Полупроводниковые лазеры (H01S5)
H Электричество(232322)
H01S Устройства со стимулированным излучением(2374)
H01S5 Полупроводниковые лазеры(186)
H01S5/022 - Монтажные, сборочные элементы; корпуса(9)
H01S5/024 - Охлаждающие устройства(7)
H01S5/026 - Монолитно встроенные компоненты, например волноводы, контролирующие фотодетекторы, возбудители (стабилизация выходных параметров H01S5/06; соединение световодов с опто-электронными элементами G02B6/42; устройства, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих твердотельных компонентов, сформированных внутри общей подложке или на ней, и предназначенные для светового излучения H01L27/15)(4)
H01S5/028 - Покрытия(2)
H01S5/04 - Способы и устройства для возбуждения, например накачка ( H01S5/06 имеет преимущество)(14)
H01S5/042 - Электрическое возбуждение(10)
H01S5/062 - Изменением потенциала, приложенного к электродам ( H01S5/065 имеет преимущество)(4)
H01S5/0625 - В многосекционных лазерах(2)
H01S5/065 - Синхронизация мод; подавление мод; селекция мод(4)
H01S5/068 - Стабилизация выходных параметров лазера ( H01S5/0625 имеет преимущество)(5)
H01S5/0683 - Посредством мониторинга оптических выходных параметров(1)
H01S5/0687 - Стабилизация частоты лазера(1)
H01S5/10 - Конструкция или форма оптического резонатора(13)
H01S5/12 - Резонаторы, с периодической структурой, например в лазерах с распределенной обратной связью (dfb-лазеры) ( H01S5/18 имеет преимущество)(3)
H01S5/14 - Лазеры с внешним объемным резонатором ( H01S5/18 имеет преимущество; синхронизация H01S5/065)(2)
H01S5/16 - Лазеры типа волноводного окна, т.е. с областью из непоглощающего материала между активной зоной и отражающей поверхностью ( H01S5/14 имеет преимущество)(1)
H01S5/18 - Лазеры с лучеиспускающей поверхностью (se-лазеры)(8)
H01S5/183 - С вертикальным резонатором (vcse-лазеры)(7)
H01S5/22 - С чередующимися гребнями и бороздками(1)
H01S5/24 - В виде канавок, например v-образных(1)
H01S5/30 - Структура или форма активной зоны; материалы для нее(16)
H01S5/32 - С pn переходами, например гетероструктуры или двойные гетероструктуры ( H01S5/34 имеет преимущество)(49)
H01S5/323 - В соединениях типа aiiibv, например algaas-лазер(4)
H01S5/327 - С соединениями aiibvi, например zncdse-лазер(1)
H01S5/343 - В соединениях aiiibv, например algaas-лазер(8)
H01S5/40 - Размещение двух или более полупроводниковых лазеров, не предусмотренное в подгруппах H01S5/02-H01S5/30 (H01S5/50 имеет преимущество)(9)
H01S5/42 - Решетки лазеров с лучеиспускающей поверхностью(4)
H01S5/50 - Конструкции усилителей, не предусмотренные в группах H01S5/02-H01S5/30(как ретрансляторы в передающих системах H04B10/17)(1)
Изобретение относится к полупроводниковой технике, к планарным лазерным гетероструктурам. Лазерная гетероструктура раздельного ограничения, выращенная на подложке GaAs n-проводимости, включает квантово-размерную активную область, волноводные слои, выполненные из твердого раствора AlxGa1-xAs, эмиттерные слои n-проводимости и p-проводимости, примыкающие к волноводным слоям и выполненные из твердого раствора Alx⋅Ga1-x⋅As.
Изобретение относится к трехмерным сканерам с обратной связью по сбору данных. Техническим результатом является увеличение эффективности, результативности и удовлетворенности пользователей устройством.
Настоящее изобретение относится к лазерной технике. Излучающее видимый свет полупроводниковое лазерное устройство содержит по меньшей мере один лазер поверхностного излучения с вертикальным резонатором (VCSEL), излучающий в инфракрасном (ИК) диапазоне спектра и интегрированный с преобразователем ИК излучения в видимый свет.
Изобретение относится к области передачи сигналов и может быть использовано для передачи аналогового сигнала по оптоволокну. Техническим результатом предлагаемого изобретения является увеличение динамического диапазона передаваемого сигнала.
Изобретение относится к двумерной матрице лазерных диодов и способу её сборки. Его использование обеспечивает технический результат, а именно повышение плотности мощности излучения матрицы при обеспечении надежности и срока службы.
Использование: для генерирования мощного лазерного излучения с короткой длиной волны в области спектра 400-495 нм. Сущность изобретения заключается в том, что лазерная система является объединением соединенных с волокном модулей, которые, в свою очередь, образованы из подмодулей.
Способ охлаждения двумерной матрицы лазерных диодов, устройство для его осуществления и коннектор // 2754393
Настоящее изобретение относится к способу охлаждения двумерной матрицы лазерных диодов, к устройству для осуществления данного способа, и коннектору, используемому в данном способе. Устройство для охлаждения двумерной матрицы лазерных диодов, включающей в себя две подложки, между которыми установлены параллельно друг другу линейки лазерных диодов с образованием между соседними линейками лазерных диодов параллельных каналов для пропускания теплоносителя, содержит первые и вторые трубопроводы подвода теплоносителя и первые и вторые трубопроводы отвода теплоносителя, причем первые трубопроводы подвода теплоносителя и вторые трубопроводы отвода теплоносителя подсоединены с чередованием к одним концам параллельных каналов, а первые трубопроводы отвода теплоносителя и вторые трубопроводы подвода теплоносителя подсоединены с чередованием к другим концам параллельных каналов, входы всех трубопроводов подвода теплоносителя подключены к выходу подающего насоса, вход которого соединен с резервуаром теплоносителя, снабженного средством термостабилизации, выходы всех трубопроводов отвода теплоносителя соединены с накопителем отработанного теплоносителя.
Усовершенствования для окон/дверей // 2748986
Система для детектирования положения по меньшей мере одного подвижного элемента оконного или дверного блока, содержащая: по меньшей мере один датчик для регистрации магнитного поля, выполненный так, чтобы регистрируемое магнитное поле изменялось при перемещении по меньшей мере одного подвижного элемента; и процессорное средство, выполненное с возможностью приема от датчика выходных сигналов, связанных с регистрируемым магнитным полем, и определения положения по меньшей мере одного подвижного элемента; причем система выполнена с возможностью работы в режиме калибровки и в нормальном режиме, при этом в режиме калибровки система выполнена с возможностью регистрации по меньшей мере значения выходного сигнала по меньшей мере одного датчика, когда по меньшей мере один подвижный элемент находится в первом заданном положении, соответствующем первому базовому значению, при этом в нормальном режиме процессорное средство выполнено с возможностью использования по меньшей мере первого базового значения в определении положения по меньшей мере одного подвижного элемента.
Изобретение относится к области электроники и оптоэлектроники и может быть использовано при создании структур активных элементов нано- и оптоэлектроники и интегральных схем на их основе. Способ получения регулярного массива квантовых точек включает использование подложки с центрами зарождения, управляемое формирование центров зарождения, селективное формирование квантовых точек, при этом для формирования центров зарождения используется метод фотолитографии, в качестве центров зарождения используются углубления, формируется буферный слой, отделяющий подложку и квантовые точки.
Изобретение относится к устройствам, специально предназначенным для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей, а именно к креплению полупроводникового прибора на опоре для сборки и пайки матриц лазерных диодов.
Способ отбраковки квантово-каскадных лазеров // 2744397
Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к методам контроля характеристик устройств, генерирующих лазерное излучение в среднем инфракрасном диапазоне длин волн от 4 до 9 мкм. Способ отбраковки квантово-каскадных лазеров включает подачу на лазер импульса тока прямоугольной формы с амплитудой, соответствующей рабочему току, с длительностью по уровню на половине от максимальной амплитуды в интервале 50-1000 нс, пропускание выходного излучения лазера через спектральный прибор с дисперсионным элементом, измерение зависимости вышедшего из спектрального прибора с дисперсионным элементом излучения лазера от времени через равные спектральные промежутки, определение скорости нагрева активной области лазера из зависимости интенсивности выходного излучения лазера от времени и длины волны генерации продольной моды резонатора, отбраковку квантово-каскадных лазеров со скоростью нагрева активной области более 0,05 К/нс.
Предложена лазерная система для выполнения лазерных операций, содержащая по меньшей мере три модуля лазерных диодов, при этом каждый из упомянутых по меньшей мере трех модулей лазерных диодов содержит по меньшей мере десять лазерных диодов, при этом каждый из упомянутых по меньшей мере десяти лазерных диодов способен выдавать синий лазерный пучок, имеющий мощность по меньшей мере примерно 2 Вт и произведение параметров пучка ниже 8 мм·мрад, по траектории лазерного пучка, при этом траектория каждого лазерного пучка является практически параллельной, в результате чего задается пространство между лазерными пучками, распространяющимися по траекториям лазерных пучков, средство пространственного совмещения и сохранения яркости синих лазерных пучков, расположенное на всех из упомянутых по меньшей мере тридцати траекторий лазерных пучков, при этом средство пространственного совмещения и сохранения яркости содержит коллимирующую оптику по первой оси лазерного пучка, вертикальную матрицу призм по второй оси лазерного пучка и телескопическое устройство, в результате чего средство пространственного совмещения и сохранения заполняет пространство между лазерными пучками лазерной энергией, вследствие чего выдается совмещенный лазерный пучок мощностью по меньшей мере примерно 600 Вт и с произведением параметров пучка ниже 40 мм·мрад.
Лазер-тиристор // 2726382
Настоящее изобретение относится к квантовой электронной технике, а точнее к импульсным инжекционным источникам лазерного излучения. Лазер-тиристор, включающий подложку n-типа проводимости и имеющуюся на ней гетероструктуру, содержит катодную область (1), включающую подложку n-типа проводимости (2) и по меньшей мере один широкозонный слой n-типа проводимости (3), анодную область (4), включающую контактный слой р-типа проводимости (5) и по меньшей мере один широкозонный слой р-типа проводимости (6), по меньшей мере один из которых одновременно является слоем оптического ограничения лазерной гетероструктуры и эмиттером, инжектирующим дырки в активную область (13), первую базовую область (7), примыкающую к широкозонному слою (3) катодной области (1), включающую по меньшей мере один слой р-типа проводимости (8), вторую базовую область (9), примыкающую к первой базовой области (7), включающую по меньшей мере один широкозонный слой n-типа проводимости (10), одновременно являющийся слоем оптического ограничения лазерной гетероструктуры и эмиттером, инжектирующим электроны в активную область (13), волноводную область (12), расположенную между анодной областью (4) и второй базовой областью (9), включающую по меньшей мере активную область (13), оптический Фабри-Перо резонатор, образованный первой естественно сколотой гранью (14) с нанесенным просветляющим покрытием и второй естественно сколотой гранью (15) с нанесенным отражающим покрытием, первый омический контакт (16) к анодной области (4), сформированный со стороны свободной поверхности контактного слоя р-типа проводимости (5), и, формирующий область инжекции через активную область (13), второй омический контакт (18) к катодной области (1), сформированный со стороны свободной поверхности подложки (2) n-типа проводимости, область инжекции (21) под первым омическим контактом (16) заключена между первой (22) и второй (23) пассивными областями.
Изобретение относится к лазерной технике. Перестраиваемый диодный лазер с внешним резонатором содержит последовательно установленные на единой оптической оси лазерный диод, коллимирующий объектив, интерференционный фильтр, фокусирующий объектив, отражающее зеркало, установленное на единой оптической оси за фокусирующим объективом, и выходное отражающее зеркало, установленное за коллимирующим объективом и обеспечивающее выход оптического излучения диодного лазера под углом к единой оптической оси в виде аксиально симметричного светового пучка.
Лазер-тиристор // 2724244
Настоящее изобретение относится к лазерной полупроводниковой технике. Лазер-тиристор на основе гетероструктуры содержит катодную область (1), включающую подложку n-типа (2), широкозонный слой n-типа (3), анодную область (4), включающую контактный слой р-типа (5), широкозонный слой р-типа (6), одновременно являющийся слоем оптического ограничения лазерной гетероструктуры и эмиттером, инжектирующим дырки в активную область (13), первую базовую область (7), примыкающую к широкозонному слою катодной области (1), включающую первый слой р-типа (8), вторую базовую область (9), примыкающую к первой базовой области (7), включающую по меньшей мере один широкозонный слой n-типа (10), одновременно являющийся слоем оптического ограничения лазерной гетероструктуры и эмиттером, инжектирующим электроны в активную область (13), волноводную область (12), расположенную между анодной областью (4) и второй базовой областью (9), включающую квантоворазмерную активную область (13), резонатор, образованный сколотой гранью (14) с просветляющим покрытием и сколотой гранью (15) с отражающим покрытием, первый омический контакт (16) к анодной области (4), сформированный со стороны свободной поверхности контактного слоя р-типа (5), и формирующий область инжекции через активную область (13) второй омический контакт (18) к катодной области (1), сформированный со стороны свободной поверхности подложки (2) n-типа, мезаканавку (11), вытравленную до второй базовой области (9), расположенную вдоль первого омического контакта (16), третий омический контакт (20) ко второй базовой области (9), расположенный на дне (17) мезаканавки (11).
Изобретение относится к лазерной технике. Лазерная система со стабилизацией частоты лазеров содержит установленные на плите два перестраиваемых диодных лазера с внешними резонаторами (ДЛВР1 и ДЛВР2), пучки излучения которых проходят через оптические изоляторы 1 и 2, соответственно полуволновые пластины и юстировочными поворотными зеркалами направляются следующим образом.
Изобретение относится к лазерной технике. Лазерный прибор содержит матрицу лазеров поверхностного излучения с вертикальным резонатором (VCSEL), расположенных на одной и той же полупроводниковой подложке (101).
Изобретение относится к лазерной технике. Импульсный лазерный полупроводниковый излучатель содержит герметичный корпус с выводами и крышку с прозрачным окном для вывода излучения решеток лазерных диодов, установленных на плоскости основания внутри корпуса равномерно по окружности.
Изобретение относится к радиотехнике. Оптически–управляемый переключатель содержит снизу вверх: подложку, выполненную из полупроводникового материала, который при отсутствии внешнего воздействия выступает в качестве диэлектрика, первый проводящий слой линии передачи, выполненный из проводящего материала на верхней стороне подложки, и лазер.
Изобретение относится к матричным модулям для совмещения лазерных пучков, которые могут обеспечивать лазерные пучки с высокой яркостью для использования в системах и применениях в областях производства, изготовления, зрелищных мероприятий и т.п.
Светоизлучающее устройство // 2713080
Изобретение относится к области оптико-электронного приборостроения и касается светоизлучающего устройства. Светоизлучающее устройство содержит светоизлучающую структуру, слой обработки и оптическую структуру.
Группа изобретений относится к лазерной полупроводниковой технике. Лазерный прибор (100) содержит от двух до шести меза-структур (120), обеспеченных на одном полупроводниковом чипе (110).
Изобретение относится к области лазерной техники и касается двумерной матрицы лазерных диодов. Матрица лазерных диодов содержит линейки лазерных диодов и две прозрачные для излучения лазерных диодов подложки.
Изобретение относится к лазерной технике. Лазерный прибор содержит по меньшей мере один лазер (L) с множеством продольных мод для генерации лазерного излучения, имеющего спектр множества продольных мод; по меньшей мере один высокодобротный микрорезонатор (М), связанный оптической обратной связью с упомянутым по меньшей мере одним лазером (L) с множеством продольных мод; узел (TU) подстройки для подстройки спектра множества продольных мод лазерного излучения.
Изобретение относится к технике полупроводников. Полупроводниковый вертикально-излучающий лазер с внутрирезонаторными контактами содержит полуизолирующую подложку (1) из GaAs, нижний нелегированный РБО (2), внутрирезонаторный контактный слой (3) n-типа, композиционную решетку (5) n-типа, оптический резонатор (6), содержащий активную область (7) на основе по меньшей мере трех слоев In(Al)GaAs квантовых ям (8), композиционную решетку (9) p-типа, содержащую по меньшей мере одну оксидную токовую апертуру (10), внутрирезонаторный контактный слой (11) p-типа, сильнолегированный фазокорректирующий контактный слой (12) p-типа и верхний диэлектрический РБО (14) на основе SiO2/Ta2O5.
Изобретение относится к технике полупроводников. Способ изготовления вертикально-излучающего лазера с внутрирезонаторными контактами и диэлектрическим зеркалом включает последовательное эпитаксиальное выращивание на полуизолирующей подложке из GaAs полупроводниковой гетероструктуры, содержащей нижний нелегированный распределенный брэгговский отражатель (РБО), внутрирезонаторный контактный слой n-типа, оптический резонатор с активной областью и апертурным слоем из AlxGa1-xAs р-типа, где 0,97≤х<1, внутрирезонаторный контактный слой р-типа, формирование электрического контакта р-типа; формирование оксидной токовой апертуры в апертурном слое, формирование электрического контакта n-типа и формирование верхнего диэлектрического РБО, формирование пассивирующего и планаризующего слоя с низкой диэлектрической проницаемостью и формирование металлизации контактных площадок р- и n-типа.
Изобретение относится к электронной технике. Длинноволновый вертикально-излучающий лазер включает полуизолирующую подложку из GaAs, нижний нелегированный распределенный брэгговский отражатель (РБО), внутрирезонаторный контактный слой n-типа, композиционную решетку n-типа, содержащую по меньшей мере одну оксидную оптическую апертуру.
Устройство формирования изображения // 2703814
Изобретение относится к средствам формирования изображения. Устройство формирования изображения предназначено для проецирования управляемых по отдельности лазерных лучей на поверхность формирования изображения, выполненную подвижной по отношению к устройству в заданном направлении по оси X.
Изобретение относится к лазерной технике. Портативный импульсно-периодический полупроводниковый лазерный излучатель с пиротехнической накачкой и перестраиваемой длиной волны содержит корпус с фокусирующим оптическим элементом, полупроводниковый лазер, блок управления работой полупроводникового лазера с источником питания, систему электрической связи электронных элементов лазера и магазин с источниками оптического излучения с пиротехнической накачкой, содержащий несколько пиротехнических ламп и систему их подачи.
Модуль лазерного датчика // 2696335
Изобретение относится к лазерной технике. Модуль лазерного датчика для времяпролётных измерений содержит лазер (100) поверхностного излучения с вертикальным резонатором (VCSEL или VECSEL) и задающую схему (120).
Устройство лазерного инициирования // 2691381
Изобретение относится к полупроводниковым лазерам, в частности к конструкции оптических передающих модулей с волоконным выходом, и может быть использовано в лазерных системах инициирования пиротехнических приборов автоматики и взрывчатых веществ.
Импульсный инжекционный лазер // 2691164
Импульсный инжекционный лазер содержит гетероструктуру раздельного ограничения, включающую асимметричный многомодовый волновод, ограничительные слои (3), (8) которого одновременно являются эмиттерами n- и р-типа проводимости с одинаковыми показателями преломления, активную область (6), состоящую, по меньшей мере, из одного квантово-размерного активного слоя, оптические грани (11), (13), омические контакты (2), (10) и оптический резонатор, образованный оптическими гранями (11), (13).
Использование: для создания активной среды для нано-, микро- и макроустройств. Сущность изобретения заключается в том, что способ создания активной среды на основе полупроводниковых люминесцентных нанокристаллов в полимерной матрице заключается в том, что создают акрилатную твердую полимерную матрицу с равномерно распределенными в ней коллоидными квантовыми точками - полупроводниковыми нанокристаллами путем смешивания жидкой неполимеризованный акрилатной композиции и коллоидных квантовых точек - полупроводниковых нанокристаллов, затем в зависимости от образования агрегатов коллоидных квантовых точек - полупроводниковых нанокристаллов акрилатную композицию фотополимеризуют при температурах от 20°С до 120°С или от 20°С до 200°С.
Лазерный модуль и способ его изготовления // 2688888
Изобретение относится к области лазерной техники и касается лазерного модуля. Лазерный модуль содержит ступенчатое основание, на котором размещены лазерные диоды, микролинзы, линзы, плоские зеркала и фокусирующие линзы.
Предложено устройство фотодетектирования, в котором на виде сверху первая полупроводниковая область первого типа проводимости перекрывает по меньшей мере часть третьей полупроводниковой области, вторая полупроводниковая область перекрывает по меньшей мере часть четвертой полупроводниковой области второго типа проводимости, значение потенциала третьей полупроводниковой области в отношении электрического заряда первого типа проводимости меньше значения потенциала четвертой полупроводниковой области, а разность между значением потенциала первой полупроводниковой области и значением потенциала третьей полупроводниковой области больше разности между значением потенциала второй полупроводниковой области и значением потенциала четвертой полупроводниковой области.
Инжекционный лазер // 2685434
Использование: для создания инжекционного лазера. Сущность изобретения заключается в том, что инжекционный лазер включает выращенную на подложке лазерную гетероструктуру, содержащую активную область, заключенную между первым и вторым волноводными слоями, к которым с внешней стороны примыкают соответственно слой широкозонного эмиттера р-типа проводимости и слой широкозонного эмиттера n-типа проводимости, являющиеся ограничительными слоями, полосковый омический контакт, примыкающий к внешней стороне широкозонного эмиттера р-типа проводимости, сплошной омический контакт, примыкающий к внешней стороне подложки, область инжекции под полосковым омическим контактом, заключенную между пассивными областями, при этом в одной из пассивных областей расположена рельефная структура, рельефная структура выполнена на внешней стороне по меньшей мере одной пассивной области в плоскости, перпендикулярной слоям гетероструктуры, на расстоянии от ближайшей границы области инжекции с пассивной областью не менее 0,1 W, где W - ширина области инжекции, мкм, величина амплитуды рельефной структуры равна не менее 10λ, где λ - рабочая длина волны инжекционного лазера в свободном пространстве, мкм, а отношение амплитуды рельефной структуры к ее периоду равно не менее 2.
Диодный лазер с внешним резонатором // 2683875
Изобретение может быть использовано для перестраиваемых диодных лазеров с внешними резонаторами, обеспечивающими генерацию на одной продольной моде. Диодный лазер с внешним резонатором содержит последовательно установленные на оптической оси лазерный диод, коллимирующий объектив, интерференционный фильтр и фокусирующий объектив, глухое отражающее зеркало, а также выходное отражающее зеркало, установленное за коллимирующим объективом и обеспечивающее выход оптического излучения под углом к единой оптической оси в виде аксиально-симметричного светового пучка.
Изобретение относится к лазерной технике. Сущность: лазерная система содержит лазер, работающий в режиме пульсаций, и нагреватель.
Изобретение относится к области лазерной техники и касается полупроводникового многоканального лазерного излучателя. Полупроводниковый многоканальный лазерный излучатель включает в себя корпус, активные элементы и элементы питания.
Способ изготовления полупроводниковых лазеров содержит этапы, на которых расщепляют лазерную гетероструктуру на линейки полупроводниковых лазеров во внешней атмосфере, обеспечивая грани резонатора, напыляют на внутреннюю поверхность рабочей вакуумной камеры слой алюминия толщиной не менее 50 нм, помещают, по меньшей мере, одну линейку или кристалл полупроводникового лазера в вакуумную камеру с остаточным давлением по кислороду не более 2⋅10-10 Торр, где грани резонатора сначала протравливают ионами плазмы аргона со скоростью не более 2 нм/мин на глубину не менее 3 нм.
Изобретение относится к лазерной технике. Лазерный прибор содержит два лазера накачки, один из которых выполнен с возможностью излучения пучка накачки независимо от другого.
Изобретение относится к светоизлучающему полупроводниковому устройству (100), содержащему подложку (120), светоизлучающую слоистую структуру (155) и геттерный слой (190) из AlGaAs для снижения содержания примесей в светоизлучающей слоистой структуре (155), причем светоизлучающая слоистая структура (155) содержит активный слой (140) и слои с различным содержанием алюминия, причем условия роста слоев светоизлучающей слоистой структуры (155), содержащей алюминий, различаются по сравнению с условиями роста геттерного слоя (190) AlGaAs.
Устройство инфракрасного лазерного освещения // 2672767
Изобретение относится к области оптического приборостроения и касается устройства освещения для освещения трехмерной компоновки в инфракрасном спектре длин волн. Устройство включает в себя первую и вторую группы лазерных устройств.
Квантовый генератор случайных чисел // 2662641
Изобретение относится к области вычислительной техники. Технический результат заключается в повышении скорости генерирования последовательности случайных чисел и обеспечении непрерывности выдаваемой последовательности случайных чисел.
Лазерный прибор с регулируемой поляризацией // 2659749
Изобретение относится к лазерному прибору с регулируемой поляризацией. Лазерный прибор (10) содержит матрицу (50) лазерных излучателей (100) и блок (200) управления.
Группа изобретений относится к полупроводниковым лазерам. Охлаждающее устройство (100) содержит монтажную площадку для лазерной установки, охлаждающий объем (140), содержащий охлаждающие каналы, выполненные с возможностью охлаждения монтажной площадки (105), впуск (150) хладагента и выпуск (145) хладагента, соединенные с охлаждающими каналами охлаждающего объема (140), первое сквозное отверстие (110) подачи хладагента, соединенное с впуском (150) хладагента, второе сквозное отверстие (111) подачи хладагента, соединенное с выпуском (145) хладагента.
Изобретение относится к оптической системе передачи для аналоговых или цифровых радиочастотных сигналов с использованием твердотельного лазера с внешней модуляцией. Оптический модулятор включает в себя полупроводниковое устройство, имеющее оптический вход для приема когерентного светового пучка непрерывного излучения, волновод для переноса светового пучка, электрод, соединенный с входом радиочастотного сигнала и напряжением смещения для создания электрического поля в волноводе и оптического модулирования светового пучка, когда пучок проходит через волновод, и оптический выход, соединенный с волноводом, для переноса модулированного оптического сигнала.
Изобретение относится к лазерной полупроводниковой технике. Лазер (100) поверхностного излучения с вертикальным резонатором (VCSEL) содержит первый электрический контакт (105), подложку (110), первый распределенный брэгговский отражатель (115), активный слой (120), второй распределенный брэгговский отражатель (130) и второй электрический контакт (135).
Группа изобретений относится к проекционной технике. Лазерный прибор для проецирования структурированной картины освещения на сцену сформирован из нескольких матриц лазеров VCSEL, причём каждая матрица расположена на отдельном кристалле VCSEL и содержит нерегулярное распределение излучающих областей полупроводниковых лазеров.
Установочный слой для охлаждающей структуры // 2655017
Данное изобретение описывает установочный слой (200) для установки по меньшей мере двух светоизлучающих полупроводниковых устройств. Установочный слой (200) содержит угловой выступ (205) и краевой выступ (210) для выравнивания установочного слоя (200) с охлаждающей структурой.
