Элементы конструкции (H01J37/02)
H01J37/02 Элементы конструкции(9)
Изобретение относится к технике нанесения композитных покрытий путем проведения неравновесных плазмохимических процессов, объединяющих ионное распыление в магнетронном разряде и распыление ионным пучком.
Изобретение относится к области применения кластерных ускорителей для обработки поверхности твердых материалов. Технический результат - получение одного и более имплантируемых изделий трубчатой конструкции с осевой ориентацией, используемых для сердечно-сосудистой хирургии, с модифицированной внутренней и внешней поверхностью за один цикл обработки и сокращение времени обработки.
Изобретение относится к плазменной технике, к разделу способов управления плазмой. Технический результат – обеспечение возможности повышения точности управления потоками плазмы.
Изобретение относится к плазменной технике и технологии и может быть использовано для получения электрического разряда в большом объеме. Технический результат - повышение устойчивости электрического разряда между анодом и катодом при сверхкритических параметрах катода.
Изобретение относится к устройствам передачи радиочастотной мощности. Устройство, выполненное с возможностью резонирования (2), подходящее для передачи РЧ мощности, в частности, используемое для генерации плазмы и выполненное с возможностью электрического подключения ниже по потоку относительно радиочастотного источника (3) питания, работающего на постоянной или переменной частоте, содержащее по меньшей мере один индуктивный элемент (Lр), который может быть запитан, при использовании, от такого по меньшей мере одного источника (3) питания; по меньшей мере один емкостный элемент (Cр), электрически соединенный с выводами такого по меньшей мере одного индуктивного элемента (Lр); причем такое по меньшей мере одно устройство (2) имеет резонансную круговую частоту, равную:.Емкостный элемент (Cр) и индуктивный элемент (Lр) имеют такие значения, чтобы в состоянии резонанса они обеспечивали эквивалентный импеданс, измеренный на выводах такого устройства (2), по существу резистивного типа и намного больше, чем значение паразитного импеданса выше по потоку относительно таких выводов такого устройства (2), поэтому при использовании эффект такого паразитного импеданса является по существу незначительным.
Изобретение относится к электромагнетизму и научному приборостроению. Устройство для исследования вакуумного разряда электронов в вакуумном поле включает магнит, над полюсом которого подвешена плоская стеклянная вакуумированная изнутри кювета с автоэмиссионным катодом и анодом, оппозитно установленными с одного края кюветы и подключенными к выводам трансформатора Тесла (катушке Румкорфа), первичная обмотка которого подключена к накопительному конденсатору через тиристор, управляемый от последовательно соединенных генератора тактовых импульсов с регулируемой частотой и устройства запуска тиристора, накопительный конденсатор заряжается через резистор от высоковольтного источника питания, а свободно подвешенная над магнитным полюсом магнита вакуумированная кювета со стороны расположения автоэлектронного катода в виде иглы и анода механически связана с пьезодатчиком с его жестким неподвижным упором с противоположной стороны датчика, а выход пьезодатчика через высокочувствительный импульсный усилитель подключен к одному из каналов двухканального осциллографа, ко второму его каналу подключен дополнительный выход устройства запуска тиристора.
Изобретение относится к теоретической и экспериментальной физике. Устройство демонстрации вращения свободных электронов в замкнутой системе содержит пару тороидальных постоянных магнитов, обращенных друг к другу разноименными магнитными полюсами, а также источник питания постоянным током.
Изобретение относится к источникам ВУФ-фотонов и химически активных частиц, предназначенным для поверхностной обработки ВУФ-излучением, а также для плазмохимического травления и наращивания материалов на подложках с большой общей обрабатываемой площадью.
Изобретение относится к области технической физики, конкретнее к средствам настройки и контроля работы рентгеновских микроанализаторов. .