Тонкие магнитные пленки, например с однодоменной структурой (H01F10)
H Электричество(232322)
H01F Магниты; индуктивности; трансформаторы; выбор материалов, обеспечивающих магнитные свойства (керамические составы на основе ферритов C04B35/26; сплавы C22C; термомагнитные приборы H01L37; громкоговорители, микрофоны, адаптеры или подобные акустические электромеханические преобразователи H04R)
(7171)
H01F10 Тонкие магнитные пленки, например с однодоменной структурой (носители магнитной записи G11B5; тонкопленочные магнитные запоминающие устройства G11C)(54)
H01F10/06 - Отличающиеся связью или физическим контактом с соединительным или взаимодействующим проводником(1)
H01F10/10 - Отличающиеся составом(8)
H01F10/12 - Магнитные слои являются металлами или сплавами (интерметаллические соединения H01F10/18)(2)
H01F10/13 - Аморфные металлические сплавы, например стекловидные металлы(1)
H01F10/14 - Содержащие железо или никель ( H01F10/13, H01F10/16 имеют преимущество)(6)
H01F10/16 - Содержащие кобальт ( H01F10/13 имеет преимущество)(9)
H01F10/18 - Магнитные слои являются соединениями(1)
H01F10/20 - Ферритами(7)
H01F10/24 - Гранатами(2)
H01F10/26 - Отличающиеся подложкой или промежуточными слоями ( H01F10/32 имеет преимущество)[3,7](4)
H01F10/28 - Отличающиеся составом подложки(2)
Способ получения пленок феррита // 2790266
Изобретение относится к технологии синтеза анизотропных (с осью легкого намагничивания, направленной перпендикулярно плоскости пленки) пленок BaFe12O19 методами осаждения из газовой фазы. Такой материал может быть использован при разработке планарных невзаимных СВЧ-устройств с эффектом самосмещения, в устройствах спинтроники в качестве магнитного диэлектрика.
Изобретение относится к области спинтроники, а именно, к широкополосным выпрямителям переменного тока, выполненным на основе спинового диода в виде гетероструктуры с туннельным магнитным переходом. Техническим результатом заявленного изобретения является упрощение изготовления выпрямителя.
Изобретение относится к области спинтроники, а именно: к широкополосным выпрямителям переменного тока, выполненным на основе спинового диода в виде гетероструктуры с туннельным магнитным переходом. Технический результат заявленного изобретения заключается в расширении частотной полосы выпрямления переменного тока.
Способ построения планарного трансформатора // 2718592
Изобретение относится к способам построения планарных трансформаторов для источников электропитания радиоаппаратуры и может быть использовано для построения преобразователей напряжения в источниках электропитания.
Изобретение относится к электротехнике и электротехническому оборудованию, в частности к тонкопленочным интегрированным катушкам индуктивности и трансформаторам, совместимым с технологией кремниевой микроэлектроники, которые могут применяться в интегрированной микроэлектронике различного назначения, в частности в фильтрах высокочастотных гармоник, усилителях, встроенных стабилизаторов напряжения и многих других.
Изобретение относится к получению магнитных металлических покрытий на медных или стеклянных подложках. Первый вариант способа включает химическое осаждение металлического покрытия на подготовленную подложку из водного раствора, содержащего, г/л: сульфат кобальта 10, сульфат никеля 15, арабиногалактан 80, цитрат натрия 50, трилон Б 20 и аммиак водный до рН 11.
Изобретение относится к регулируемым элементам индуктивности. Технический результат – создание устройства и способа, обеспечивающих возможность быстрой настройки регулируемого элемента индуктивности без увеличения его размеров, веса и потребляемой мощности.
Изобретение относится к способу получения тонких магнитных наногранулированных пленок. Способ включает последовательное осаждение на термостойкую подложку тонкой пленки оксида ферромагнитного металла и слоя металла-восстановителя при комнатной температуре с последующим вакуумным отжигом полученной двухслойной пленки.
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. Технический результат состоит в повышении чувствительности в микроминиатюрном исполнении.
Изобретение может быть использовано в СВЧ устройствах усиления и преобразования аналоговых сигналов, в структуре интегральных микросхем различного функционального назначения. Технический результат - расширение диапазона рабочих частот планарной индуктивности без применения в ее конструкции проводящего лепесткового экрана, что существенно упрощает конструкцию планарной индуктивности, т.к.
Изобретение относится к электротехнике. Технический результат состоит в уменьшении дефектности и повышении напряжения пробоя.
Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и предназначено для использования в качестве активного элемента в таких устройствах волноводного тракта, как управляемые магнитным полем полосовые фильтры, фазовращатели и амплитудные модуляторы.
Изобретение относится к технологии получения наноразмерных пленок мультиферроиков и может найти применение в производстве высокодобротных магнитооптических устройств обработки и хранения информации, магнитных сенсоров, емкостных электромагнитов, магнитоэлектрических элементов памяти, невзаимных сверхвысокочастотных фильтров.
Изобретение относится к способу получения магнитотвердого покрытия из сплава самария с кобальтом и может использоваться при изготовлении постоянных магнитов, используемых в конструкциях малогабаритных двигателей постоянного тока, бортовой измерительной аппаратуре, а также различных устройствах, предназначенных для исследования космического пространства.
Способ получения наноструктуированных слоев магнитных материалов на кремнии для спинтроники // 2522956
Изобретение относится к области электротехники, в частности к способам получения магнитных сред для записи информации с высокой плотностью. Способ получения наноструктурированных слоев магнитных материалов на кремнии для спинтроники включает магнетронное распыление составной мишени, состоящей из кремния 85-99% и ферромагнитного металла 1-15%, при этом магнетронное распыление проводят в среде аргона, давление в рабочей камере во время распыления составляет (6÷7)×10-3 Па, давление аргона в магнетроне - (6÷7)×10-1 Па, скорость нанесения слоя гетерогенной смеси магнитного материал (22÷25) нм/с, плазмохимическое травление во фторсодержащей плазме при давлении азота в рабочей камере 4÷4,5 Па, скорости травления слоя (10÷12) нм/с, и термическую обработку в вакууме 0,5×10-3 Па, температуре 300-400оС, длительностью 10-15 мин.
Магнитооптический материал // 2522594
Изобретение относится к области магнитной микроэлектроники, в частности к прикладной магнитооптике, и может быть использовано для записи информации как в цифровом, так и в аналоговом режимах. Магнитооптический материал представляет собой эпитаксиальную монокристаллическую пленку феррита-граната состава (YBi)3(FeGa)5O12, нарощенную на подложке немагнитного граната с высоким значением параметра решетки
a
=
12,380
A
o
/
−
12,560
A
o
/
, при этом эпитаксиальная пленка содержит 0,1-0,4 формульных единиц ионов Mg2+.
Изобретение относится к области магнитной записи информации, конкретно к способу получения пленок для магнитной записи информации. Способ получения полимерных нанокомпозиций в виде тонких пленок для сверхплотной записи информации включает получение прекурсора, состоящего из поливинилового спирта, воды и смеси водорастворимых солей трех- и двухвалентного железа, с последующей обработкой по крайне мере одним водорастворимым диальдегидом при pH от 0 до 3 в присутствии кислоты в качестве подкисляющего агента, получение тонкой пленки на диэлектрической немагнитной подложке путем нанесения прекурсора на вращающуюся на центрифуге подложку с образованием пленки геля, обработку полученной пленки геля щелочью, при введении щелочи в количестве, обеспечивающем полное протекание реакции щелочного гидролиза смеси солей железа с образованием смеси магнетита и маггемита, при этом обработку щелочью полученной пленки геля осуществляют в парах аммиака, образующегося из водного раствора аммиака (NH4OH) или гидразин-гидрата (N2H4·H2O) в течение 5,0-15,0 часов.
Изобретение относится к магнитным полимерным композициям, а именно к кобальтсодержащим нанокомпозитам, и может быть использовано в качестве магнитных материалов с необычными физико-химическими свойствами.
Способ формирования эпитаксиальных пленок кобальта на поверхности полупроводниковых подложек // 2465670
Изобретение относится к области нанотехнологий, в частности к методам создания ультратонких магнитных эпитаксиальных пленок на полупроводниковых подложках, и может быть использовано при создании твердотельных электронных приборов.
Изобретение относится к области металлургии, в частности к аустенитному железо-никелево-хромово-медному сплаву, а также его применению в электромагнитных устройствах. .
Изобретение относится к получению неорганических соединений на основе марганца, конкретно к нанодисперсным манганитам редкоземельных металлов (РЗМ), обладающим ценными магнитными и каталитическими свойствами, общей формулы RMnO3, где R - трехвалентный редкоземельный ион.
Сплав для носителя термомагнитной записи // 2326451
Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано в качестве материала для термомагнитной записи в приборостроении при создании магнитооптических запоминающих устройств. .
Изобретение относится к области электротехники, в частности к способу получения магнитной полимерной композиции на наноразмерных ферритовых частицах, предназначенной для применения в высокочастотных радиоустройствах в электрическом оборудовании автотранспорта.
Изобретение относится к электротехнике, в частности к магнитной полимерной композиции, предназначенной для применения в высокочастотных и сверхвысокочастотных радиотехнических устройствах. .
Изобретение относится к области электротехники, в частности к способам получения магнитных сред для записи информации с высокой плотностью. .
Изобретение относится к получению пленочных полимерных нанокомпозиций, содержащих неорганический магнитный компонент, и может быть использовано для создания магнитных регистрирующих сред с высокой плотностью записи, а также магнитных сенсоров.
Магниточувствительный элемент // 2210086
Изобретение относится к области электротехники, в частности к магниторезистивным считывающим элементам, и может быть использовано в компьютерной технике для считывания информации с магнитных носителей с высокой информационной плотностью, а также в сенсорной технике и автоматике.
Изобретение относится к области электротехнике, а точнее к способам изготовления пленочных магнитов. .
Способ изготовления пленочных магнитов // 2204177
Изобретение относится к электротехнике, в частности к способам получения постоянных пленочных магнитов. .
Тонкопленочный магнитный материал // 2120147
Изобретение относится к магнитным материалам, которые могут быть использованы в электронике, нанотехнологии, магнитооптике и т.д. .
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в микроэлектронике и оптоэлектронике для записи и считывания информации. .
Многослойное аморфное магнитомягкое покрытие // 2069913
Изобретение относится к магнитомягким покрытиям на основе кобальта, используемым в разнообразных устройствах магнитной микроэлектроники. .
Изобретение относится к магнитомягким материалам на основе кобальта, используемым в разнообразных устройствах магнитной микроэлектроники. .
Способ изготовления магнитных пленок // 2060567
Вещество для подложек со структурой граната // 2038435
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов и промышленно применимо при производстве монокристаллических пленок феррит-гранатов, предназначенных для использования в различных магнитооптических устройствах и запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах.
Изобретение относится к электротехнике , точнее к способам получения постоянных магнитов. .
Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано для измерения и контроля параметров материалов с цилиндрическими магнитными доменами, используемых з запоминающих устройствах . .
Тонкопленочный магнитный материал // 1601644
Изобретение относится к тонкопленочным магнитным материалам на основе органических соединений, предназначенных для элементов функциональной электроники. .
Изобретение относится к электротехнике, точнее газовым смесям, предназначенным для изготовления магнитотвердых пленок на основе железа. .
Изобретение относится к технологии изготовления гиромагнитных элементов и может быть использовано I Изобретение относится к технологии изготовления гиромагнитных элементов и может быть использовано для создания гексаферритовых текстурированных пленок для резонансных вентилей и других устройств миллиметрового диапазона.
Способ получения магнитной ленты // 1416495
Изобретение относится к технологии получения ленточных носителеймагнитной записи, Изобретение обеспечивает повьшение качества магнитной ленты, заключающееся в увеличении нагрузки, соответствующей пределу текучестн, уменьшении относительного удлинения под нагрузкой 2Н и остаточного удлинения после снятия нагрузки , за счет того, что получают магнитную ленту отливом пленочной полиэтилентерефталатной основы, двухосной ориентацией, термофиксацией и термообработкой под натяжением 10 - 30 Н/мм при 4-8-кратном удлинении на 20-40%.
Способ получения ферритовых пленок // 839405
