса электронов, и может быть использовано для производства высокочастотных приборов повышенной мощности.
Изобретение относится к электронной технике, конкретнее, к диодам Ганна, предназначенным в основном для монтажа в микрополосковые, щелевые и т.п. .
Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам на основе переноса электронов, и может быть использовано в приборах для генерирования СВЧ-колебаний. .
Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам на основе переноса электронов, и может быть использовано в приборах для генерирования СВЧ-колебаний. .
Изобретение относится к диодам Ганна и может быть использовано при конструировании полупроводниковых СВЧ-генораторов. .
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при конструировании диодов Ганна для усилителей и генераторов СВЧ. .