Со сканирующими лучами (H01J37/28)
H01J37/28 Со сканирующими лучами (микроанализаторы со сканирующими лучами H01J37/256)(114)
Изобретение относится к способам обработки изображений и предназначено для выравнивания изображений слоев, полученных с помощью растрового электронного микроскопа с фокусированным ионным пучком, для последующего построения трехмерной модели образца.
Изобретение относится к области растровой электронной микроскопии. В изобретении используется принцип фотограмметрической обработки изображений, полученных в растровом электронном микроскопе при различных углах наклона исследуемого образца.
Изобретение относится к области растровой электронной микроскопии. В изобретении используется принцип фотограмметрической обработки изображений, полученных в растровом электронном микроскопе при различных углах наклона исследуемого образца.
Изобретение направлено на создание электрохимического цифрового сканирующего туннельного микроскопа. Технический результат - повышение точности, производительности и надежности измерений, а также расширение функциональных возможностей при исследовании электрохимических процессов.
Изобретение относится к точной механике и может быть использовано для сближения зонда и образца в сканирующей зондовой микроскопии. Сущность изобретения заключается в том, что в устройстве механического перемещения для сканирующего зондового микроскопа, содержащем основание 1, СЗМ головку 2, оснащенную первой опорой 3, второй опорой 4, третьей опорой 5, при этом первая опора 3 сопряжена с основанием 1 и снабжена первым приводом 6, установленным на СЗМ головке 2, а вторая опора 4 и третья опора 5 также сопряжены с основанием, вторая опора 4 снабжена вторым приводом 7, установленным на СЗМ головке 2, и третья опора 5 снабжена третьим приводом 8, установленным на СЗМ головке 2.
Изобретение относится к области растровой электронной микроскопии. В изобретении используется принцип фотограмметрической обработки изображений, полученных в растровом электронном микроскопе при различных углах наклона исследуемого объекта.
Изобретение относится к измерительной технике. .
Изобретение относится к области приборостроения. .
Изобретение относится к растровой электронной микроскопии и может быть использовано для неразрушающего послойного тестирования образцов, в частности изделий микро- и наноэлектроники. .
Изобретение относится к области нанотехнологий, в частности к измерению температуры одной проводящей (металлической или полупроводниковой) наночастицы с помощью сканирующего туннельного микроскопа, работающего в режиме наноконтакта и использование эффекта Зеебека в наноразмерной контактной области.
Изобретение относится к исследованию микрорельефа как проводящих, так и непроводящих поверхностей образцов твердых тел. .
Изобретение относится к растровой электронной микроскопии и, в частности, к электромагнитным фильтрам, предназначенным для пространственного разделения пучков первичных и вторичных электронов. .
Изобретение относится к устройствам механического перемещения объекта вдоль одной координаты. .
Изобретение относится к сканирующей туннельной спектроскопии и может быть использовано для получения топографии проводящих поверхностей, а также изучения физико-технологических свойств твердых тел. .
Изобретение относится к области машиностроения, а более конкретно к способам определения нанорельефа поверхности. .
Изобретение относится к электронике, а более конкретно к способам получения ионного луча. .
Изобретение относится к области научного приборостроения и может быть использовано для получения топографии проводящих поверхностей, а также для изучения физико-технологических свойств твердых тел. .
Изобретение относится к области электронных приборов, в частности к эмиссионным видеоустройствам. .
Изобретение относится к области электроники, а именно к способам получения электронного пучка. .
Изобретение относится к области электронной микроскопии. .
Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию, а именно к устройствам, обеспечивающим наблюдение, изменение и модификацию поверхности объектов в туннельном и атомно-силовых режимах. .
Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию, к устройствам, обеспечивающим наблюдение, измерение и модификацию поверхности объектов в туннельном и атомно-силовом режимах. .
Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию, к устройствам, обеспечивающим наблюдение, измерение и модификацию поверхности объектов в режиме сканирующего туннельного микроскопа (СТМ) или атомно-силового микроскопа (АСМ).
Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию, а именно к устройствам, обеспечивающим наблюдение, изменение и модификацию поверхности объектов в туннельном и атомно-силовом режимах. .
Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию, к устройствам, обеспечивающим наблюдение, измерение и модификацию поверхности объектов в туннельном и атомно-силовом режимах в условиях сверхвысокого вакуума и в широком диапазоне температур.
Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию, к устройствам, обеспечивающим наблюдение, измерение и модификацию поверхности в многоигольчатом комплексном режиме работы. .
Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию, а именно к устройствам, обеспечивающим наблюдение, измерение и модификацию поверхности объектов в туннельном и атомно-силовом режимах. .
Изобретение относится к нанотехнологическому оборудованию, а более конкретно к устройствам, обеспечивающим наблюдение, измерение и модификацию поверхности объектов в туннельном и атомно-силовом режимах.
Изобретение относится к электронным вакуумным приборам, в частности к эмиссионным микроскопам и видеоусилителям, и раскрывает способ визуализации и увеличения изображений исследуемых объектов. .
Изобретение относится к области исследования поверхностных слоев вещества методами СВЧ и сканирующей туннельной спектроскопии. .
Изобретение относится к научному приборостроению и может быть использовано в приборах для топографии и анализа состава поверхности. .
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в исследовательских и технологических установках для контроля рельефа поверхностей и локального воздействия на них. .
Изобретение относится к области приборостроения, в частности, к сканирующей туннельной микроскопии (СТМ), используемой для исследования поверхности проводящих веществ. .
Изобретение относится к области растровой электронной микроскопии (РЭМ). .
Изобретение относится к эмиссионной электронике и предназначено главным образом для изготовления микроострий-зондов для туннельных микроскопов, а также точечных автоэлектронных источников и образцов для автоэмиссионной микроскопии.
Изобретение относится к устройствам, предназначенным для точного дистанционного позиционирования зонда, и может быть использовано в приборах для локального анализа поверхностей, например в туннельном или атомно-силовом микроскопе.
Изобретение относится к методам исследования тонких пленок и поверхности твердого тела, в частности адсорбированных слоев, находящихся в равновесии с газовой фазой при высоких давлениях. .
Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в электронно- и ионнолучевых микрозондовых системах. .
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике, в частности к диагностическим электронно- и ионно-лучевым системам, и может быть использовано для анализа работоспособности БИС. .
Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам контроля качества проводящей поверхности, которые основаны на явлении туннелирования электронов между поверхностью и подводимым к ней острийным электродом малого радиуса и позволяют контролировать рельеф поверхности.