Газонаполненные разрядные приборы (H01J37/32)
H Электричество(232322)
H01J Электрические газоразрядные и вакуумные электронные приборы и газоразрядные осветительные лампы (искровые разрядники H01T; дуговые лампы с расходуемыми электродами H05B; ускорители элементарных частиц H05H)
(10498)
H01J37 Разрядные приборы с устройствами для ввода объектов или материалов, подлежащих воздействию разряда, например с целью их исследования или обработки (H01J33,H01J40,H01J41,H01J47,H01J49 имеют преимущество; исследование или анализ поверхностных структур на атомном уровне с использованием техники сканирующего зонда G01N13/10, например растровая туннельная микроскопия G01N13/12; бесконтактные испытания электронных схем с использованием электронных пучков G01R31/305; детали устройств, использующих метод сканирующего зонда вообще G12B21)
(805)
H01J37/32 Газонаполненные разрядные приборы (нагрев за счет разряда H05B)(39)
Изобретение относится к области активированного микроволновой плазмой химического осаждения из паровой фазы. Технический результат - повышение площади химического осаждения из паровой фазы.
Аппарат для плазменной обработки подложек // 2789412
Изобретение относится к способам для обработки подложек и к соответствующему аппарату. В частности, изобретение относится к реакторам для плазменного атомно-слоевого осаждения.
Изобретение относится к устройствам, предназначенным для генерации низкотемпературной сильно-ионизованной плазмы. Технический результат – повышение радиальной однородности плазмы низкого давления для обработки полупроводниковых пластин большого диаметра до 600 мм.
Изобретение относится к плазменной технике, а именно к источникам индуктивно-связанной плазмы. Технический результат – повышение коэффициента полезного действия (КПД) и снижение тепловых потерь газоразрядного устройства.
Изобретение относится к области плазменной техники. Технический результат - повышение эффективности ионизации текущей среды и безопасности работы реактора.
Изобретение относится к области электротехники, в частности к электрическим газоразрядным приборам, генерирующим поток нетермического водяного пара для дезинфекции рук, поверхностей предметов и воздуха.
Изобретение относится к устройствам передачи радиочастотной мощности. Устройство, выполненное с возможностью резонирования (2), подходящее для передачи РЧ мощности, в частности, используемое для генерации плазмы и выполненное с возможностью электрического подключения ниже по потоку относительно радиочастотного источника (3) питания, работающего на постоянной или переменной частоте, содержащее по меньшей мере один индуктивный элемент (Lр), который может быть запитан, при использовании, от такого по меньшей мере одного источника (3) питания; по меньшей мере один емкостный элемент (Cр), электрически соединенный с выводами такого по меньшей мере одного индуктивного элемента (Lр); причем такое по меньшей мере одно устройство (2) имеет резонансную круговую частоту, равную:.Емкостный элемент (Cр) и индуктивный элемент (Lр) имеют такие значения, чтобы в состоянии резонанса они обеспечивали эквивалентный импеданс, измеренный на выводах такого устройства (2), по существу резистивного типа и намного больше, чем значение паразитного импеданса выше по потоку относительно таких выводов такого устройства (2), поэтому при использовании эффект такого паразитного импеданса является по существу незначительным.
Настоящее изобретение относится к барьерным пленкам, включающим барьерное PECVD-покрытие из алмазоподобного углерода, и к способу изготовления таких пленок, и, кроме того, к многослойным упаковочным материалам, включающим такие пленки, в частности, предназначенным для упаковки жидких пищевых продуктов.
Изобретение относится к устройству (10) для непрерывной обработки полотняной основы (15a) в плазмостимулируемом процессе. Устройство (10) содержит по меньшей мере одну секцию (12a, 12b) обработки с вакуумной рабочей камерой, причем упомянутой по меньшей мере одной секции (12a, 12b) обработки выделен по меньшей мере один блок (13a, 13b) плазменной обработки, который предназначен для формирования зоны (14a, 14b) плазмы в рабочей камере для обработки поверхности полотняной основы (15a).
Изобретение относится к системе для плазменного напыления покрытий (варианты) и установке для плазменного напыления покрытий (варианты). Система содержит катод магнетрона с длинной кромкой и короткой кромкой.
Изобретение относится к устройствам высокочастотного возбуждения и поддержания разряда газоразрядной плазмы в ионных источниках, ионных двигателях космических аппаратов с преобразованием энергии источника постоянного напряжения в радиочастотную электромагнитную энергию поля индуктора, взаимодействующего с объемом плазмы через взаимную индуктивность.
Изобретение относится к области нанотехнологий, в частности к генератору для получения наночастиц в импульсно-периодическом разряде. Генератор содержит разрядную камеру (4) с каналом входа газа (11) и каналом выхода газа (12) с аэрозольными частицами.
Изобретение относится к СВЧ-плазменному реактору для изготовления синтетического алмазного материала посредством химического парофазного осаждения. Устройство содержит плазменную камеру, ограничивающую резонатор для поддержки основной СВЧ-резонансной моды с частотой f основной СВЧ-резонансной моды, множество источников СВЧ-излучения, связанных с плазменной камерой, для генерации и подачи СВЧ-излучения с суммарной СВЧ-мощностью PT в плазменную камеру, систему газоходов для подачи технологических газов в плазменную камеру и их отвода из нее.
Изобретение относится к области техники, связанной с получением плазмы из газовой среды в условиях электронного циклотронного резонанса. Способ создания плазмы для осуществления обработки поверхности или нанесения покрытия вокруг нитевидного компонента включает осуществление непрерывного прямолинейного перемещения нитевидного компонента через по меньшей мере два магнитных диполя, расположенных напротив друг друга и вокруг трубы, образующей камеру обработки, и введение микроволновой энергии между по меньшей мере двумя магнитными диполями.
Изобретение относится к системе и способу нанесения покрытия. Система включает вакуумную камеру и узел для нанесения покрытия.
Изобретение относится к способу управления устройством для ионной имплантации, содержащим источник (АР) питания плазмы и источник (PS) питания подложки, причем источник питания подложки содержит: электрогенератор (НТ) с заземленным положительным полюсом; первый переключатель (SW1), первый полюс которого соединен с отрицательным полюсом указанного генератора (НТ), и второй полюс которого соединен с выходным разъемом (S) указанного источника питания подложки; и второй переключатель (SW2), первый полюс которого соединен с указанным выходным разъемом (S), а второй полюс которого соединен с нейтрализующим разъемом (N).
Источник плазмы // 2643508
Изобретение относится к устройству формирования плазмы. Устройство содержит источник плазмы с полым телом (1) источника плазмы и блоком (5) эмиссии электронов для эмиссии свободных электронов в полое тело источника плазмы, при этом полое тело (1) источника плазмы имеет первый газовый вход (7а) и отверстие (10) источника плазмы, которое образует отверстие к вакуумной камере, а также анод с полым телом (2) анода.
Изобретение относится к области генерирования плазмы. Устройство содержит по меньшей мере два коаксиальных волновода (4), каждый из которых сформирован из центрального проводника (1) и внешнего проводника (2) для направления сверхвысокочастотных волн в камеру обработки.
Изобретение относится к способу и системе для нанесения покрытий на подложку. В системе узел нанесения покрытия расположен внутри вакуумной камеры.
Низкотемпературное ионно-дуговое напыление // 2634101
Изобретение относится к способу нанесения покрытия при электродуговом напылении или ионно-дуговом напылении на подложки в вакуумной камере. Испаряют твердый материал дугового испарителя, который работает в качестве катода.
Источник плазмы // 2622048
Изобретение относится к источнику плазмы, который плавающим образом расположен на вакуумной камере, причем источник плазмы содержит корпус источника и в корпусе источника предусмотрена размещенная изолированно от него нить накала.
Изобретение относится к управляющему модулю для устройства ионной имплантации, имеющему источник питания, содержащий: электрогенератор (НТ) с заземленным положительным полюсом; первый переключатель (SW1), первый полюс которого соединен с отрицательным полюсом указанного генератора (НТ) и второй полюс которого соединен с выходным разъемом (S) источника питания; и второй переключатель (SW2), первый полюс которого соединен с указанным выходным разъемом (S) и второй полюс которого соединен с нейтрализующим разъемом (N).
Изобретение относится к устройству (100…103) для плазменного нанесения покрытия на подложку (2), в частности прессовальный лист, и способу плазменного нанесения покрытия. Устройство содержит вакуумную камеру (3) и расположенный в ней электрод (400…409), который сегментирован, при этом каждый из электродных сегментов (500…512) имеет собственный соединительный вывод (6) для источника (700…702) электрической энергии.
Изобретение относится к области ионной имплантации с применением плазмы. Устройство для ионной имплантации содержит корпус, соединенный с насосным устройством; отрицательно поляризованный НТ держатель подложки PPS, размещенный в указанном корпусе; и плазмоподающее устройство АР, выполненное в форме цилиндрического тела, проходящего между начальным участком и замыкающим участком.
Изобретение относится к способу ввода пучка электронов в среду с повышенным давлением, при котором подачу газа осуществляют через систему напуска в сопловой блок, состоящий из двух кольцевых сопел (внутреннего и внешнего, по оси внутреннего кольцевого сопла имеется отверстие для прохождения пучка электронов), при расширении из которого в среду с повышенным давлением в приосевой области течения формируется «зона спокойствия», параметры которой зависят только от параметров, определяющих работу внутреннего кольцевого сопла (в частности, его геометрии и расхода газа), являющаяся частью транспортного канала для ввода пучка электронов из объема электронной пушки в среду с повышенным давлением.
Свч-плазмотрон // 2601290
Изобретение предназначено для использования в плазмохимических технологических процессах при конверсии тетрафторида кремния в моносилан для производства поликристаллического кремния высокой чистоты в микроэлектронной промышленности.
Искровое испарение углерода // 2594022
Изобретение относится к области катодного искрового испарения. Способ импульсного прерывистого искрового разряда осуществляют посредством разряда от конденсатора и током разряда управляют посредством периодического подключения конденсатора.
Изобретение относится к способу производства ацетилена с использованием плазменной технологии. Способ характеризуется тем, что содержащий, по меньшей мере, один вид углеводорода газ, предпочтительно метан, подается в нетермическую плазму источника плазмы, при этом микроволновая мощность составляет, по меньшей мере, 3 кВт.
Изобретение относится к плазменной технике, а именно к устройствам для плазменного осаждения пленок, и может быть использовано для изготовления тонкопленочных солнечных элементов, фоточувствительных материалов для оптических сенсоров и тонкопленочных транзисторов большеразмерных дисплеев, для нанесения защитных покрытий.
Изобретение относится к области газоразрядной техники, в частности к электродуговому испарителю для получения покрытий из твердых материалов на инструментах. Электродуговой испаритель снабжен предусмотренной на мишени системой магнитных полей для создания магнитных полей на поверхности мишени и над ней.
Микроволновый плазменный реактор для производства синтетического алмазного материала с помощью химического осаждения из газовой фазы содержит: микроволновый генератор, сконфигурированный для генерации микроволн на частоте f; плазменную камеру, содержащую основание, верхнюю пластину и боковую стенку, простирающуюся от упомянутого основания до упомянутой верхней пластины, задавая объемный резонатор для поддержания микроволновой резонансной моды между основанием и верхней пластиной; конфигурацию микроволновой связи для подачи микроволн от микроволнового генератора в плазменную камеру; систему газового потока для подачи технологических газов в плазменную камеру и удаления их оттуда; держатель подложки, расположенный в плазменной камере и содержащий поддерживающую поверхность для поддержания подложки; и подложку, расположенную на поддерживающей поверхности.
Изобретение относится к области плазменной обработки материалов. Микроволновый плазменный реактор для производства синтетического алмазного материала с помощью химического осаждения из газовой фазы содержит: микроволновый генератор, сконфигурированный для генерации микроволн на частоте f; плазменную камеру, содержащую основание, верхнюю пластину и боковую стенку, простирающуюся от основания до верхней пластины, задавая объемный резонатор, для поддержания микроволновой резонансной моды, причем объемный резонатор имеет центральную вращательную ось симметрии, простирающуюся от основания до верхней пластины, и верхняя пластина установлена поперек центральной вращательной оси симметрии; конфигурацию микроволновой связи для подачи микроволн от микроволнового генератора в плазменную камеру; систему газового потока для подачи технологических газов в плазменную камеру и удаления их оттуда и держатель подложки, расположенный в плазменной камере и содержащий поддерживающую поверхность для поддержания подложки, на которую осаждается синтетический алмазный материал при ее использовании.
Устройство зажигания для дуговых источников // 2516453
Изобретение относится к устройству зажигания для зажигания разряда током большой силы электродугового испарителя в установке нанесения покрытий вакуумным напылением. Зажигание осуществляется посредством механического замыкания и размыкания контакта между катодом и анодом.
Изобретение относится к способу эксплуатации источника дуги, причем электрический искровой разряд поджигается и управляется на поверхности мишени (5), и искровой разряд управляется одновременно постоянным током, которому сопоставлено постоянное напряжение DV, и вырабатываемым посредством периодически прикладываемого сигнала напряжения импульсным током.
Устройство для плазменной обработки больших областей содержит, по меньшей мере, одну плоскую антенну (A), имеющую множество взаимосвязанных элементарных резонансных замкнутых контуров (M1, M2, M3), причем каждый из замкнутых контуров (M1, M2, M3) содержит, по меньшей мере, два электропроводных участка (1,2) цепи и, по меньшей мере, два конденсатора (5, 6).
Изобретение относится к области обработки материалов посредством ионной бомбардировки. Обеспечены планетарные устройства (22) для перемещения для заготовок, установленные на вращающемся устройстве (19) внутри вакуумной камеры.
Изобретение относится к области плазменной обработки поверхности. Способ заключается в том, что придают конструктивному элементу или конструктивным элементам (1), по меньшей мере, одно вращательное движение относительно, по меньшей мере, одного ряда неподвижно расположенных в линию элементарных источников (2), причем ряд или ряды расположенных в линию элементарных источников (2) размещают параллельно оси конструктивного элемента или осям вращения конструктивных элементов.
Изобретение относится к области плазменной обработки. .
Изобретение относится к устройствам локального травления тонких пленок микроэлектроники. .
Изобретение относится к электродуговым источникам и может быть использовано для искрового напыления. .
Способ формирования плазмы (варианты) // 2326512
Изобретение относится к способам для зажигания, формирования и удержания плазмы из газов, используя катализатор. .
Изобретение относится к технологическому оборудованию для изготовления полупроводниковых приборов. .
Изобретение относится к области электротехники, в частности к системам технологической обработки полупроводниковых пластин путем плазменного травления. .
Изобретение относится к производству тары. .
