Для нанесения наноструктур, например посредством молекулярно-пучковой эпитаксии (H01F41/30)
H Электричество(232322)
H01F Магниты; индуктивности; трансформаторы; выбор материалов, обеспечивающих магнитные свойства (керамические составы на основе ферритов C04B35/26; сплавы C22C; термомагнитные приборы H01L37; громкоговорители, микрофоны, адаптеры или подобные акустические электромеханические преобразователи H04R)
(7171)
H01F41 Способы и устройства для изготовления и сборки приборов, отнесенных к данному подклассу(1505)
H01F41/30 Для нанесения наноструктур, например посредством молекулярно-пучковой эпитаксии (mbe)(4)
Способ создания интерфейса для интеграции монокристаллического оксида европия с германием // 2793379
Изобретение относится к технологии формирования эпитаксиальных гетероструктур, а именно тонких пленок оксида европия на германии, которые могут быть использованы при создании устройств германиевой наноэлектроники и спинтроники, в частности инжекторов спин-поляризационного тока, спиновых фильтров, устройств памяти, нейроморфных устройств.
Изобретение относится к способам формирования эпитаксиальных гетероструктур EuO/Ge, которые могут быть использованы в устройствах спинтроники. Способ формирования эпитаксиальных гетероструктур EuO/Ge включает осаждение на германиевую подложку атомов металла в потоке молекулярного кислорода методом молекулярно-лучевой эпитаксии, при этом поверхность подложки Ge(001) предварительно очищают от слоя естественного оксида, или очищают от слоя естественного оксида и формируют на ней поверхностные фазы Еu, представляющие собой субмонослойные покрытия из атомов европия, после чего при температуре подложки TS=20÷150°C производят осаждение европия при давлении PEu=(0,1÷100)⋅10-8 Торр потока атомов европия (ФEu) в потоке кислорода ФO2 с относительной величиной 2≤ФEu/ФO2≤2,2 до формирования пленки ЕuО толщиной менее 10 нм.
Изобретение относится к технологии создания двумерных магнитных материалов для сверхкомпактных спинтронных устройств. Способ получения дисилицида гадолиния GdSi2 со структурой интеркалированных слоев силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии заключается в осаждении атомарного потока гадолиния с давлением PGd (от 0,1 до менее 1)⋅10-8 Торр или PGd (от более 1 до 10)⋅10-8 Торр на предварительно очищенную поверхность подложки Si(111), нагретую до Ts=350 ÷ менее 400°С или Ts=более 400 ÷ 450°С, до формирования пленки дисилицида гадолиния толщиной не более 7 нм.
Способ получения эпитаксиальной пленки многослойного силицена, интеркалированного европием // 2663041
Изобретение относится к способам получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов, а именно EuSi2 кристаллической модификации hP3 (пространственная группа N164, ) со структурой интеркалированных европием слоев силицена, которые могут быть использованы для проведения экспериментов по исследованию силиценовой решетки.
Изобретение относится к электротехнике, к приборостроению и машиностроению, и может быть использовано при изготовлении устройств с нанодисперсной магнитной жидкостью. Технический результат состоит в упрощении способа и повышении его технологичности.
Изобретение относится к области получения нанопленок сплавов Гейслера и в связи с наличием в них большого магнитокалорического эффекта может быть использовано при исследовании и создании рабочего тела экологичных и высокоэффективных холодильников и тепловых насосов, работающих вблизи комнатной температуры.
Способ формирования эпитаксиальных пленок кобальта на поверхности полупроводниковых подложек // 2465670
Изобретение относится к области нанотехнологий, в частности к методам создания ультратонких магнитных эпитаксиальных пленок на полупроводниковых подложках, и может быть использовано при создании твердотельных электронных приборов.
Изобретение относится к нанотехнологии и к высокодисперсным материалам, в частности к металлсодержащим материалам, и может быть использовано для разработки функциональных элементов в электронике, электротехнике, в оптических и нелинейно-оптических системах и устройствах, магнито-оптических системах, а также для создания новых элементов магнитной памяти и магнитных носителей информации, получения коллоидных частиц для магнито- и электрореологических жидкостей, а также для биомедицинских применений.
