Электродные и другие связанные с ними устройства для генерирования разряда и управления им, например электронно-оптические устройства, ионно-оптические устройства (H01J37/04)
H Электричество(232322)
H01J Электрические газоразрядные и вакуумные электронные приборы и газоразрядные осветительные лампы (искровые разрядники H01T; дуговые лампы с расходуемыми электродами H05B; ускорители элементарных частиц H05H)
(10498)
H01J37 Разрядные приборы с устройствами для ввода объектов или материалов, подлежащих воздействию разряда, например с целью их исследования или обработки (H01J33,H01J40,H01J41,H01J47,H01J49 имеют преимущество; исследование или анализ поверхностных структур на атомном уровне с использованием техники сканирующего зонда G01N13/10, например растровая туннельная микроскопия G01N13/12; бесконтактные испытания электронных схем с использованием электронных пучков G01R31/305; детали устройств, использующих метод сканирующего зонда вообще G12B21)
(805)
H01J37/04 Электродные и другие связанные с ними устройства для генерирования разряда и управления им, например электронно-оптические устройства, ионно-оптические устройства(24)
Изобретение относится к устройству модуляции для модуляции элементарных пучков заряженных частиц в соответствии с данными рисунка в системе литографии многочисленными элементарными пучками заряженных частиц.
Использование: для обработки материалов и осаждения покрытий. Сущность изобретения заключается в том, что способ определения размеров газовых кластеров в сверхзвуковом газовом потоке включает истечение газа из звукового или сверхзвукового сопла, формирование кластерного пучка с помощью конусной диафрагмы (скиммера), в котором согласно изобретению измеряют поперечный профиль интенсивности пучка на фиксированном расстоянии за скиммером и по уширению мономерной и кластерной компонент пучка рассчитывают средний размер кластеров N по соотношению:где Δmono - уширение мономерной компоненты пучка, Δclust - уширение кластерной компоненты пучка.
Устройство защиты генераторной секции сильноточного релятивистского импульсного источника микроволн // 2593153
Изобретение относится к высоковольтной импульсной технике и может быть использовано при создании сильноточных релятивистских импульсных источников микроволн для защиты их генераторных секций от коллекторной плазмы и отраженных электронов.
Изобретение относится к плазменной электронике и может быть использовано при создании СВЧ-генераторов на основе взаимодействия электронных пучков с плазмой. Устройство содержит размещенные в однородном магнитном поле коаксиально расположенные в вакуумной камере кольцевой диск с центральным отверстием и с закрепленным на нем кольцевым термокатодом, трубку-сепаратор, выполненную по размерам центрального отверстия и установленную со стороны кольцевого термокатода, причем направление однородного магнитного поля совпадает с их осью симметрии, а также катушку индуктивности, соединенную с управляемым источником питания и выполненную с возможностью изменения напряженности магнитного поля в вакуумной камере для управления размерами трубчатой плазмы, а трубка-сепаратор изготавливается из металла с высокой проводимостью и толщиной стенки, исключающими проникновение через нее импульсного магнитного поля катушки индуктивности.
Изобретение относится к области исследования физических свойств вещества, в частности к исследованию процессов в газоразрядных приборах и плазме. Между электродами при фиксированном расстоянии между ними подается напряжение, возникающий ток плавит и испаряет тонкую металлическую проволочку, которая размещается в свободном пространстве между электродами при таком расстоянии между ними, при котором разряд без проволочки самопроизвольно не возникает, а между электродами создаются условия для лавинного пробоя разрядного промежутка.
Изобретение относится к электронным линзам, а точнее к иммерсионным магнитным объективам, и может быть использовано при формировании эмиссионного изображения исследуемого объекта на люминесцентном экране эмиссионного электронного микроскопа.
Устройство для синтеза покрытий // 2531373
Изобретение относится к вакуумно-плазменной технике, а именно к источникам атомов металла, преимущественно для синтеза на изделиях в вакуумной камере износостойких нанокомпозитных покрытий, и к источникам быстрых молекул газа, преимущественно для очистки и нагрева изделий перед синтезом покрытий для повышения их адгезии к изделию, а также для бомбардировки быстрыми молекулами поверхности покрытия.
Изобретение относится к измерительной технике, в частности к способам тестирования параметров планарных полупроводниковых светодиодных гетероструктур (ППСГ) на основе GaN. Способ включает облучение светоизлучающей полупроводниковой гетероструктуры пучком электронов и возбуждение катодолюминесценции, причем возбуждение катодолюминесценции осуществляют облучением в импульсном режиме с длительностью импульса от 10 нс до 400 нс.
Изобретение относится к способам и устройствам для возбуждения объемного самостоятельного импульсного продольного разряда в газовых средах для создания источников спонтанного или когерентного излучения.
Изобретение относится к области исследования физических свойств вещества, в частности, к исследованию процессов в газоразрядных приборах и плазме. .
Изобретение относится к нанотехнологии. .
Изобретение относится к каталитической химии, в частности к приготовлению катализатора (КТ) для крекинга нефтяных фракций и дожига оксида углерода в процессе регенерации КТ. .
Электроннооптическая система // 839412
Электронно-оптический преобразователь // 116722
