Электронно-лучевые или ионно-лучевые приборы для местной обработки объектов (H01J37/30)
H01J37/30 Электронно-лучевые или ионно-лучевые приборы для местной обработки объектов(63)
Изобретение относится к оборудованию для создания устройств микроэлектроники с помощью технологии электронно-лучевой литографии. Устройство для электронно-лучевой литографии (фиг.1) содержит: электронно-оптическую систему 1 с блоком контроля интенсивности электронного луча 2; координатный столик 3 с электроприводом 4 и блоком контроля текущего положения подвижной платформы 5; управляющий компьютер 6; генератор изображений 7; драйвер координатного столика 8; драйвер генератора изображений 9, при этом входы управления параметрами электронного луча электронно-оптической системы 1 подключены к соответствующим выходам генератора изображений 7, вход которого соединён с выходом блока контроля интенсивности электронного луча 2, а порт обмена данными связан по оптоволоконной линии связи через драйвер генератора изображений 9 с управляющим компьютером 6, который другим своим портом обмена данными через драйвер координатного столика 8 соединён с электроприводом координатного столика 4 и блоком контроля текущего положения подвижной платформы 5.
Изобретение относится к способу электронно-лучевой сварки. Способ включает перемещение электронного луча со скоростью сварки Vсв и осцилляцию электронного луча в виде пилообразных колебаний вдоль стыка свариваемых деталей с формированием сварочной ванны и парогазового канала заданной глубины.
Изобретение относится к электротехнике, в частности к приборам и устройствам для термообработки материалов и изделий в вакууме и может быть использовано в конструкции электронно-лучевой пушки для плавки тугоплавких металлов.
Изобретение относится к электронике и электротехнике в области термообработки металлов с целью их вакуумного плавления, испарения, наплавления, сварки, резки, для аддитивных технологий. Электронно-лучевая пушка содержит катодный каскад в корпусе с собирающей линзой, анод и лучевод с фокусирующими и отклоняющими линзами, тепловые изоляторы, токоподводы и систему водоохлаждения.
Изобретение относится к ионно-плазменной установке для нанесения покрытий на поверхность металлических внутрисосудистых стентов, преимущественно из оксинитрида титана. Установка содержит шлюзовую камеру (6) с рабочим столом (8) для загрузки изделий, генератор газовой плазмы (7) для предварительной ионно-плазменной обработки изделий, цилиндрическую вакуумную камеру (1) с аксиально расположенной внутри ее объема дуальной магнетронной распылительной системой (МРС), верхнюю крышку (4) для присоединения затвора (5) шлюзовой камеры (6), высоковакуумную откачную систему, трехканальную систему подачи газов (11), систему автоматического управления (16), средства контроля технологического процесса, а также источники питания: МРС (12), потенциала смещения рабочего стола (13), накала катода (14) и газового разряда (15) генератора плазмы.
Изобретение относится к способу электронно-лучевой наплавки с оперативным контролем положения присадочной проволоки относительно электронного луча. Способ содержит этапы, на которых электронно-лучевую наплавку проводят с непрерывной осцилляцией электронного луча по траектории, имеющей пересечение с присадочной проволокой.
Изобретение относится к области модификации поверхностных слоев материалов импульсными электронными пучками и может быть использовано для улучшения их физико-химических свойств (коррозионной стойкости, жаростойкости и др.).
Способ определения изменения положения точки падения непрерывного или импульсного энергетического пучка на ограниченной поверхности, который периодически перемещается по поверхности с помощью отклоняющего устройства, включает операции определения поверхности с помощью камеры, имеющей множество отдельно вычисляемых пикселей в плоскости изображения, при этом каждая точка поверхности ассоциируется с пикселем, оценки определяемых камерой характеристик изображения с помощью узла анализа изображений.
Изобретение относится к ионно-лучевой обработке крупногабаритных оптических деталей. Технический результат – повышение точности обработки поверхности деталей.
Изобретение относится к мишени для электродугового источника (ARC) с первым телом (3) из подлежащего испарению материала, которое содержит по существу в одной плоскости предусмотренную для испарения поверхность, при этом поверхность в этой плоскости окружает центральную зону.
Изобретение относится к установке для нанесения покрытий на подложки путем электронно-лучевого физического осаждения из паровой фазы. Установка содержит тигельное устройство, содержащее по меньшей мере два тигля, расположенных со смещением друг относительно друга в горизонтальной плоскости.
Изобретение относится к технике ионно-лучевой обработки изделий. .
Изобретение относится к изготовлению по меньшей мере одной очищенной подложки, особенно, очищенных таким образом режущих частей инструментов, очищенные подложки которых могут быть подвергнуты дополнительной технологической обработке до и/или после очистки, например, посредством нагрева и/или нанесением на них покрытия.
Изобретение относится к технике получения электронных и ионных пучков и может быть использовано в электронных и ионных источниках, генерирующих пучки с большим поперечным сечением. .
Изобретение относится к плазменной технике, а именно к источникам получения пучка ионов, и может быть использовано в ионно-лучевых технологиях для модификации поверхностей изделий и для нанесения на них тонких пленок SiC, AIN, твердых растворов на их основе и т.д.
Изобретение относится к электротехнике, в частности к приборам и устройствам для термообработки материалов и изделий. .
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов. .
Изобретение относится к устройству для излучения заряженных частиц и к излучателям. .
Изобретение относится к приборам для электронно-лучевой обработки объектов и может использоваться для обработки изделий электронным лучом как при вертикальном, так и при горизонтальном положении рабочей камеры и лучевого тракта, в том числе в условиях низкого вакуума в рабочей камере.
Изобретение относится к электронной и вакуумной технике. .
Изобретение относится к операционной радиационной терапии и, в частности, к передвижному устройству для операционной электронно-лучевой терапии. .
Изобретение относится к области технологии и техники обработки материалов микролептонным излучением. .
Изобретение относится к области электротехники, а именно к электромагнитным устройствам развертки пучка, которые используются для облучения различных объектов. .
Изобретение относится к нанесению вакуумных покрытий, а именно к способам и устройствам для генерации плазмы электропроводящих материалов, предназначенных для нанесения покрытий в вакууме осаждением конденсата из плазменной фазы, и может быть использовано в машино- и приборостроении, в инструментальном производстве, в электронной технике и других областях народного хозяйства.
Изобретение относится к области электронно-лучевой технологии и может найти применение в любой электронно-лучевой установке (плавильной, сварочной, напылительной и т.п.), технологическая камера которой снабжена системой вакуумной откачки.
Изобретение относится к области технологии, связанной с тепловой обработкой, плавлением материалов. .
Изобретение относится к технологии .электронноили ионно-лучевого контроля и восстановления микроэлектронных структур и может быть использовано при произИзобретение относится к технологии электронноили ионно-лучевого контроля и восстановления микрозлектронных структур и может быть использовано при производстве изделий электронной техники.
Изобретение относится к электроннооптическим и ионно-оптическим устройствам с изменяемой формой сечения пучка и может быть использовано в установках электроннои ионно-лучевой литографии. .
Изобретение относится к бесконтактным методам измерения тока. .
Изобретение относится к элионной технике, в частности к электронному облучению мишени,и может быть использовано, в частности, в эле- .-лучевых приборах для микролитографического структурирования тонких слоев при изготовлении конструктивных элементов с размерами в субмикронном диапазоне.
Изобретение относится к изготовлению прецизионных поверхностей изделий и позволяет повысить точность обработки изделий. .
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения поля отклонений от плоскостности поверхности твердого тела и микрогеометрии поверхности. .
Изобретение относится к электротехнике. .
Изобретение относится к лучевой технологии. .
Изобретение относится к электронно-оптическому приборостроению и может быть использовано в видеоконтрольньпс установках растровых электронных микроскопов. .