Работающие с катодным распылением (H01J37/34)

H01J     Электрические газоразрядные и вакуумные электронные приборы и газоразрядные осветительные лампы (искровые разрядники H01T; дуговые лампы с расходуемыми электродами H05B; ускорители элементарных частиц H05H) (10498)
H01J37        Разрядные приборы с устройствами для ввода объектов или материалов, подлежащих воздействию разряда, например с целью их исследования или обработки (H01J33,H01J40,H01J41,H01J47,H01J49 имеют преимущество; исследование или анализ поверхностных структур на атомном уровне с использованием техники сканирующего зонда G01N13/10, например растровая туннельная микроскопия G01N13/12; бесконтактные испытания электронных схем с использованием электронных пучков G01R31/305; детали устройств, использующих метод сканирующего зонда вообще G12B21) (805)
H01J37/34                     Работающие с катодным распылением ( H01J37/36 имеет преимущество)(22)

Устройство магнетронного распыления // 2773044
Изобретение относится к устройству (100) и способу магнетронного распыления. Устройство содержит подложку (20), анод (34) в электрическом поле постоянного тока, мишень (16), которая образует катод (30) в электрическом поле постоянного тока и содержит электропроводящую смесь (36) для нанесения покрытия на подложку (20).

Магнетронное распылительное устройство // 2761900
Изобретение относится к устройствам ионно-плазменного распыления в скрещенных магнитном и электрических полях и может быть использовано в качестве базового распылительного оборудования. Технический результат изобретения - повышение эффективности использования оборудования в составе системы вакуумного распыления в магнетронах и установках катодного осаждения за счет повышения общего эксплуатационного ресурса мишени, а также упрощение конструкции устройства и повышение надежности при эксплуатации.

Устройство для обработки диэлектрических изделий быстрыми атомами // 2752877
Изобретение относится к области обработки диэлектрических изделий ускоренными ионами или быстрыми атомами и предназначено для травления канавок с высоким аспектным отношением и получения изделий с повышенными механическими и электрофизическими характеристиками поверхности за счет имплантации в нее легирующих элементов.

Газоразрядное распылительное устройство на основе планарного магнетрона с ионным источником // 2752334
Изобретение относится к газоразрядному распылительному устройству для нанесения композитных покрытий путем проведения неравновесных плазмохимических процессов, объединяющих ионное распыление в магнетронном разряде и распыление ионным пучком.

Магнетронное распылительное устройство // 2747487
Изобретение относится к магнетронному распылительному устройству обращенного закрытого типа. В вакуумной камере с рабочим газом размещены по меньшей мере один анод, два распыляемых полых катода с расположенными внутри на держателе объектами для напыления, магнитную систему, создающую над поверхностью катодов магнитное поле.

Ticn с сокращенными дефектами роста с помощью hipims // 2742325
Изобретение относится к способу нанесения покрытия по меньшей мере из одного слоя TiCN на поверхность покрываемой подложки способом HiPIMS. Для осаждения по меньшей мере одного TiCN-слоя используют по меньшей мере одну Ti-содержащую мишень в качестве источника Ti для создания TiCN-слоя, которую распыляют в реакционной атмосфере HiPIMS-способом в камере для нанесения покрытий.

Компоновочная схема и способ ионно-плазменного распыления для оптимизированного распределения потока энергии // 2741614
Изобретение относится к компоновочной схеме ионно-плазменного распыления, вакуумной установке для нанесения покрытий и способу для осуществления способов нанесения покрытий магнетронным распылением импульсами большой мощности.

Устройство для обработки изделий быстрыми атомами // 2726187
Изобретение относится к машиностроению, в частности к устройствам для обработки поверхности изделий быстрыми атомами с целью получения изделий с повышенными механическими и электрофизическими характеристиками поверхности за счет имплантации в нее легирующих элементов и формирования в ней субмикрокристаллической структуры.

Распыляемая мишень // 2717767
Группа изобретений относится к изготовлению распыляемой мишени. Предложен способ изготовления распыляемой мишени, в котором формируют расплавленную смесь, состоящую из соединений, выбранных из группы, включающей СоВ, FeB и CoFeB, заливают расплавленную смесь в форму для образования направленного литого слитка, выполняют отжиг и нарезают слиток для мишени, которая имеет чистоту выше 99,99%, содержание кислорода 40 мд или менее и сформированную боридами столбчатую микроструктуру.

Распыляемая мишень // 2696910
Данное изобретение относится к мишени, в частности к распыляемой мишени, способу ее получения и способу вакуумного напыления с использованием упомянутой мишени. Мишень содержит пластину, состоящую из хрупкого материала, и монтажную пластину, которая скреплена по поверхности с пластиной мишени.

Концевой блок для вращающейся мишени с электрическим соединением между токосъемником и ротором при давлении меньше атмосферного давления // 2667143
Изобретение относится к концевому блоку для вращающейся распыляемой мишени, такой как вращающаяся мишень для магнетронного распыления. Установка для распыления включает в себя один или более таких концевых блоков, предусматривает расположение электрического контакта (контактов), например, щетки (щеток) между токосъемником и ротором в концевом блоке (блоках) в области под вакуумом.

Распределитель мощности для определенного последовательного распределения мощности // 2666775
Изобретение относится к распределителю мощности, который в состоянии последовательно и без перерыва отдачи мощности генератором постоянного тока DC распределить большую мощность генератора постоянного тока DC на более чем две мишени.

Мишень для распыления, имеющая увеличенную энергетическую совместимость // 2665059
Изобретение относится к системе центрирования пластины, которая имеет пластину с держателем, в которой пластина центруется в держателе как при комнатной температуре, так и при более высоких температурах, независимо от теплового расширения пластины и держателя, и пластина может свободно расширяться в держателе при более высоких температурах.

Центрирование пластины в держателе при комнатных температурах и при более высоких температурах // 2665058
Изобретение относится к области нанесения покрытий путем осаждения из газовой фазы. Дискообразная пластина центруется в держателе как при комнатных температурах, так и при более высоких температурах, независимо от теплового расширения пластины и держателя, при этом пластина может свободно расширяться в держателе при более высоких температурах.

Способ получения гетероструктуры mg(fe1-xgax)2o4/si со стабильной межфазной границей // 2657674
Изобретение относится к способу получения гетероструктуры Mg(Fe1-xGax)2O4/Si со стабильной межфазной границей пленка/подложка, где х=0,05÷0,25. Осуществляют нанесение на полупроводниковую подложку монокристаллического кремния пленки галлий-замещенного феррита магния Mg(Fe1-xGax)2O4, где х=0,05÷0,25.

Способ получения пленок теллурида кадмия магнетронным распылением на постоянном токе // 2657275
Изобретение относится к способу получения тонких пленок теллурида кадмия. Способ включает предварительный подогрев поверхности распыляемой мишени из теллурида кадмия до заданной температуры и ее магнетронное распыление на постоянном токе.

Устройство для синтеза и осаждения металлических покрытий на токопроводящих изделиях // 2649904
Изобретение относится к машиностроению, в частности к устройствам для синтеза и осаждения металлических покрытий на токопроводящих изделиях в вакуумной камере. Устройство для синтеза и осаждения металлических покрытий на токопроводящих изделиях содержит рабочую камеру с каналом вакуумной откачки, плоские мишени планарных магнетронов на стенках камеры, источники электропитания магнетронных разрядов, соединенные отрицательными полюсами с мишенями, а положительными полюсами с камерой.

Плазменно-дуговое устройство формирования покрытий // 2642237
Изобретение относится к плазменно- дуговому устройству для формирования покрытий и может быть эффективно использовано при формировании защитных и биосовместимых слоев дентальных и ортопедических имплантатов, при изготовлении технологических слоев электролитических ячеек тонкопленочных интегральных аккумуляторов и в химических реакторах, которые работают в агрессивных средах и в условиях высоких температур.

Слои hipims // 2633672
Изобретение относится к способу осаждения систем слоев PVD из газовой фазы с помощью напыления по меньшей мере на одну подложку. К подложке прикладывают напряжение смещения и осаждают по меньшей мере один первый слой HIPIMS и один второй слой HIPIMS с помощью метода HIPIMS.

Способ гомогенного нанесения покрытий hipims // 2633516
Настоящее изобретение относится к импульсному магнетронному распылению. Способ физического нанесения покрытия из газовой фазы путем распыления в вакуумированной камере для нанесения покрытий включает следующие этапы: a) подготовка генератора с заданной постоянной отдачей мощности, предпочтительно, по меньшей мере после подключения и по окончании интервала увеличения мощности, b) подключение генератора, c) присоединение первого частичного катода к генератору так, чтобы мощность генератора подавалась на первый частичный катод, d) отсоединение генератора от первого частичного катода по окончании заданного первого интервала импульсов высокой мощности, соответствующего первому частичному катоду, e) присоединение второго частичного катода к генератору так, чтобы мощность генератора подавалась на второй частичный катод, f) отсоединение генератора от второго частичного катода по окончании заданного второго интервала импульсов высокой мощности, соответствующего второму частичному катоду.

Способ реактивного распыления // 2632210
Изобретение относится к способу реактивного распыления, в котором посредством ионной бомбардировки с поверхности первой мишени выбивается материал и переходит в газовую фазу, при этом к мишени прилагается отрицательное импульсное напряжение таким образом, что на поверхности мишени возникает электрический ток с плотностью тока, составляющей более 0,5 А/см2, так что переходящий в газовую фазу материал, по меньшей мере, частично ионизирован и в нем создается поток реактивного газа, реактивный газ вступает в реакцию с материалом поверхности мишени.

Способ предоставления последовательных импульсов мощности // 2631670
Изобретение относится к способу предоставления импульсов мощности для PVD-распыляемого катода, который содержит компонент приема мощности и частичный катод, при этом во время интервала нарастания мощности генератора мощность в компоненте приема мощности снижается, а затем мощность снижается на частичном катоде, причем переключение осуществляется таким образом, что отдача мощности от генератора, предоставляющего мощность, не должна прерываться.

Магнетронная распылительная система с инжекцией электронов // 2631553
Изобретение относится к плазменной технике, в частности к магнетронным распылительным системам, и может быть использовано для нанесения покрытий методом магнетронного распыления металлической мишени в вакууме.

Способ нанесения покрытий путем плазменного напыления и устройство для его осуществления // 2607398
Изобретение относится к способу ионно-плазменного напыления покрытий на изделия в вакууме и устройству для его осуществления и может найти применение в металлургии, плазмохимии и машиностроительной промышленности.

Способ напыления тонкопленочных покрытий на поверхность полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур методом магнетронного распыления // 2601903
Способ включает формирование в известной магнетронной распылительной системе планарного типа магнитного поля, зажигание разряда в скрещенных электрическом и магнитном полях, распыление материала катода и его осаждение на поверхность полупроводниковой гетероэпитаксиальной структуры.

Источник металлической плазмы (варианты) // 2601725
Изобретение относится к источникам металлической плазмы (варианты) и может быть использовано для нанесения защитных, упрочняющих и декоративных покрытий методом катодного распыления на внутренние поверхности изделий, в частности на внутренние поверхности тел вращения, как открытых, так и закрытых с одной стороны.

Способ обеспечения последовательных импульсов мощности // 2596818
Изобретение относится к области нанесения покрытий, к способу обеспечения импульсов мощности с линейно изменяемым интервалом импульсов мощности для распылительных катодов PVD, которые разделены на частичные катоды, при этом действующие на частичных катодах интервалы импульсов мощности выбраны таким образом, что они перекрываются.

Установка для нанесения покрытий на поверхности деталей // 2595187
Изобретение относится к установке для нанесения покрытий на поверхности деталей. Внутри корпуса вакуумной камеры установлен, по меньшей мере, один источник распыляемого материала, выполненный в виде N магнетронов, где N - целое число и N>1, и ионный источник.

Улучшенный способ совместного распыления сплавов и соединений с использованием двойной с-mag конструкции катода и соответствующая установка // 2578336
Изобретение относится к совместному распылению сплавов и соединений и к установке для упомянутого распыления и может быть использовано для получения пленок с требуемыми свойствами. Способ изготовления покрытого пленкой изделия включает обеспечение первой и второй вращающихся цилиндрических распыляемых мишеней, причем первая распыляемая мишень содержит первый распыляемый материал, а вторая распыляемая мишень содержит второй распыляемый материал, и распыление упомянутых мишеней.

Нанесение на подложки легированного слоя посредством катодного распыления // 2574553
Изобретение относится к способу и устройству для нанесения на подложку сплава, состоящего из одного первого и одного второго материала в качестве компонентов сплава с переменным их соотношением и к мишени для нанесения на подложку сплава.

Устройство для ионно-плазменного травления и нанесения тонких пленок // 2540318
Изобретение относится к области нанесения тонких пленок в вакууме и может быть использовано, например, в микроэлектронике. Устройство содержит вакуумную камеру и магнитную систему.

Способ ионно-плазменного нанесения многокомпонентных пленочных покрытий и установка для его осуществления // 2379378
Изобретение относится к способу и устройству ионно-плазменного нанесения многокомпонентных пленочных покрытий. .

Способ и установка для травления в вакууме при помощи магнетронного распыления металлической полосы // 2369937
Изобретение относится к травлению в вакууме при помощи магнетронного распыления. .

Способ и установка для травления в вакууме при помощи магнетронного распыления металлической полосы // 2369936
Изобретение относится к способу травления магнетронным распылением в вакуумной камере (2) металлической полосы (4), движущейся на опорном валке (3) напротив противоэлектрода (5). .

Источник фильтрованной плазмы вакуумной дуги // 2369664
Изобретение относится к источнику фильтрованной плазмы вакуумной дуги (варианты) и способу создания фильтрованной плазмы. .

Распылительный катод для процессов нанесения покрытий // 2283367
Изобретение относится к области металлургии, в частности к распылительному катоду для процессов нанесения покрытий в вакуумной камере, и может найти применение в машиностроении при изготовлении изделий с нанесенным покрытием.

Магнетронная распылительная система // 2242821
Изобретение относится к плазменной технике и предназначено для вакуумного ионно-плазменного нанесения тонких пленок металлов и их соединений на поверхность твердых тел. .

Источник ионов // 1279447
Изобретение относится к ускорительной технике. .
 
.
Наверх